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          LDO集成電路穩(wěn)壓器的分類及應用

          作者: 時間:2011-03-31 來源:網(wǎng)絡 收藏

          LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器,它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點在于,LDO是一個自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)。LDO按其靜態(tài)耗流來分,分為OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品。OmniPowerTM LDO的靜態(tài)電流在100mA-1mA,MicroPowerTM LDO的靜態(tài)電流在10mA-100mA,NanoPowerTM LDO的靜態(tài)電流小于10mA,通常只有1mA。OmniPowerTM LDO 是一種靜態(tài)電流稍大但性能優(yōu)于三端穩(wěn)壓器的新型線性穩(wěn)壓器,適用于使用AC/DC固定電源的所有電子、電器產(chǎn)品。因其需求量大,生產(chǎn)量大,而生產(chǎn)成本極低,價格十分便宜。MicroPowerTM LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,它具有極低的自有噪音和較高的電源紋波抑制(PSRR),具有快捷的使能控制功能,給它一個高或低的電平可使它進入工作狀態(tài)或睡眠狀態(tài),具有最好的性能/功率比,適用于在需要低噪音的手機電源中使用。NanoPowerTM LDO 是一種毫微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,具有極低的靜態(tài)電流,穩(wěn)壓十分精確,最適用于需要節(jié)電的手提電子、電器產(chǎn)品。

          LDO的結構
          LDO的結構是一個微型的片上系統(tǒng),它由作電流主通道的、具有極低在線導通電阻RDS(ON)的MOSFET、肖特基二極管、取樣電阻、分壓電阻、過流保護、過溫保護、精密基準源、差分、延遲器、POK MOSFET 等專用晶體管電路在一個芯片上集成而成。
          POK(Power OK)是新一代LDO都具備的輸出狀態(tài)自檢、延遲安全供電功能,也有稱之為Power good即“電源好”。

          LDO工作原理及效率
          LDO 的工作原理是通過負反饋調整輸出電流使輸出電壓保持不變。
          LDO是一個步降型的DC/DC 轉換器,因此Vin > Vout,它的工作效率:
          LDO的效率一般為60-75%,靜態(tài)電流小的效率會好一些。

          LDO選擇原則
          當所設計的電路要求分路電源具有下列特點時:
          ● 低噪音、高紋波抑制;
          ● 占用PCB板面積小(如手機、手持電子產(chǎn)品);
          ● 電路電源不允許使用電感器(如手機);
          ● 電源需要具有瞬時校準和輸出狀態(tài)自檢功能;
          ● 要求穩(wěn)壓器低壓降、自身低功耗;
          ● 線路要求低成本和簡單方案;
          此時,選用LDO是最確當、最實用、最方便、最經(jīng)濟的。

          LDO應用簡介
          LDO的應用電路十分方便簡單,工作時僅需要二個作輸入、輸出電壓退耦降噪的陶瓷電容器。
          Vin和Vout的輸入和輸出濾波電容器,應當選用寬范圍的、低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低價陶瓷電容器,使LDO在零到滿負荷的全部量程范圍內穩(wěn)壓效果穩(wěn)定。
          一些LDO有一個Bypass附加腳,由它連接一個小的電容器,可以進一步降低噪音。
          電容器的選擇關系到設計產(chǎn)品的質量和成本,電容器的電容值、電介質材料類型、物理尺寸、等效串聯(lián)電阻(ESR)等這些重要參數(shù)都是設計工程師所要考慮的。在LDO使用電路的設計中,陶瓷電容器是最好的選擇,因為陶瓷電容器無極性和具有低的ESR,典型值100mW,電容器的ESR對輸出紋波有重大影響,而ESR受電容器的類型、容量、電介質材料和外殼尺寸影響,如常用的貼片電容器X7R 電介質是最好的,但使用成本略高,X5R 電介質較好,性能/價格比適宜,而Y5V電介質較差,但成本較低。
          LDO在PCB板上的工藝走線十分重要,當工藝走線不良和靠近RF線時降噪性能會受影響。濾波電容器匯入地節(jié)點選擇不良時,由負載返回地的電流中,噪音和紋波都會增加。在通常的布線設計中常常遇到此類情況。如將此布線線路優(yōu)化,則可在由負載返回地的電流中,噪音和紋波都降至最小。理想的PCB板布線設計是接地點盡可能的粗短和走捷徑,走線一定要考慮各個器件間的干擾和輻射,器件的合理排列可有利于有效地減少各個器件間的相互干擾和輻射,如圖 6所示。
          新一代的LDO都是用CMOS工藝生產(chǎn)的,它和使用Bipolar工藝生產(chǎn)的LDO功能上沒有多大的區(qū)別,可是靜態(tài)電流、壓降、噪音和成本等的內在性能有很大的提高(表 1)。

          AATI LDO的優(yōu)點
          美國研諾邏輯科技有限公司(AATI)利用CMOS技術生產(chǎn)性能優(yōu)秀的LDO,如適用于手機、手持通信產(chǎn)品的低噪音MicroPowerTM LDO AAT3215/150mA、AAT3236/300mA,具有高性能快速功率開關功能的AAT3218/150mA、AAT3238/300mA,具有POK功能的AAT3216/150mA、AAT3237/300mA;適用于PDA、eBook、DSC、手持電子產(chǎn)品的極低靜態(tài)電流NanoPowerTM LDO AAT3220/21/22/150mA,具有POK功能的AAT3223/250mA。適用于AC/DC固定電源的OmniPowerTM LDO AAT3219/3200/3201/150mA。LDO的封裝除了現(xiàn)有的SOT23的小封裝外,還有AATI獨創(chuàng)專利的寬體、J腳SC70JW超小尺寸封裝,適用于表面貼裝,在PCB板上所占空間很小,SC70JW封裝使晶片占空比達42%,占用PCB面積僅4.2平方毫米,芯片抬起安裝可利用空氣受熱自然流動散熱和多3個腳接地可充分利用PCB板散熱。



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