新穎的小功率集成的ACDC轉(zhuǎn)換器方案
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步,為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師、電路設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新提供了一個(gè)先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái),從而有許許多多新穎的、時(shí)尚的便攜式電子產(chǎn)品呈現(xiàn)在世人面前,像PDA、3G手機(jī)、各種個(gè)人電子醫(yī)療保健裝置以及層出不窮的游戲機(jī)等等。這些便攜式電子產(chǎn)品大多需要高檔的開(kāi)關(guān)電源來(lái)供電或充電,此外,還有許多先進(jìn)的便攜式儀器儀表,工控裝置乃至像剃須刀這樣的日常用具也需要開(kāi)關(guān)電源。正是在這種背景下,PHILIPS推出了STARplug電源IC產(chǎn)品系列。
該系列不但滿足了便攜式電子產(chǎn)品微功耗、高可靠、微小型化等要求,還滿足了使用安全性和環(huán)保的需求。
關(guān)于STARplug產(chǎn)品系列
STARplug有兩個(gè)系列,即TEA152X系列和TEA162X系列(見(jiàn)表1)。TEA152X系列是早在2000年9月問(wèn)世的,TEA162X系列則是對(duì)TEA152X系列的改進(jìn),并于2004年5月定型的,這兩者在框圖、電路結(jié)構(gòu)、外引線排列及絕大多數(shù)電參數(shù)都是相同的。所不同的僅在芯片內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)電流源上,TEA152X系列Icharge=1.5mA(典型值),TEA162X系列Icharge=500uA(典型值)。
STARplug采用多芯片結(jié)構(gòu)。所有控制部分用BiCMOS工藝集成在一個(gè)芯片上,而功率部分則用EZ-HV工藝做在另一個(gè)芯片上,然后在同一個(gè)基片上優(yōu)化組合而成。從制造工藝上看,飛利浦采用了先進(jìn)的全氧化隔離工藝(或稱介質(zhì)隔離工藝),因此其有以下特點(diǎn):
1. 可免除鎖定效應(yīng)(鎖定效應(yīng)是CMOS電路特有的一種失效模式);
2. 可以方便地在同一個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)模擬,數(shù)字和功率電路的集成;
3. 芯片面積也比標(biāo)準(zhǔn)的PN結(jié)隔離要小;
4. 漏電流極低,適于高溫環(huán)境下工作;
5. 寄生電容小,通過(guò)襯底產(chǎn)生的串?dāng)_和EMC的概率很??;
6. 抵御外部電火花及反極性的能力強(qiáng)。
這些都有利于支撐STARplug的高性能和高可靠性。
從電路設(shè)計(jì)上看,一個(gè)重要的特點(diǎn)是提出了谷值轉(zhuǎn)換的概念。
一般說(shuō)來(lái),功率MOS管耗散的功率是開(kāi)關(guān)電源自身功耗的主要來(lái)源。它與電源的可靠性,穩(wěn)定性,效率都密切相關(guān)。功率MOS管的功耗通常由三部分組成:
1. MOS管截止時(shí)的功耗,即VDS為高電平的功耗:這個(gè)功耗主要由漏極D和源極S之間的漏電流來(lái)決定,與芯片制造工藝有關(guān),IDS(off)通常在微安量級(jí),因此這部分功耗極低,一般可以忽略。
2. MOS管導(dǎo)通時(shí)的功耗,即VDS為低電平時(shí)的功耗,這個(gè)功耗主要決定于漏極和源極之間的導(dǎo)通電阻RDS(on)。這與芯片設(shè)計(jì)的幾何參數(shù)有關(guān)。
3. MOS管動(dòng)態(tài)功耗,即MOS管由截止向?qū)ㄞD(zhuǎn)換,或由導(dǎo)通向截止轉(zhuǎn)換時(shí)的功耗。這個(gè)功耗可用下式計(jì)算:
飛利浦的電路設(shè)計(jì)師,分析了上述公式,認(rèn)識(shí)到要降低開(kāi)關(guān)電源的動(dòng)態(tài)功耗,只能由降低轉(zhuǎn)換時(shí)的VDS和負(fù)載下降時(shí)的f入手。通常VDS為380V左右,如果利用電路諧振將VDS于谷底(接近于0V)時(shí),使MOS管由截止進(jìn)入導(dǎo)通,則MOS管的動(dòng)態(tài)功耗將下降幾個(gè)數(shù)量級(jí)。為此,在電路設(shè)計(jì)上,加上了谷值檢測(cè)電路,一旦電路諧振,能正確地測(cè)出“谷底”,并在VDS進(jìn)入“谷底”之時(shí),在柵極G和源極S之間輸入經(jīng)PWM后的脈沖上升沿。
上個(gè)世紀(jì)90年代的PWM芯片,工作頻率f大多為固定頻率。為了降低功耗,特別是降低待機(jī)功率,STARplug采取了可調(diào)變頻率的靈活電路設(shè)計(jì)。用戶設(shè)定的頻率為滿載時(shí)的工作頻率。當(dāng)負(fù)載下降時(shí),工作頻率也相應(yīng)下降。從而保證了待機(jī)功耗低于100mW。
此外,STARplug系列芯片用高壓電流源來(lái)啟動(dòng),一旦IC進(jìn)入正常工作狀態(tài),則高壓電流源將自動(dòng)切斷,從而減少了電路的功耗。由此可知,電路的整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程。都貫徹了一條減少功耗的思想,正是因?yàn)楣β蔒OS管和控制部份都有效地大幅度地減少了功耗,因此就能夠?qū)⒐β势骷涂刂齐娐芳稍谝粋€(gè)封裝中,有效地減少了外圍元件。另外為了使電路能可靠地工作,還提供了完善的保護(hù)功能,包括了逐個(gè)周期過(guò)流保護(hù)、欠壓鎖定、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、繞組短路保護(hù)、退磁保護(hù)。
STARplug功能描述
1. STARplug的結(jié)構(gòu)
圖1是STARplug的內(nèi)部電路框圖。不難看出,圖中包括功率MOS管和控制電路兩大部分。功率MOS管主要用來(lái)實(shí)現(xiàn)功率的傳輸和轉(zhuǎn)換。而控制電路則肩負(fù)三大任務(wù):
1. 實(shí)現(xiàn)所有保護(hù)功能的快速反應(yīng)。
2. 谷值電平的準(zhǔn)確檢測(cè)。
3. 工作周期的控制(即PWM功能)。
圖1:STARplug內(nèi)部電路框圖。
過(guò)壓保護(hù)
在芯片的框圖中,雖然沒(méi)有為過(guò)壓保護(hù)設(shè)計(jì)專門的通道,但這個(gè)功能是存在的。在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,一旦產(chǎn)生過(guò)電壓,則必然將REG端的工作電平上拉,從而使初級(jí)繞組的工作行程 立即終止。只有當(dāng)過(guò)壓消除,REG端電壓恢復(fù)到正常值,功率MOS管才能正常開(kāi)關(guān)。
Starplug的應(yīng)用
前已述及,STARplug有兩種反饋方式,這兩種方式就構(gòu)成了STARplug作為反激式AC/DC轉(zhuǎn)換器的兩種典型應(yīng)用電路。
圖2是最簡(jiǎn)單最基本的應(yīng)用電路,其特征就是由變壓器的輔助繞組來(lái)反饋電網(wǎng)和負(fù)載的變化。
由圖2可見(jiàn),由整流橋和濾波器組成了電路的輸入部分,并通過(guò)變壓器初級(jí)繞組加到TEA162x的Drn端。顯然,TEA162x是整個(gè)轉(zhuǎn)換器的心臟,以下圍繞TEA162x分析一下圖2的各部分電路。
1. 由C3R2組成振蕩電路
振蕩電路元件的值是根據(jù)工作頻率來(lái)確定的,STARplug的開(kāi)關(guān)頻率可在10kHZ到200kHZ之間工作,通常工作頻率大都選在40~100kHZ之間。
頻率選定了,則可按下式來(lái)計(jì)算元件值:
振蕩器的充電時(shí)間tcharge,由STARplug的參數(shù)表中查出為1us。
至于RC的取值,可先選定C,然后再算R值,要保持電路的穩(wěn)定,電容C必須大于220pF,但從效率方面來(lái)考慮,頻率高時(shí)亦不宜將電容選得太大,例如200kHZ時(shí),C取10nF,則振蕩器的功耗達(dá)到12.5mW,這顯然是不可取的。
推薦實(shí)例:開(kāi)關(guān)頻率取100kHZ,這時(shí)振蕩器的時(shí)間常數(shù)為2.7us,C取330pF,R=7.5kΩ。
2. 過(guò)流保護(hù)和繞組短路保護(hù)電阻R3:
電阻R3設(shè)置了變壓器初級(jí)峰值電流,也設(shè)定了最大傳輸?shù)妮敵龉β剩娮鑂3的值可用下式計(jì)算:
由STAR plug的手冊(cè)可得知:
實(shí)例:一個(gè)3W的電源,開(kāi)關(guān)頻率為100kHZ,效率為75%,通過(guò)變壓器的峰值電流為230mA(反射電壓),則電阻R3設(shè)定為2Ω,限定峰值電流為250mA。
3. 穩(wěn)壓元件R4和R8:
在輔助繞組反饋的電路中,輸出電壓是受輔助繞組控制的。實(shí)際上在變壓器中所有繞組都有同一個(gè)磁通變量,次級(jí)輸出電壓和輔助電壓VCC是通過(guò)變壓器的匝數(shù)比Na/Ns而關(guān)聯(lián)的。VCC的電壓信息又通過(guò)一個(gè)電阻分壓器,即R4和R8提供給REG端的,因此,TEA162X直接穩(wěn)定了VCC的輸出電壓,間接的穩(wěn)定了輸出電壓。
這兩個(gè)電阻的值可由下式確定:
為防止瞬時(shí)高壓對(duì)REG的影響,推薦R4的值為3k-10kΩ之間。
4、退磁電阻R5:
這個(gè)電阻是用來(lái)限制流入Aux腿的電流的,根據(jù)產(chǎn)品的技術(shù)條件,流入Aux腿的最大電流為5mA,流出的最大電流為10mA,基于這點(diǎn),產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者給出了一個(gè)近似的估算式:
這個(gè)式子,不要從量綱上去考慮,僅作為一個(gè)經(jīng)驗(yàn)的估算法。
5、供電電路C5、R6、D8:
前已述及,芯片內(nèi)的高壓?jiǎn)?dòng)電流源對(duì)電容C5充電,當(dāng)充電電壓達(dá)到電路啟動(dòng)電壓9V以上時(shí),TEA162x進(jìn)行工作狀態(tài)。C5的值應(yīng)小1uF,實(shí)際上在所有的應(yīng)用中都選用470nF。
與輔助繞組相連的二極管只需選用普通二極管。
評(píng)論