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          處理器的高效率電源管理設(shè)計

          作者: 時間:2011-05-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          預(yù)測到2010年,處理器將工作在1V和100A電流,到2020年希望處理器的電源電壓將是0.7V和更高電流。處理器工作在1V,100A(或更高)和GHz頻率時的高效電源管理成為設(shè)計人員面對的困難任務(wù)。

            設(shè)計人員可以提供低電壓、大電流微處理器電源。但增加高效率(90%或更高)的要求時,采用當(dāng)今的元件和技術(shù)可達(dá)到的效率為70%~80%。

            1 VRD配置

            VRD(Voltage regulator-down)配置把所有元件直接安裝在計算機(jī)母板上,為大部分處理器供電。大部分VRD有8位電壓識別(VID)碼,其8位輸入線直接連接到處理器的相應(yīng)8個VID引腳。在電壓穩(wěn)壓器根據(jù)感測器的微處理器VID碼,設(shè)置處理器所需的工作電壓。處理器也可以采用動態(tài)電壓識別來改變時鐘頻率和工作電壓,以響應(yīng)處理器的工作負(fù)載和熱響應(yīng)。

            Intel公司VRD11.0處理器電源供電設(shè)計指南中,為5個不同處理器給出所用電源設(shè)計指南為:

            ·最高電源電壓:1.4V~1.425V;

            ·最大電流:75A~125 A;

            ·在所有線路、負(fù)載和環(huán)境條件下,嚴(yán)格的輸出電壓調(diào)整±5%;

            ·非常低的紋波,通常小于10mVrmsp-p;

            ·效率75%~80%;

            ·快速瞬態(tài)響應(yīng),與微處理器時鐘頻率一致;

            ·過壓保護(hù);

            ·過流(短路)保護(hù);

            ·過溫保護(hù);

            ·功耗元件的熱管理;

            ·相當(dāng)小的封裝尺寸,使電源可以安置在靠近微處理器負(fù)載處。

            2 多相變換器

            可以滿足當(dāng)今處理器電源要求的唯一拓?fù)涫嵌嘞嚅_關(guān)模式變換器。這種變換器采用兩個或更多相同、組合單元,把這些單元輸出連接起來,其輸出是所有單元輸出的總和(圖1)。

            

          處理器的高效率電源管理設(shè)計

            圖1 四相電壓穩(wěn)壓器用分離的柵極驅(qū)動器、分立的功率MOSFETs和1個分離的PWM控制器,與微處理器連接靠8位VID碼

            為了理解多相變換器的優(yōu)點,首先看看單相變換器提供大電流和低電壓時的缺點。用一般單相變換器,其輸出汶波和動態(tài)響應(yīng)的改善是靠提高工作頻率。

            另外,在較高頻率時,輸出電感器和輸出電容器的物理尺寸和數(shù)值變小。在頻率達(dá)到一定限值后,變換器開關(guān)損耗增大,效率下降。這迫使在工作頻率和效率方面做設(shè)計折衷。

            為了克服這些單相頻率限制,多相單元工作在一個共同的頻率,但移相結(jié)果是變換開關(guān)發(fā)生在由共同控制芯片控制的規(guī)則間隔內(nèi)??刂菩酒诲e排列每個變換器的開關(guān)時間,所以,每個變換器開關(guān)之間的相位角是360?/n(n是變換器單元數(shù))。因為單元輸出是并聯(lián)的,所以,有效的輸出紋波頻率是nxf(f是每個單元的工作頻率)。這種方法具有較好的動態(tài)性能和顯著小的去耦電容(與單相系統(tǒng)相比)。

            單元的電流均分是必須的。因此,一個單元不能“霸占”大多數(shù)電流。理想情況是每個多相單元應(yīng)該消耗相同量的電流。為了實現(xiàn)相等電流均分,必須監(jiān)視和控制每個單元的輸出電流。

            多相變換器有幾個重要的優(yōu)點:每個單元提供總輸出功率的1/n,這使得每個相所用的電感器的尺寸數(shù)值變小;熱耗分布優(yōu)點,因為每個單元中的功率半導(dǎo)體只需要處理總功率的1/n,這降低了任何熱點溫度、增加了可靠性,并允許有較高的總功率性能。

            另外,等效頻率增高不會招致進(jìn)一步的開關(guān)損耗,這可以采用較小的等效電感,從而縮短負(fù)載瞬態(tài)周期時間。輸出電容器中降低的紋波電流使輸出紋波電壓變低,這可采用更小或更便宜的輸出電容器。

            在選擇相數(shù)時,應(yīng)考慮多相變換器的一些缺點。缺點1,需要較多的開關(guān)和輸出電感器,這會導(dǎo)致較高的系統(tǒng)成本;缺點2,需要更復(fù)雜的控制,這是因為有多個變換器單元,相互之間不均勻電流均分的可能性是可能的;缺點3,增加了電路布線的復(fù)雜性。

            隨著工作電流要求的增高,需要有更多的單元相。一個最佳的設(shè)計需要折衷考慮相數(shù)、每個相的電流、開關(guān)頻率、成本、尺寸的效率。更高的輸出電流和更低的電壓,需要更嚴(yán)格的輸出電壓調(diào)整。多相設(shè)計可采用幾種實用的方法。

            一種方法是采用帶集成MOSFET驅(qū)動器的PWM(脈寬調(diào)制)控制器IC。然而,片上柵極驅(qū)動器產(chǎn)生的熱和噪聲會影響控制器性能。級連這類芯片以增加更多相是不現(xiàn)實的。用這種配置實現(xiàn)精確的電流均分是困難的。這種方法3相是限制相數(shù)。

            另一種方法是采用分離的控制器和分離的柵極驅(qū)動器,使PWM控制器與柵極驅(qū)動器的熱和噪聲隔離。然而,電流均分會更復(fù)雜,因為電流感測信號路由到控制器。還有另外的控制器-驅(qū)動器延遲,這是因為它們是分離的IC。

            另一種方法是采用一個帶集成柵極驅(qū)動器和內(nèi)置同步和電流均分的控制器。這種方法只允許偶數(shù)相數(shù)。它簡化了設(shè)計,但可導(dǎo)致未用或多余硅片、引腳和外部元件。最重要的是片上所產(chǎn)生的驅(qū)動器熱和噪聲可能會降低控制器性能。

            所以,現(xiàn)有的方法在選擇相數(shù)中不能提供所需的自由度。理想的方法是一種可伸縮的拓?fù)?,它能容易地增加或去除任意多相單元,而且不影響性能。這種方法必須能夠在分布的相單元中相等地均分電流。這樣的技術(shù)使寄生效應(yīng)最小,并容易板布線。

            3 DrMOS

            配置一個減小尺寸、可伸縮多相變換器的一種方法是采用DrMOS(Driver-MOSFET)規(guī)范(Intel公司2004年11月提出)。DrMOS模塊包括驅(qū)動器和功率MOSFET(圖2),設(shè)計用于多相變換器。

            對于一個DrMOS器件采用多芯片模塊的一個主要優(yōu)點是,可以使單獨MOSFET性能最佳化。然而,多芯片模塊的元件成本高于等效的單片方案。盡管如此,設(shè)計人員應(yīng)從系統(tǒng)觀點看成本問題。

            Fairchild公司的FDMF8700是一款支持Intel的DrMOS Vcoredc-dc變換器標(biāo)準(zhǔn)、用于大電流同步降壓應(yīng)用的FET加驅(qū)動器的多芯片模塊。這是一個完全集成的功率級方案,采用8×8mm MLP封裝。它替代一個12V驅(qū)動器IC和3個N溝MOSFET,與分立元件方案相比,節(jié)省板空間50%。開關(guān)和驅(qū)動器管心的布線和尺寸是最佳化的,能工作在較高頻率。

            不象分立方案那樣,寄生元件與板布線一起顯著地降低了系統(tǒng)效率,F(xiàn)DMF8700模塊的熱和電氣性能,使寄生效應(yīng)最小,改善了總系統(tǒng)效率。在工作時,高端MOSFET對于快速開關(guān)是最佳的,而低端器件對于低RDS(ON)是最佳的。這種配置實現(xiàn)了變換12V總線到提供處理器芯核1.0V~1.4V(高達(dá)30A)電壓所需求的低占空比開關(guān)。

            Fairchild家族的DrMOS多芯片模塊包括FDMF6700,F(xiàn)DMF8704,F(xiàn)DMF8704和FDMF8705(見圖3)。

            

          處理器的高效率電源管理設(shè)計

            圖2 DrMOS模塊包含驅(qū)動器和功率MOSFETs??刂齐娐泛洼敵黾壘哂歇毩⒌牡?/P>

            Renesas Technology America公司的RZJ20602NP集成一個驅(qū)動器IC和高、低端功率MOSFET在56引腳QFN封裝中。這種第二代驅(qū)動器-MOSFET產(chǎn)品工作在高達(dá)2MHz開關(guān)頻率,其最大輸出電流為40A。工作在1MHz,VIN=12V,VOUT=1.3V時,最高效率接近87%。在25A輸出電流時,功耗只有4.4W。

            NXP公司的NXP PIP212-12M也滿足DrMOS規(guī)范。它由高端(控制FET)、低端(同步FET)和FET驅(qū)動器組成。它可以用做降壓穩(wěn)壓器構(gòu)建單元,每相大于30A電流、工作頻率高達(dá)1MHz。

            Semtech公司的SC2447是一款高頻率、雙相PWM降壓控制器,對于Philips和Renesas DrMOS是最佳的器件,適用于網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)電源。它采用固定頻率、連續(xù)導(dǎo)通峰電流模式的控制,具有良好的補(bǔ)償和快速瞬態(tài)響應(yīng)。它產(chǎn)生兩個獨立的180?異相、30A輸出。每個相具有單獨的閉環(huán)軟啟動和過載停機(jī)定時器。

            Intersil公司的ISL6307A控制微處理器芯核電壓調(diào)整(圖3)。微處理器負(fù)載可產(chǎn)生非常快沿率的負(fù)載瞬態(tài)。ISL6307A具有寬帶控制環(huán)和高達(dá)12MHz的紋波頻率,能為瞬態(tài)提供最佳響應(yīng)。ISL6307A利用專利技術(shù)感測電流,來測量低端MOSFET導(dǎo)通期間跨接在低端MOSFET的RDS(ON)或輸出電感器dc電阻(DCR)上的電壓。電流感測器為精確電壓降、通道電流平衡和過流保護(hù)提供所需的信號。可編程內(nèi)部溫度補(bǔ)償功能補(bǔ)償電流感測元件的溫度系數(shù)。

            

          處理器的高效率電源管理設(shè)計

            圖3 由4個Fair child FDMF 8704DrMOS模塊和1個分離的四相Intersil ISL8307A PWM控制器組成的簡化四相電壓穩(wěn)壓器電路



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