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          智能型衛(wèi)星電源V-T曲線控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

          作者: 時(shí)間:2011-05-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          加快我國衛(wèi)星電源分系統(tǒng)數(shù)字化設(shè)計(jì),充分發(fā)揮數(shù)字電路體積小、重量輕、功耗低、適應(yīng)性強(qiáng)和可靠性高等優(yōu)點(diǎn),提高電源分系統(tǒng)的電能重量比,我們以單片機(jī)AT89s52和溫度傳感器DS18B20為核心,設(shè)計(jì)了一種智能型衛(wèi)星電源V-T曲線控制系統(tǒng)。

          衛(wèi)星電源分系統(tǒng)為整個(gè)衛(wèi)星正常運(yùn)行提供了穩(wěn)定的電源,它是衛(wèi)星電能產(chǎn)生、儲(chǔ)存、變換、調(diào)節(jié)、傳輸分配和管理的重要分系統(tǒng)。其通過物理和化學(xué)過程,將太陽的光能、核能或化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能,并根據(jù)需要對(duì)電能進(jìn)行存儲(chǔ)、調(diào)節(jié)和變換,然后向衛(wèi)星其他各分系統(tǒng)不間斷供電。我國的衛(wèi)星大都采用太陽能/蓄電池供電系統(tǒng)。蓄電池充電終壓控制采用電壓-溫度補(bǔ)償法,即V-T曲線控制。目前,常用的方法是利用熱電耦或鉑電阻作為蓄電池溫度傳感器,這種溫度補(bǔ)償?shù)挠布刂齐娐肥?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/模擬電路">模擬電路,已經(jīng)在我國各種型號(hào)的衛(wèi)星上獲得成功應(yīng)用。

          衛(wèi)星電源分系統(tǒng)

          某型號(hào)衛(wèi)星電源分系統(tǒng)工作原理框圖如圖1所示。

          圖1 衛(wèi)星電源系統(tǒng)原理

          該衛(wèi)星電源系統(tǒng)一次電源母線為全調(diào)節(jié)直流母線系統(tǒng),主要包括太陽電池陣、蓄電池組和電源控制器。在方案設(shè)計(jì)中,采用太陽電池供電陣、充電陣分陣設(shè)計(jì)。在光照期,太陽電池供電陣為母線長期負(fù)載供電,太陽電池充電陣對(duì)蓄電池組充電;在陰影期,由蓄電池組通過放電調(diào)節(jié)模塊為母線負(fù)載供電。當(dāng)光照期衛(wèi)星出現(xiàn)峰值負(fù)載,且太陽電池供電陣輸出功率不能滿足母線負(fù)載供電需求時(shí),由太陽電池充電陣經(jīng)放電調(diào)節(jié)器,為母線補(bǔ)充能量。在此基礎(chǔ)上,若太陽電池陣(供電、充電陣)功率還不足,由蓄電池組經(jīng)放電調(diào)節(jié)模塊補(bǔ)充供電,呈與太陽電池陣聯(lián)合供電工作模式。充電陣為負(fù)載供電優(yōu)于為蓄電池組充電,供電陣只有當(dāng)太陽電池陣輸出電能富裕,才通過分流模塊調(diào)節(jié)太陽電池陣輸出富裕的功率,卸放掉多余的電流,保持一次電源母線輸出的穩(wěn)定。因此,衛(wèi)星在光照期和陰影期,電源系統(tǒng)的母線輸出電壓,均保持在一個(gè)穩(wěn)定的范圍內(nèi)。

          V-T曲線控制原理

          圖1中的鎘鎳蓄電池組失效方式有泄漏、開路、短路和性能衰減等。在這些失效方式中開路失效出現(xiàn)的可能性非常小,主要存在裝配過程的機(jī)械損傷和質(zhì)量控制出問題,通過加強(qiáng)質(zhì)量控制和檢驗(yàn)工作可以避免這種致命的失效。鎘鎳蓄電池組經(jīng)長期使用,最主要的失效表現(xiàn)就是性能衰減。因此,在使用時(shí)采用電壓溫度補(bǔ)償下的充電控制方式,并由星務(wù)計(jì)算機(jī)參與控制管理,整個(gè)壽命期設(shè)置多條硬件控制V-T曲線和多點(diǎn)充放電比選擇,可根據(jù)衛(wèi)星運(yùn)行狀態(tài)和蓄電池使用情況,通過遙控選擇相應(yīng)的補(bǔ)償曲線,保證鎘鎳電池組工作處于良性循環(huán)。

          V-T曲線控制關(guān)系為:V=(Vs-kT)×N

          式中,Vs為電壓狀態(tài)值,T為溫度;k為溫度系數(shù);N為補(bǔ)償系數(shù)。

          當(dāng)溫度T上升,電壓V下降,表明當(dāng)蓄電池升高時(shí),需要調(diào)節(jié)充電電壓使溫度降低,這就是V-T曲線補(bǔ)償。采用V-T曲線跟蹤補(bǔ)償方案控制蓄電池充電終止電壓,通過測(cè)量蓄電池組端電壓和單體溫度,根據(jù)預(yù)設(shè)的溫度補(bǔ)償電壓曲線確定充電結(jié)束狀態(tài)。同時(shí),充電器內(nèi)部設(shè)有保護(hù)性充電終止電壓控制,在電源控制計(jì)算機(jī)出現(xiàn)故障時(shí),可以停止蓄電池充電,保證蓄電池組安全。

          數(shù)字溫度傳感器DS18B20

          DS18B20是美國DALLAS公司繼DS1820之后推出的增強(qiáng)型單總線數(shù)字溫度傳感器。它在測(cè)溫精度、轉(zhuǎn)換時(shí)間、傳輸距離、分辨率等方面較DS1820有了很大的改進(jìn)。

          1 DS18B20的特點(diǎn) ds18b20電路圖

          ● 單線制接口方式,僅需要一根信號(hào)線與CPU連接,傳送串行數(shù)據(jù),不需要外部元件。
          ● 每個(gè)芯片有惟一編碼,多個(gè)DS18B20可以并聯(lián)在惟一的單線上,實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)溫。
          ● 測(cè)溫范圍為-55~+125℃,分辨率的默認(rèn)值12位。
          ● 測(cè)溫結(jié)果的數(shù)字量位數(shù)為9~12位,可編程選擇。
          ● 既可用數(shù)據(jù)線供電,也可用外部的電源(3.0~5.5V)供電。

          2 DS18B20的結(jié)構(gòu)及功能

          DS18B20采用3腳PR-35封裝或8腳SOIC封裝。其內(nèi)部主要包括寄生電源、溫度傳感器、64位激光ROM、高速暫存器,存儲(chǔ)用戶設(shè)定溫度上下限值的TH和TL觸發(fā)器、存儲(chǔ)與控制邏輯、8位循環(huán)冗余校驗(yàn)碼發(fā)生器等七部分。

          其中,ROM由64位二進(jìn)制數(shù)字組成,由廠家光刻,共分為8字節(jié),字節(jié)0的內(nèi)容是該產(chǎn)品的廠家代號(hào)28H,字節(jié)1~6的內(nèi)容是48位器件序列號(hào),字節(jié)7是ROM前56位的校驗(yàn)碼。每個(gè)DS18B20的64位序列號(hào)均不相同,它可以看做是該DS18B20的地址序列碼。ROM的作用是使每一個(gè)DS18B20的作用都不相同,這樣,就可以實(shí)現(xiàn)一根總線掛接多個(gè)DS18B20的目的。

          3 DS18B20的工作時(shí)序

          根據(jù)DS18B20的通信協(xié)議,主機(jī)控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過如下步驟。每一次讀寫之前都要對(duì)DS18B20進(jìn)行復(fù)位,復(fù)位成功后發(fā)送一條ROM指令,再發(fā)送RAM指令。每一步操作必須嚴(yán)格按照時(shí)序規(guī)定進(jìn)行。

          4 DS18B20使用中注意事項(xiàng)

          復(fù)位命令要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500μs,然后釋放。DS18B20收到信號(hào)后等待16~60μs左右,然后發(fā)出60~240μs的存在低脈沖,主CPU收到此信號(hào)則表示復(fù)位成功。由于DS18B20與微處理器間采用串行數(shù)據(jù)傳送,在對(duì)DS18B20進(jìn)行讀寫編程時(shí),必須嚴(yán)格地保證讀寫時(shí)序,否則將無法正確讀取測(cè)溫結(jié)果。

          一般,人們誤認(rèn)為在單總線上可以掛任意多個(gè)DS18B20,但實(shí)際應(yīng)用并非如此。若單總線上所掛DS18B20超過8個(gè)時(shí),則需要解決微處理器的總線驅(qū)動(dòng)問題。因此,在進(jìn)行蓄電池單體多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)要加以注意。

          連接DS18B20的總線電纜是有長度限制的。試驗(yàn)中,當(dāng)采用普通信號(hào)電纜傳輸長度超過50m時(shí),讀取的測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)將發(fā)生錯(cuò)誤。當(dāng)將總線電纜改為雙絞線帶屏蔽電纜時(shí),正常通信距離可達(dá)150m;當(dāng)采用帶屏蔽層且每米絞合次數(shù)更多的雙絞線電纜時(shí),正常通信距離進(jìn)一步加長,這種情況主要是由總線分布電容使信號(hào)波形產(chǎn)生畸變?cè)斐傻?。因此,在用DS18B20進(jìn)行長距離測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)要充分考慮總線分布電容和阻抗匹配問題。

          向DS18B20發(fā)出溫度轉(zhuǎn)換命令后,程序總要等待DS18B20的返回信號(hào),一旦某個(gè)DS18B20接觸不好或斷線,將沒有返回信號(hào),程序進(jìn)入死循環(huán)。因而在進(jìn)行DS18B20硬件連接和軟件設(shè)計(jì)時(shí)也要給予一定的重視。

          V-T曲線控制系統(tǒng)數(shù)字電路設(shè)計(jì)

          1硬件設(shè)計(jì)


          選用美國Atmel公司增強(qiáng)型Flash單片機(jī)AT89s52作為主處理器以完成主要的測(cè)控任務(wù),其內(nèi)嵌8K Flash ROM,軟硬件上兼容AT89C52,但其最大的特點(diǎn)是集成了ISP接口,可直接在目標(biāo)板上進(jìn)行在系統(tǒng)編程,為用戶帶來了極大的方便。選用DS18B20作為溫度測(cè)量單元,單總線上掛接的DS18B20采用外接VCC方式而未用寄生供電,進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量。模數(shù)轉(zhuǎn)換采用AD574,精度12bit。系統(tǒng)硬件組成如圖2所示。

          圖2 V-T曲線控制系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)

          2軟件設(shè)計(jì)

          系統(tǒng)程序主要包括主程序、讀出溫度子程序、溫度轉(zhuǎn)換命令子程序、計(jì)算溫度子程序、顯示數(shù)據(jù)刷新子程序,等等。編程時(shí)必須嚴(yán)格按照DS18B20時(shí)序規(guī)定進(jìn)行。尤其需要注意的是,在多點(diǎn)溫度測(cè)量中,由于多個(gè)DS18B20掛在一條總線上,為了識(shí)別不同的器件,在系統(tǒng)安裝之前,應(yīng)將主機(jī)逐個(gè)與DS18B20掛接,讀出其序列號(hào)。數(shù)字V-T曲線控制系統(tǒng)主程序和測(cè)溫子程序分別如圖3、4所示。

          圖3 主程序

          圖4 測(cè)溫子程序

          結(jié)語

          應(yīng)用AT89s52單片機(jī)、DS18B20嵌入式數(shù)字溫度傳感器等設(shè)計(jì)了智能型V-T曲線充電控制系統(tǒng),進(jìn)行數(shù)據(jù)采集、計(jì)算和調(diào)節(jié)。試驗(yàn)結(jié)果表明,該控制系統(tǒng)達(dá)到了設(shè)計(jì)要求,實(shí)現(xiàn)了數(shù)字化的數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)處理和控制要求。與傳統(tǒng)的模擬硬件控制電路相比,很好地解決了衛(wèi)星電源分系統(tǒng)的小型化、高精度、高可靠性和低功耗等問題,該設(shè)計(jì)方案將廣泛應(yīng)用于我國的航天領(lǐng)域。



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