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          M57957L/M57958LIGBT厚膜驅(qū)動(dòng)器集成電路

          作者: 時(shí)間:2011-05-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          1引腳排列與名稱、功能及用法

          M57957L與M57958L均采用單列直插式標(biāo)準(zhǔn)8腳厚膜集成電路封裝。其外形和引腳排列如圖1所示,各引腳的名稱、功能及用法可參見表1所列。

          2內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理簡述

          M57957L與M57958L的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理如圖2所示。由圖可知,它們的內(nèi)部集成有光耦、接口及功放單元。其工作原理可簡述為:來自脈沖形成單元的驅(qū)動(dòng)信號為高電平時(shí)光耦導(dǎo)通,接口電路把該信號整形后由功放級的兩級達(dá)林頓NPN晶體管放大后輸出,驅(qū)動(dòng)功率IGBT模塊導(dǎo)通。在驅(qū)動(dòng)信號為低電平時(shí)光耦截止,此時(shí)接口電路輸出亦為低電平,功放輸出級PNP晶體管導(dǎo)通,給被驅(qū)動(dòng)的功率IGBT柵?射極間施加以反向電壓,使被驅(qū)動(dòng)功率IGBT模塊恢復(fù)關(guān)斷狀態(tài)。

          引腳號 符號 名稱或功能 用法
          1 VIN- 驅(qū)動(dòng)脈沖輸入負(fù)端 使用中通過一反相器接用戶脈沖形成電路的輸出
          2 VIN+ 驅(qū)動(dòng)脈沖輸入正端 使用中通過一電阻接用戶脈沖形成部分電源
          5 GND 驅(qū)動(dòng)脈沖輸出地端 接驅(qū)動(dòng)脈沖輸出級電源地端,該端電位應(yīng)與用戶脈沖形成部分完全隔離
          6 VCC 驅(qū)動(dòng)功放級正電源端 接用戶提供的驅(qū)動(dòng)脈沖功放級正電源端
          7 Vout 驅(qū)動(dòng)脈沖輸出端 直接接被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極
          8 VEE 驅(qū)動(dòng)功放級負(fù)電源端 接用戶提供的驅(qū)動(dòng)脈沖功放級負(fù)電源端

          表1M57957L/M57958L的引腳說明

          圖1M57957L/M57958L的引腳排列示圖

          (原圖,未做格式轉(zhuǎn)換)

          圖2M57957L/M57958L的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理圖

          圖3M57957L與M57958L的典型應(yīng)用接線圖

          圖4M57957L與M57958L的典型工作波形

          3主要設(shè)計(jì)特點(diǎn)、極限參數(shù)、電參數(shù)及推薦工作條件

          3?1主要設(shè)計(jì)特點(diǎn)

          (1)功耗較小,可以采用密集型的單列直插式厚

          膜電路封裝;

          (2)單電源工作,供電極為簡化;

          (3)外接串聯(lián)電阻可輸入CMOS信號,輸入信號

          與TTL電平兼容;

          (4)內(nèi)置高速光電耦合器,可隔離2500V、50Hz

          的交流電壓。

          3?2極限參數(shù)、電參數(shù)及推薦工作條件

          M57957L與M57958L的極限工作參數(shù)如表2所列。

          表2M57957L/M57958L的極限參數(shù)(Ta=25°C)

          符號 參數(shù) 測試條件 極限值 單位
          VCC 電源電壓 直流 18 V
          VEE -12 V
          VI 輸入電壓 加于引腳①-②之間 -1~+7 V
          V0 輸出電壓 高電平輸出電壓 VCC V
          IOHP 輸出電流 脈沖寬度2μs,f=30kHz -5 A
          IOLP +5 A
          IOH 直流 0.2 A
          Viso 絕緣電壓 正弦波電壓,60Hz,1分鐘 2500 V
          Tj 結(jié)溫   100
          Topr 工作溫度   -20~+70
          Tstg 貯存溫度   -25~+100
          M57957L與M57958L的電性能參數(shù)完全相同,該部分參數(shù)如表3所列。

          4應(yīng)用技術(shù)

          M57957L與M57958L的上述結(jié)構(gòu)和原理,決定了它可以用于單管IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)中。圖3給出了這種應(yīng)用的典型接線圖,圖4給出了其典型工作波形。

          表3M57957L與M57958L的電性能參數(shù)(Ta=25°C、VCC=15V、VEE=-10V)

          符號 參數(shù) 測試條件 參數(shù)規(guī)范 單位
          最小 典型 最大
          VCC 電源電壓 推薦值范圍 14 15 V
          VEE -9 -10 V
          VIN 輸入上拉電壓 推薦值范圍 4.75 5 5.25 V
          IIH 高電平輸入電流 VIN=5V,R=185Ω 16 mA
          VOH 高電平輸出電壓   13 14 V
          VOL 低電平輸出電壓   -8 -9 V
          tPLH “低電平→高電平”傳輸延遲時(shí)間 VIN=0→4VTj=100℃ 1 1.5 μs
          tr “低電平→高電平”傳輸上升時(shí)間 VIN=0→4VTj=100℃ 0.6 1 μs
          tPHL “高電平→低電平”傳輸延遲時(shí)間 VIN=5→0VTj=100℃ 1 1.5 μs
          tf “高電平→低電平”傳輸下降時(shí)間 VIN=5→0VTj=100℃ 0.4 1 μs

          應(yīng)注意的是,柵極串聯(lián)電阻Rext的值應(yīng)與在有關(guān)IGBT模塊數(shù)據(jù)表中推薦的柵極電阻值相同。

          5結(jié)語

          M57957L/M57958L內(nèi)部集成有可在輸入與輸出之間實(shí)現(xiàn)良好電氣隔離的光電隔離器,所以可對被驅(qū)動(dòng)的IGBT模塊實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)。M57957L可用來直接驅(qū)動(dòng)Vces=600V系列的電流容量在200A以內(nèi)的IGBT模塊及Vces=1200V系列的電流容量在100A以內(nèi)的IGBT模塊;而M57958L可用來直接驅(qū)動(dòng)Vces=600V系列的電流容量在400A以內(nèi)的IGBT模塊及Vces=1200V系列的電流容量在200A以內(nèi)的IGBT模塊。它們均采用雙電源驅(qū)動(dòng)技術(shù),輸入信號與TTL電平兼容,且采用單列直插式厚膜集成電路封裝。



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