基于MAX8570的OLED電源偏置電路設計

引言

oled（有極發(fā)光二極管），也稱為oel（有機電致發(fā)光器件）。這種器件具有自發(fā)光、清晰亮麗、輕薄、響應速度快、視角寬、低功耗、成本低廉、制造工藝簡單等特點，問世以來一直被視為是繼lcd之后最看好的顯示器。目前，在蜂窩式移動電話、個人助理（pda）、數(shù)碼相機等領域中，oled得到了廣泛的應用，但是oled對電源偏置電路的要求非常嚴格，一般需要效率高、體積小、重量輕的升壓變壓器，這種升壓變壓器還應具有良好的電磁兼容性。

max8570是maxim公司推出的oled升壓變壓器專用芯片。它不僅設計先進、功能完善、而且外圍電路簡單、使用非常靈活、是目前設計oled電源偏置電路的一種理想器件。

max8570變換器的特點及工作原理

◇ max8570變換器的特點

max8570變換器主要特點如下：

（1）該芯片將功率mosfet、節(jié)能電路、控制邏輯電路以及保護電路集成在一起，從而簡化了外圍電路的設計，降低成本、增強系統(tǒng)的可靠性；

（2）工作頻率高達800khz，允許使用微型表貼元件；

（3）超低功耗：靜態(tài)電流為25ma，在true shutdowntm模式下，消耗電流低至0.05μa（典型值）；

（4）開路保護，能防止輸出電容和負載損壞；

（5）允許采用鋰電池供電，輸出電壓最高可達20v，可滿足oled電源偏置電路的高電壓要求。

◇ 工作原理

（1）控制方式

圖1所示是max8570的內(nèi)部結構框圖。當max8570上電時，其芯片內(nèi)部的p溝道m(xù)osfet導通，電源電壓vcc經(jīng)電感l(wèi)1分成兩路：一路送至內(nèi)部n溝道m(xù)osfet的漏極，另一路經(jīng)vd1向c4充電。當n溝道m(xù)osfet導通時，流經(jīng)l1中的電流從零逐漸增大，同時將電能儲存在l1中，一旦電流達到極限值，n溝道m(xù)osfet將關斷，l1中的電流經(jīng)vd1對負載供電。該方式中的開關頻率將隨負載和電源電壓的大小而變化，最高可達800khz。

（2）關斷（shdn）

將shdn引腳拉至低電平，器件將進入true shutdowntm模式（關斷狀態(tài)），在true shutdowntm模式下，電路的消耗電流低至0.05μa，輸出端與輸入端斷開，lx引腳處于高阻狀態(tài)，在傳統(tǒng)升壓變換器電路中，變換器在關斷時，輸出端與輸入端將始終通過電感和續(xù)流二極管連接，以使負載從輸入端吸取一定功率。max8570變換器具備真關斷功能，在true shutdowntm模式下，它會利用一只p溝道m(xù)osfet開關來斷開輸入端與輸出端，從而消除關斷時從輸入端吸取的功率。

（3）單獨給電感供電

該ic與電感可單獨供電，電感電源電壓范圍為0.8-28v，圖2所示是單獨給電感供電的應用電路，這種電路結構應將sw引腳懸空，使電源直接接電感，此后輸出端與輸入端在關斷時不再斷開，但關斷時，輸出電壓將比電感電源電壓低一個二極管的壓降。

（4）軟啟動

在使用true shutdowntm功能時，電路會緩慢開啟內(nèi)部p溝道開關的柵極，待完全打開sw后，內(nèi)部n溝道開關才開始導通，這樣可以避免產(chǎn)生浪涌電流，當vfb低于0.5v時，內(nèi)部n溝道開關的關斷時間將從1μs延長至5μs，以對浪涌電流進行控制。

（5）開路保護

當上端反饋電阻或外部二極管發(fā)生開路故障時，max8570變換器將立即停止開關動作，以避免輸出電壓過高而損壞輸出濾波電容和負載。

oled電源偏置電路的設計

◇ 極限電流值的設置

設計時，可根據(jù)下面公式來估算所需要的極限電流值：

式中，pout（max）為負載最大功率；vbatt（min）為最小電源電壓；pout（max）為變換器最高輸出電壓。

◇ 輸出電壓設置

max8570的輸出端與gnd之間連接了一個電阻分壓器，其中間點接fb的分壓比決定了輸出電壓（電壓調(diào)節(jié)范圍為vcc-28v），若r2的取值范圍為10-600kω，那么可根據(jù)下式計算r1：

式中，vfb為1.266v；vout的取值在vcc到28v之間，設計時，為提高輸出電壓的精度，應保證流過反饋電阻的最小偏置電流為2μa。

◇ 電感的選擇

電感是升壓變換器的關鍵元件，其取值大小直接影響著整個電路的正常工作。如果需要追求高效能，最好選擇電感量較小的電感，但max8570工作在較低的頻率下時，電感會產(chǎn)生磁飽和現(xiàn)象，從而引起紋波電流增大或損壞電感，故在選擇電感時，需要根據(jù)輸出電流、max8570的工作頻率電感的直流電阻、電感的額定電流和紋波電壓等條件來綜合決定，這里推薦電感值的范圍為10-100μh。

◇ 二極管的選擇

二極管的開關損耗占系統(tǒng)損耗的六分之一到五分之一，是影響升壓變換器效率的主要因素，包括正向?qū)〒p耗和反向恢復損耗，推薦使用具有快速恢復時間及正向壓降較小的肖特基二極管，其額定電流值應大于峰值開關電流值，反向擊穿電壓應大于輸出電壓。常用的肖特基二極管有mbr0520、mbr0530、zhcs400等。

◇ 電容的選擇

輸出電容既能維持輸出電壓，也能平滑因mosfet開關產(chǎn)生的紋波電壓（在n溝道m(xù)osfet導通時，由輸出電容向負載供電）。因此，在保證足夠帶寬的前提下，應選擇esr（串聯(lián)等效電阻）其esl（串聯(lián)等效電感）較小、耐壓值較高的輸出電容，例如x5r或x7r介質(zhì)材料的陶瓷電容，在大多數(shù)應用電路設計中其容量可取1μf。

輸入電容主要用于濾除電源中的紋波電壓，建議采用x5r或x7r介質(zhì)材料的陶瓷電容，其電容容量取值可在1-6.8μf之間選擇。

在mx85701輸出與fb之間增加一只反饋電容，可改善輸出電壓的穩(wěn)定性，推薦使用一只47pf的陶瓷電容。

◇ 印刷線路板布局注意事項

max8570變換器的印刷線路板在布局時要注意以下幾點：

（1）輸入電容與輸出電容應盡可能靠近芯片的相應管腳放置，以減小分布電容和分布電感的影響，提高抑制紋波電壓的能力。

（2）反饋端的分壓電阻r1、r2應靠近芯片放置，以保證分壓點到fb引腳的走線最短。反饋信號要遠離sw到lx支路之間的走線，以防止產(chǎn)生耦合噪聲。

（3）電感應盡量接近sw和lx引腳，并確保主回路的走線短而粗，以減小對外輻射。

主動矩陣oled電源偏置電路設計實例

oled分為主動矩陣（amoled）和被動矩陣oled（pmoled）主動矩陣oled電源偏置電路除了向oled提供正電壓之外，還需要利用反相器提供負電壓，采用max8570設計的oled電源偏置電路如圖3所示，該電路通過一個二極管和電容電荷泵可產(chǎn)生負輸出電壓，其電壓副值比正輸出電壓的副值小一個正向二極管的壓降，如果正輸出端的負載很小或空載，則負輸出電壓會偏離其額定值，為了避免出現(xiàn)這樣情況，設計時可選擇阻值較低的反饋電阻（r1和r2）以確保輸出數(shù)百微安的電流。

結束語

max8570芯片的集成度很高，且不需要外置mosfet，這些特點大大簡化了外圍電路的設計，也為實現(xiàn)超薄oled顯示器的優(yōu)化設計創(chuàng)造了有利條件，本文根據(jù)max8570芯片的特性和原理設計了一款oled電源偏置電路，并給出了oled電源偏置電路的設計方法，同時還對其pcb板的布局、布線進行了分析說明，及oled電源偏置電路在數(shù)碼相機中得到了較好的應用，而且變換效率高、性能穩(wěn)定，工作可靠。