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          TOP232-234 (TOPSwitch-FX)

          作者: 時間:2011-04-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          TOPSwitch-FX是與TOPSwitch一樣的集成式開關(guān)電源芯片,能將控制輸入電流轉(zhuǎn)換為高壓功率MOSFET的源漏輸出的占空比,正常工作情況下,功率MOSFET的占空比隨控制引腳電流的增加而線性減小,圖4所示。

          TOPSwitch-FX除了像三端TOPSwitch一樣,具備高壓啟動、逐周期流限、回露補償電路、自動重啟動、熱關(guān)斷等特性外,還綜合了許多能降低系統(tǒng)成本,提高電路性能和設(shè)計靈活性的附加功能,TOPSwitch-FX采用了專利高壓CMOS技術(shù),能以最高性價比將搞壓功率MOSFET和所有控制電路集成到一片集成電路中。

          TOPSwitch-FX增加了兩個用于實現(xiàn)某些新功能的端腳頻率(僅限于Y封裝)和多功能引腳。它們與源極引腳連接時,能使TOPSwitch-FX以TOPSwitch三端模式工作。即使在三端模式下工作,TOPSwitch-FX也能提供許多下述功能,而無需外加外圍元件:

          [1].集成完整的10ms軟啟動,削減啟動時的峰值電流和電壓并消除了大多數(shù)應(yīng)用中的輸出過沖。

          [2].DCmax可達78%,允許使用更小的輸入存儲電容,所需輸入電壓更低或提供的輸出功能更高。

          [3].最小的脈寬時以跳過周期實現(xiàn)調(diào)節(jié),能使空載功耗極低。

          [4].采用較高的130kHz開關(guān)頻率,可減小變壓器器尺寸,而且對EMI和效率幾乎沒有影響。

          [5].頻率抖動功能可降低EMI。

          [6].滯后過熱關(guān)斷功能確保它能從熱故障中自動恢復(fù),滯后時間較大,可防止電路板過熱。

          [7].采用缺省部分引腳和引線的封裝,能提供更大的漏極漏電距離。

          [8].絕對容差更小,溫度變化對開關(guān)頻率、流限和PWM增益的影響小。

          控制引腳工作原理

          控制引腳是接收電源和反饋組合電流的低阻抗節(jié)點,在正常工作期間,用并聯(lián)穩(wěn)壓器來分離反饋信號和電源電流。控制腳的電壓Vc是控制電路(包括MOSFET門驅(qū)動器)的電壓源,直接連接控制腳和源腳的外接旁路電容提供瞬時門驅(qū)動電流。連接到控制腳的全部電容也用于設(shè)定自動重啟動的定時,同時控制回路的補償。

          啟動時,經(jīng)整流后的直流高電壓加在漏極的引腳上,功率MODFET最初是關(guān)斷的,通過連接在漏極和控制腳之間的內(nèi)部高壓開關(guān)電流對控制腳上的電容進行充電。當(dāng)控制腳電壓Vc上升到較高的門限電壓5.8V時,控制電路被激活并開始進入軟啟動狀態(tài)。約10ms后,軟啟動電路使MOSFET的占空比從零逐漸上升到最大值。軟啟動過程結(jié)束時,如果沒有外部反饋/電源電流流入控制引腳,則高壓電流源關(guān)斷,控制腳上的電容開始通過控制電路內(nèi)部的內(nèi)阻放電。如果電源設(shè)計正確,而且不存在開路或輸出短路等故障時,在控制腳電壓放電到4.8V下限時電壓值(內(nèi)部電源欠壓鎖定門限值)之前,反饋回路閉合,提供控制引腳外部電流。當(dāng)外部注入的電流對控制腳充電到5.8V并聯(lián)穩(wěn)壓器電壓時,超過芯片所消耗的電流通過電阻RE分流到源極引腳,如圖2所示。流經(jīng)RE的電流控制功率MOSFET的占空比,實現(xiàn)閉合環(huán)路調(diào)節(jié),在初級反饋結(jié)構(gòu),并聯(lián)穩(wěn)壓器較低的輸出阻抗Zc決定誤差的增益??刂颇_的動態(tài)阻抗Zc外接電阻電容數(shù)值共同決定了電源系統(tǒng)的控制回路的補償量。

          當(dāng)出現(xiàn)開路或短路等故障而使外部電流無法注入控制腳時,控制腳上的電容開始放電,達到4.8V時激活自動重啟動電路而關(guān)斷功率MOSFET輸出,使控制電路進入低電流的待機模式,高壓電流源再次接通并對外接電容進行充電。內(nèi)部的滯后電源欠壓比較器通過使高壓電流源通斷來保持Vc值處于典型的4.8V—5.8V窗口范圍。自動再啟動電路具有一個八分頻計數(shù)器,它能阻止輸出級MOSFET再次導(dǎo)通,僅在計滿(S7)時才會接通輸出MOSFET。通過把自動再啟動占空比減小到典型值的4%,計數(shù)器能有效地限制TOPSwitch-FX的功耗,自動重啟動作用連續(xù)工作直至輸出電壓通過閉合反饋環(huán)路重新進入受控狀態(tài)為止。

          圖5注釋:[1]為上電狀態(tài)。[2]為正常工作狀態(tài)。[3]自動重啟動狀態(tài)。[4]電源關(guān)斷狀態(tài)。

          振蕩器

          內(nèi)部的振蕩器對內(nèi)部的電容在兩個設(shè)定的電壓值之間進行線性的充電和放電,以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器死區(qū)的鋸齒波電壓,并送往脈沖寬度調(diào)制器,在每個周期的始點,置位脈沖寬度調(diào)制器和電流限制閉鎖器。

          額定開關(guān)頻率選擇在132kHz,可使電源的效率最高,而低于150kHz電磁干擾頻率(EMI)亦使電源的電磁干擾最小。頻率引腳(僅限TO-220封裝)與控制腳短接時可使開關(guān)頻率減半為66kHz,這個特性在對噪聲敏感的視頻應(yīng)用或高效率的待機模式中非常有用。如果與源極引腳相接,則開關(guān)頻率為既定的132kHz。微調(diào)電流基準(zhǔn)可改進振蕩頻率的精度。為使EMI電磁干擾電平更低,開關(guān)頻率以250Hz速率(典型值)采用大約±4kHz抖動(頻率調(diào)制),如圖6所示。圖28中的測量值顯示了增加頻率抖動后對EMI的改善效果。

          脈沖寬度調(diào)制器

          脈沖寬度調(diào)制器提供電壓型控制環(huán),以驅(qū)動輸出級的MOSFET,其占空比與注入控制腳的電流成反比。參見圖4。該腳在RE兩端產(chǎn)生一個電壓誤差信號(參見圖2)通過一個典型截止頻率為7kHzRC網(wǎng)絡(luò)進行濾波,以降低電源電流中有MOSFET開關(guān)電磁噪聲的影響,經(jīng)濾波器輸出的誤差信號與內(nèi)部振蕩器的鋸齒波相比較,產(chǎn)生一定占空比的波形。當(dāng)控制電流增大時,戰(zhàn)績空比減小。由振蕩器產(chǎn)生的時鐘信號置位一關(guān)寄存器,從而關(guān)斷MOSFET輸出級。

          最大占空比DCmax為固定的78%(典型值),如圖8所示。當(dāng)多功能引腳通過適當(dāng)?shù)碾娮枧c直流高壓正線相連時,隨輸入電增加,最大占空比可以從78%降至38%(典型值)。
          最小占空比和跳過周期

          控制引腳是接收電源和反饋組合電流的低阻抗節(jié)點,在正常工作期間,用并聯(lián)穩(wěn)壓器來分離反饋信號和電源電流??刂颇_的電壓Vc是控制電路(包括MOSFET門驅(qū)動器)的電壓源,直接連接控制腳和源腳的外接旁路電容提供瞬時門驅(qū)動電流。連接到控制腳的全部電容也用于設(shè)定自動重啟動的定時,同時控制回路的補償。

          啟動時,經(jīng)整流后的直流高電壓加在漏極的引腳上,功率MODFET最初是關(guān)斷的,通過連接在漏極和控制腳之間的內(nèi)部高壓開關(guān)電流對控制腳上的電容進行充電。當(dāng)控制腳電壓Vc上升到較高的門限電壓5.8V時,控制電路被激活并開始進入軟啟動狀態(tài)。約10ms后,軟啟動電路使MOSFET的占空比從零逐漸上升到最大值。軟啟動過程結(jié)束時,如果沒有外部反饋/電源電流流入控制引腳,則高壓電流源關(guān)斷,控制腳上的電容開始通過控制電路內(nèi)部的內(nèi)阻放電。如果電源設(shè)計正確,而且不存在開路或輸出短路等故障時,在控制腳電壓放電到4.8V下限時電壓值(內(nèi)部電源欠壓鎖定門限值)之前,反饋回路閉合,提供控制引腳外部電流。當(dāng)外部注入的電流對控制腳充電到5.8V并聯(lián)穩(wěn)壓器電壓時,超過芯片所消耗的電流通過電阻RE分流到源極引腳,如圖2所示。流經(jīng)RE的電流控制功率MOSFET的占空比,實現(xiàn)閉合環(huán)路調(diào)節(jié),在初級反饋結(jié)構(gòu),并聯(lián)穩(wěn)壓器較低的輸出阻抗Zc決定誤差的增益??刂颇_的動態(tài)阻抗Zc外接電

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