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          DS32X35帶有鐵電隨機(jī)存取存儲器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘

          作者: 時(shí)間:2011-05-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          摘要:該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘,無需外接電池即可保持存儲器內(nèi)容。

          概述

          隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布,Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)技術(shù),F(xiàn)RAM是非易失存儲器,其讀/寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數(shù)據(jù)保持10年之久,與EEPROM和其它非易失存儲器不同的是:它不需要考慮系統(tǒng)的復(fù)雜性、過度開銷以及可靠性問題。從1992年出現(xiàn)第一塊FRAM至今,這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)趨于成熟

          非易失存儲器

          目前的非易失存儲技術(shù)主要有三種:電池備份的SRAM、EEPROM和閃存。在非易失存儲速度方面,F(xiàn)RAM類似于傳統(tǒng)的SRAM;FRAM的操作類似于串行EEPROM,主要區(qū)別在于它具有更好的寫操作特性和耐用性。能夠以I2C接口的速度對存儲器進(jìn)行讀或?qū)懖僮?。在寫操作過程中,無需輪詢器件確認(rèn)就緒條件。

          表1給出了非易失存儲技術(shù)的評定,評定等級1 (最好)至4 (最差)。

          表1. 非易失存儲器的技術(shù)評定
          FeaturesBattery-Backed SRAMEEPROMFlashFRAM
          Read Speed1421
          Write Speed1441
          Power Consumption3441
          Memory Density2414
          Ease of Use2341
          Endurance1341

          FRAM相對于EEPROM的優(yōu)勢

          相對于同等容量的EEPROM,F(xiàn)RAM具有很多優(yōu)勢。第一個(gè)優(yōu)勢是FRAM能夠以總線速度執(zhí)行寫操作,且數(shù)據(jù)開始傳輸后沒有任何寫延時(shí)。另外,F(xiàn)RAM沒有采用頁面寫操作方式,用戶可以簡便地連續(xù)寫入數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)傳輸時(shí)沒有尺寸限制,沒有延時(shí)。必要時(shí),系統(tǒng)可以采用突發(fā)模式對整個(gè)存儲器陣列進(jìn)行寫操作。

          第二個(gè)優(yōu)勢是寫操作耐久性,寫次數(shù)高達(dá)100億次。多數(shù)EEPROM只寫次數(shù)只能達(dá)到100萬次。實(shí)際上可認(rèn)為FRAM沒有寫次數(shù)的限制,非常適合數(shù)據(jù)采集應(yīng)用。

          第三個(gè)優(yōu)勢是微功耗,有助于節(jié)省電能。FRAM采用鐵電存儲機(jī)制,可通過本地VCC支持寫操作,EEPROM則需要一個(gè)電荷泵或升壓電路。由此可見,F(xiàn)RAM的電流消耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于類似配置的EEPROM。

          DS32X35帶有FRAM的高精度RTC

          DS32X35是一款溫補(bǔ)時(shí)鐘/日歷芯片,單個(gè)封裝內(nèi)集成了32.768kHz晶體和非易失存儲器。 非易失存儲器采用兩種配置: 2048 x 8位或8192 x 8位。器件采用20引腳、300mil SO封裝。DS32X35包括一個(gè)FRAM區(qū),無需電池備份即可保持存儲器的內(nèi)容。此外,該系列器件可無限次地進(jìn)行讀、寫操作。在產(chǎn)品有效使用期內(nèi),允許進(jìn)行無限次的存儲器訪問,并且不存在磨損。

          該系列器件的其它特性包括:兩個(gè)定時(shí)鬧鐘、可以選擇的中斷或可編程方波輸出、一路經(jīng)過校準(zhǔn)的32.768kHz方波輸出。復(fù)位輸入/輸出引腳提供上電復(fù)位功能,另外,復(fù)位引腳還可以作為按鍵控制輸入由外部產(chǎn)生復(fù)位。RTC和FRAM通過I2C串口訪問。

          地址要求

          串行FRAM存儲器提供2048 x 8位或8192 x 8位存儲器陣列,通過I2C接口訪問。由于陣列配置不同,不同版本DS32X35的I2C尋址技術(shù)也有差異。表2詳細(xì)說明了不同版本DS32X35的尋址要求。

          表2. 存儲器從地址
          PartMemory (kB)Slave AddressAddress Cycle 1Address Cycle 2
          DS32B3521010 A10A9A8RA7A6A5A4 A3A2A1A0N/A
          DS32C3581010 000RXXXA12 A11A10A9A8A7A6A5A4 A3A2A1A0

          R = 讀寫選擇位;X = 無關(guān);AN = 第N位地址

          結(jié)論

          新型DS32X35系列產(chǎn)品具有精確的計(jì)時(shí)功能,將四個(gè)分離器件集成到單一芯片。圖1給出了集成RTC、非易失存儲器、系統(tǒng)復(fù)位和32.768kHz晶體的DS32X35內(nèi)部框圖。

          DS32X35帶有鐵電隨機(jī)存取存儲器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘
          圖1. DS32X35的高集成度優(yōu)勢


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