[組圖]單片開關(guān)電源原理及應(yīng)用
一、TOP開關(guān)結(jié)構(gòu)及工作原理
1、結(jié)構(gòu): TOP開關(guān)集各種控制功能、保護(hù)功能及耐壓700V的功率開關(guān)MOSFET于一體,采用TO?220或8腳DIP封裝。少數(shù)采用8腳封裝的TOP開關(guān),除D、C兩引腳外,其余6腳實(shí)際連在一起,作為S端,故仍系三端器件。三個引出端分別是漏極端D、源極端S和控制端C。其中,D是內(nèi)裝MOSFET的漏極,也是內(nèi)部電流的檢測點(diǎn),起動操作時(shí),漏極端由一個內(nèi)部電流源提供內(nèi)部偏置電流??刂贫薈控制輸出占空比,是誤差放大器和反饋電流的輸入端。在正常操作時(shí),內(nèi)部的旁路調(diào)整端提供內(nèi)部偏置電流,且能在輸入異常時(shí),自動鎖定保護(hù)。源極端S是MOSFET的源極,同時(shí)是TOP開關(guān)及開關(guān)電源初級電路的公共接地點(diǎn)及基準(zhǔn)點(diǎn)。
2、工作原理: TOP包括10部分,其中Zc為控制端的動態(tài)阻抗,RE是誤差電壓檢測電阻。RA與CA構(gòu)成截止頻率為7kHz的低通濾波器。主要特點(diǎn)是:
?。?)前沿消隱設(shè)計(jì),延遲了次級整流二級管反向恢復(fù)產(chǎn)生的尖峰電流沖擊;
?。?)自動重起動功能,以典型值為5%的自動重起動占空比接通和關(guān)斷;
?。?)低電磁干擾性(EMI),TOP系列器件采用了與外殼的源極相連,使金屬底座及散熱器的dv/dt=0,從而降低了電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制;
?。?)電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制。
下面簡要敘述一下:
?。?)控制電壓源 控制電壓Uc能向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動極提供偏置電壓,而控制端電流Ic則能調(diào)節(jié)占空比??刂贫说目傠娙萦肅t表示,由它決定自動重起動的定時(shí),同時(shí)控制環(huán)路的補(bǔ)償,Uc有兩種工作模式,一種是滯后調(diào)節(jié),用于起動和過載兩種情況,具有延遲控制作用;另一種是并聯(lián)調(diào)節(jié),用于分離誤差信號與控制電路的高壓電流源。剛起動電路時(shí)由D-C極之間的高壓電流源提供控制端電流Ic,以便給控制電路供電并對Ct充電。
?。?)振蕩器 內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值UH、UL之間周期性地線性充放電,以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需要的鋸齒波(SAW),與此同時(shí)還產(chǎn)生最大占空比信號(Dmax)和時(shí)鐘信號(CLOCK)。為減小電磁干擾,提高電源效率,振蕩頻率(即開關(guān)頻率)設(shè)計(jì)為100kHz,脈沖波形的占空比設(shè)定為D。
?。?)放大器 誤差放大器的增益由控制端的動態(tài)阻抗Zc來設(shè)定。Zc的變化范圍是10Ω~20Ω,典型值為15Ω。誤差放大器將反饋電壓UF與5.7V基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后,輸出誤差電流Ir,在RE上形成誤差電壓UR。
(5)脈寬調(diào)制器(PWM) 脈寬調(diào)制器是一個電壓反饋式控制電路,它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小,即可調(diào)節(jié)占空比D,實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器,濾掉開關(guān)噪聲電壓之后,加至PWM比較器的同相輸入端,再與鋸齒波電壓UJ進(jìn)行比較,產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號UB。
?。?)門驅(qū)動級和輸出級 門驅(qū)動級(F)用于驅(qū)動功率開關(guān)管(MOSFET),使之按一定速率導(dǎo)通,從而將共模電磁干擾減至最小。漏?源導(dǎo)通電阻與產(chǎn)品型號和芯片結(jié)溫有關(guān)。MOSFET管的漏?源擊穿電壓U(bo)ds≥700V。
?。?)過流保護(hù)電路 過流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT,同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外,芯片還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時(shí)可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A。
?。?)過熱保護(hù)電路 當(dāng)芯片結(jié)溫TJ>135℃時(shí),過熱保護(hù)電路就輸出高電平,將觸發(fā)器Ⅱ置位,Q=1,,關(guān)斷輸出級。此時(shí)進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式,Uc端波形也變成幅度為4.7V~5.7V的鋸齒波。若要重新起動電路,需斷電后再接通電源開關(guān);或者將控制端電壓降至3.3V以下,達(dá)到Uc(reset)值,再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零,使MOSFET恢復(fù)正常工作。
?。?)關(guān)斷/自起動電路 一旦調(diào)節(jié)失控,關(guān)斷/自動重起動電路立即使芯片在5%占空比下工作,同時(shí)切斷從外部流入C端的電流,Uc再次進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除,Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式,自動重新起動電源恢復(fù)正常工作。自動重起動的頻率為1.2Hz。
?。?0)高壓電流源 在起動或滯后調(diào)節(jié)模式下,高壓電流源經(jīng)過電子開關(guān)S1給內(nèi)部電路提供偏置,并且對Ct進(jìn)行充電。電源正常工作時(shí)S1改接內(nèi)部電源,將高壓電流源關(guān)斷。
當(dāng)TOP開關(guān)起動操作時(shí),在控制端環(huán)路振蕩電路的控制下,漏極端有電流流入芯片,提供開環(huán)輸入。該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器時(shí),由控制端進(jìn)行閉環(huán)調(diào)整,改變Ir,經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比,最后達(dá)到動態(tài)平衡。
二、TOP開關(guān)的典型應(yīng)用
1、12V/30W小功率開關(guān)電源: 12V/30W小功率開關(guān)電源原理圖如圖2所示。該電源特性是:簡單,直接可與220V交流電源連接,經(jīng)橋式整流電容濾波后產(chǎn)生300V直流高電壓起動開關(guān)電源工作。并且重量輕、體積小,接線簡單外圍元件少。
該電路特點(diǎn)是利用三極管Q1,二極管D8及電阻R5、R6組成過低壓保護(hù)電路,當(dāng)輸入電壓降低到一定程度時(shí),Q1導(dǎo)通,控制端C電位降低,TOP開關(guān)關(guān)閉,開關(guān)電源沒有輸出。
?。?)輸入電路 電網(wǎng)交流220V輸入電壓經(jīng)橋式整流、電容濾波后產(chǎn)生300V直流高壓起動開關(guān)電源工作。
?。?)電源變換器部分 在該電路中,T2為高頻變壓器,其中
N1為初級繞組(35T)
N2為反饋繞組(15T)
N3為次級隔離輸出繞組(7T)
開關(guān)電源工作后,反饋繞組N2經(jīng)整流、濾波、限流后送至TOP開關(guān)控制極C,以調(diào)整TOP開關(guān)內(nèi)部PWM占空比。當(dāng)因某種原因如負(fù)載變輕引起輸出電壓升高時(shí),N2電壓將升高,即流入TOP開關(guān)控制端C的電流增加。在振蕩電路的控制下,漏極端D有電流流入芯片,提供開環(huán)輸入,該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器,由控制端進(jìn)行閉環(huán)調(diào)整,經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比,使其占空比線性減小,從而使輸出電壓下降,最后達(dá)到動態(tài)平衡,保持輸出穩(wěn)定。電路中并接于初級繞組N1兩端的瞬態(tài)電壓抑制二極管D5、電容C4及快速二極管D6組成鉗位削峰電路。鉗制電感放電脈沖的最高電位,減少漏感抗引起的漏極端電壓畸變。在實(shí)際繞制高頻電源變壓器時(shí),為了減小漏感的影響,可采用初級與次級相互交叉的繞制方法。同時(shí),采用自我屏蔽作用較為良好的罐形磁芯,將線圈都用磁芯封在里邊。
?。?)反饋控制回路 電容C6決定軟起動恢復(fù)時(shí)間,C6、R5、R4、C5、D7決定控制回路的零點(diǎn)。R4阻值過小,限流線性差,容易導(dǎo)致TOP開關(guān)損壞;過大則調(diào)整線性差。在實(shí)驗(yàn)中取值為10kΩ
由于TOP芯片內(nèi)部完全集成了SMPS的全部功能,所以利用它設(shè)計(jì)出的開關(guān)電源周期短,成本低,對于小功率電源,簡單,體積小,重量輕。
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