QPSK調(diào)制器

在蜂窩手機(jī)和其他數(shù)字的、便攜式、無線通信設(shè)備中，有三個參數(shù)越來越重要。低功率消耗和輕型電池給設(shè)備帶來自由移動的權(quán)力，更高的前端接受靈敏度增加了接收距離，更高的前端線性度對可容許的動態(tài)范圍具有直接的影響。隨著π/4DQPSK和8QAM這類非恒定能量調(diào)制方案的使用，上面三個參數(shù)的重要性越來越大。

SiGe (硅鍺)技術(shù)是最近的一項技術(shù)革新，能同時改善接收機(jī)的功耗、靈敏度和動態(tài)范圍。GST-3是新的基于硅鍺技術(shù)的高速IC處理工藝，其特點是具有35GHz的特征頻率(f_T)。下面的典型前端框圖(圖1)中給出了用硅鍺技術(shù)實現(xiàn)的混頻器和低噪聲放大器(LNA)可能達(dá)到的性能(1.9GHz)。

圖1. 典型的無線接收電路，包括低噪聲放大器和混頻器。

SiGe器件的噪聲性能

在下行鏈路中對噪聲系數(shù)的主要影響來自于LNA第一級晶體管輸入級產(chǎn)生的噪聲。噪聲系數(shù)(NF)是一個體現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)性能的參數(shù)，用來將實際網(wǎng)絡(luò)中的噪聲與通過理想的無噪聲網(wǎng)絡(luò)后信號中的噪聲進(jìn)行比較。具有功率增益G = P_OUT/P_IN的放大器或其他網(wǎng)絡(luò)的噪聲因數(shù)(F)可以表示為：

NF是從網(wǎng)絡(luò)輸入端到輸出端信號噪聲比(SNR)惡化程度的度量，一般以dB為單位: NF = 10log₁₀F，因此:

F = 輸入SNR/輸出SNR
= (P_IN/N_IN)/(P_OUT/N_OUT)
= N_OUT/(N_IN^. G)

我們只關(guān)心熱噪聲(也叫做約翰遜噪聲或白噪聲)和散粒噪聲(也叫做肖特基噪聲)。一個具體的雙極型晶體管高頻等效模型(Giacoleto模型，參見圖2)會幫助我們理解這個噪聲是如何產(chǎn)生的。這個模型還告訴我們硅鍺技術(shù)是如何降低LNA前端噪聲系數(shù)的。

圖2. 詳細(xì)的npn晶體管模型(Giacoleto模型)簡化了對頻率影響的分析。

硅鍺材料的熱噪聲和散粒噪聲

在一個溫度大于零(0°K)的導(dǎo)體內(nèi)，電荷載體的隨機(jī)運(yùn)動產(chǎn)生了隨機(jī)的噪聲電壓和電流。隨著導(dǎo)體溫度的升高這些電荷載體隨機(jī)運(yùn)動的速度會加快，也就提高了噪聲電壓。晶體管基區(qū)寄生電阻(Rbb′)產(chǎn)生的熱噪聲為Vn(f) = 4kTRbb′，其中Vn(f)是電壓噪聲譜密度，單位是V²/Hz，k是玻爾茲曼常數(shù)(1.38 . 10^-23 Joules/Kelvin)，T是以開爾文為單位的絕對溫度(°C + 273°)。

散粒噪聲是電荷載體的粒子特性的結(jié)果。半導(dǎo)體內(nèi)流動的DC電流通常被認(rèn)為在每一時刻都是恒定的，但是任何電流都是由一個個的電子和空穴的運(yùn)動所形成的。只有這些電荷載體所產(chǎn)生的電流的時間平均值才可以看做是恒定的電流。電荷載體數(shù)量的任何波動都會在那個時刻產(chǎn)生隨機(jī)的電流，這就是散粒噪聲。

基極電流中散粒噪聲的噪聲譜密度為 Inb(f) = 2qIb = 2qIc/β, 其中Inb是電流的噪聲譜密度，單位 I²/Hz，Ib是基極的直流偏置電流，q是一個電子的電量(1.6 . 10-19庫侖)，β是晶體管的DC電流放大系數(shù)。于是，晶體管輸入級產(chǎn)生的總噪聲譜密度是熱噪聲和散粒噪聲之和：

γn = 4kTRbb′ + R_SOURCE 2qIc/β

Maxim的新硅鍺工藝，GST-3，是在GST-2 (一種雙極型工藝，特征頻率達(dá)27GHz)的基礎(chǔ)上，通過在晶體管基區(qū)攙雜鍺發(fā)展而來的。其結(jié)果是Rbb'值得到了大幅度降低并且晶體管的β值顯著提升。與這兩個變化伴隨而來的是硅鍺晶體管更好的噪聲系數(shù)(與具有相同集電極電流的硅晶體管相比)。通常晶體管的噪聲系數(shù)表示為：

F = 1 + [ Vn²(f) / R_SOURCE + Inb²(f) x R_SOURCE ] / 4kT

對硅雙極型晶體管和硅鍺晶體管來說，上式都在R_SOURCE = Vn(f)/Inb(f)時噪聲系數(shù)最小。所以，具有與此值相近的源阻抗的LNA可以最大程度地體現(xiàn)硅鍺工藝的優(yōu)點。

在無線設(shè)計中另一個重要的問題是隨頻率的變化噪聲系數(shù)會變差。一般晶體管的功率增益大致符合圖3中上邊的曲線?？紤]一下圖2的晶體管等效電路，會覺得這條曲線并不新奇。實際上，那個等效模型就是一個每倍頻程增益下降6dB的RC低通濾波器。理論上共射極電路的電流增益(β)為1時(0dB)的頻率稱作特征頻率(f_T)。LNA的增益直接依賴于β，所以噪聲系數(shù)[F = N_OUT/(N_ING)]變差就是從增益逐漸變小開始的。

圖3. 硅鍺(SiGe)雙極型晶體管表現(xiàn)出高增益和低噪聲的特性。

為了看清楚GST-3硅鍺工藝是如何改善高頻段的噪聲系數(shù)的，考慮給晶體管的p型硅基區(qū)攙雜鍺，這會使穿過基區(qū)的能帶隙降低80mV至100mV，在發(fā)射區(qū)和集電結(jié)之間建立起強(qiáng)電場。這個電場使電子從基區(qū)迅速移動到集電區(qū)，縮短了載流子越過狹窄的基區(qū)所需的通過時間(t_b)。在其他條件不變的情況下，減小t_b會使f_T提高大約30%。

對于同樣面積的晶體管，硅鍺器件在達(dá)到給定的f_T標(biāo)準(zhǔn)時只需要GST-2器件所需電流的1/3到1/2。更高的fT降低了高頻噪聲，因為β在更高的頻率才會開始逐漸減小。

超低噪聲的硅鍺(SiGe)放大器(MAX2641)

基于硅鍺技術(shù)的MAX2641具有硅雙極型LNA不可比擬的優(yōu)點，硅雙極型LNA的NF在接近2GHz頻率時開始變差(例如，1GHz時1.5dB，2GHz時，2.5dB)。硅鍺器件的高反向隔離度使輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的調(diào)諧對輸出匹配網(wǎng)絡(luò)沒有影響，反之亦然。

硅鍺器件MAX2641最適合工作在1400MHz到2500MHz的頻率范圍內(nèi)，此時典型的性能是1900MHz時14.4dB增益，-4dBm輸入IP3(IIP3), 30dB的反向隔離, 1.3dB噪聲系數(shù)(見圖4)。MAX2641以6引腳SOT23封裝，使用單電源+2.7V至+5.5V供電，吸入電流3.5mA，內(nèi)部偏置。通常唯一需要的外部元件是一個兩元件輸入匹配電路，輸入輸出隔離電容及一個V_CC旁路電容。

圖4. 請注意這個硅鍺集成低噪聲放大器非常低的噪聲系數(shù)。

硅鍺器件的線性度

除了噪聲和帶寬，通信系統(tǒng)還受到信號失真的限制。系統(tǒng)的有效性依賴其動態(tài)范圍(系統(tǒng)可以高質(zhì)量處理的信號范圍)。動態(tài)范圍受噪聲系數(shù)的影響，其下限定義為靈敏度，上限定義為可接受的信號失真的最大幅度。實現(xiàn)最佳的動態(tài)范圍需要在功耗、輸出信號失真和相對于噪聲的輸入信號值之間權(quán)衡利弊。

典型的接收機(jī)框圖(圖1)顯示了LNA與混頻器的噪聲系數(shù)和線性度的重要性。因為LNA的輸入是直接從天線得來的非常弱的信號，所以NF是它的一項決定性的參數(shù)。對混頻器來說，其輸入是LNA輸出的被放大的信號，所以線性度是其最重要的參數(shù)。

輸出信號永遠(yuǎn)不會是輸入信號完全準(zhǔn)確的復(fù)制品，因為沒有完全線性的晶體管。輸出信號總是包含諧波，互調(diào)失真(IMD)和其他的寄生成分。在圖5中，P_OUT公式中第二項叫做二次諧波或二階失真，第三項叫做三次諧波或三階失真。它們的特點都是在下一級的輸入中出現(xiàn)由一個或兩個頻率的純正弦信號組成的信號，它們在頻率上緊鄰。例如，MAX2681的三階互調(diào)失真，就是包含1950MHz和1951MHz兩個頻率的-25dBm的信號。

圖5. 兩個頻率信號的測試描繪了諧波失真和互調(diào)失真的特性。

在頻域表示的P_OUT公式的圖形表明，輸出中包含基本的頻率ω1和ω2，二次諧波頻率2ω₁和2ω₂,三次諧波頻率3ω₁和3ω₂，二階互調(diào)產(chǎn)物IM2和三階互調(diào)產(chǎn)物IM3。圖5還說明在蜂窩手機(jī)和其他具有窄帶工作頻率的系統(tǒng)中(例如，頻率為幾十兆赫茲，頻率跨度小于一倍頻程)只有IM3的雜散信號(2ω₁ - ω₂)和(2ω₂ - ω₁)落在濾波器的通帶內(nèi)。結(jié)果造成了想得到的頻率為ω₁和ω₂的信號的失真。

在P_OUT公式中輸出功率的最低幾項中，系數(shù)K1A與輸入信號幅度成直接線性比例，K2A²與輸入幅度平方成正比，K3A³與輸入幅度立方成正比。于是，用對數(shù)座標(biāo)畫出的曲線就是以響應(yīng)的階數(shù)為斜率的直線。

二階和三階截點是常用的表示性能的參