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          意法半導(dǎo)體推出強電流、低壓降的絕緣柵雙極晶體管
          
						
          
				作者：電子設(shè)計應(yīng)用
				時間：2004-01-17
				來源：電子設(shè)計應(yīng)用
				
				
				
				
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			意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）日前在該公司先進(jìn)的絕緣柵雙極晶體管家族中推出了一個 在強電流時能夠保持正向壓降很低的200A的器件，這類器件屬于ST的絕緣柵雙極晶體管家族，能夠確保低導(dǎo)通電壓損耗而無需使用任何降低少數(shù)載流子壽命的重金屬摻雜或電子輻射。這些器件用于鋁焊接和感應(yīng)加熱設(shè)備，以及不間斷電源和開關(guān)式電源中。
          STGE200NB60S屬于ST的PowerMESH 絕緣柵雙極晶體管家族，采用一種條狀專利布局?！?網(wǎng)格覆蓋”技術(shù)是一種基于條狀物的新型高壓工藝，在絕緣柵雙極晶體管的N外延層擴散P型網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，然后，在P型網(wǎng)格層上直接擴散代替單元并代表器件發(fā)射極的N+條狀物。 S 后綴表示N溝道已經(jīng)在工作頻率最高10kHz時針對低導(dǎo)通壓降做過優(yōu)化處理。
          在工作溫度100°C，電壓600V，電流100A時，VCE(sat)不到1V。在工作溫度25°C，電流200A時，VCE(sat)在1.3V以下。
          這個器件的設(shè)計效率表明導(dǎo)通功耗降低了。這個器件采用了有利于安全的絕緣ISOTOP封裝。
          有關(guān)ST的STGE200NB60S器件的詳細(xì)資訊，請訪問：http://www.st.com/igbt
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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