三星推新DRAM芯片 手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存或?qū)⑸?GB

　　近日，三星宣布已經(jīng)制造出了業(yè)界首款8GbLPDDR4移動(dòng)芯片，該芯片不僅將比目前市面上的同類(lèi)產(chǎn)品運(yùn)行速度更快，而且體積更小能耗也更低。

　　該8GbLPDDR4芯片采用了20nm制程工藝，每塊芯片的內(nèi)存容量為1GB，這意味著2014年推出的智能手機(jī)如果能搭載四塊這樣的芯片話(huà)，那么將具有容量為4GB的RAM內(nèi)存。

　　三星電子內(nèi)存銷(xiāo)售及市場(chǎng)副總裁Young-HyunJun表示：“新一代LPDDR4DRAM將會(huì)在2014拉動(dòng)全球移動(dòng)DRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)，并且很快將占據(jù)DRAM市場(chǎng)的大部分份額。而三星也將繼續(xù)致力于移動(dòng)DRAM芯片的研發(fā)工作，從而使全球的OEM廠(chǎng)商能夠制造出性能更強(qiáng)大的移動(dòng)設(shè)備來(lái)滿(mǎn)足用戶(hù)的需求。”

　　據(jù)悉，與目前的LPDDR3芯片相比，三星推出的新款LPDDR4芯片將有50%的性能提升，而且能耗將下降40%。此外，這款LPDDR4芯片很可能將被使用在三星即將推出的配備2K屏幕的GalaxyS5旗艦機(jī)型上，而其3.2Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率是目前LPDDR3芯片的兩倍之多。三星曾在去年九月推出的GalaxyNote3上率先使用了3GB內(nèi)存，而僅僅半年之后，首款搭載4GB內(nèi)存的手機(jī)或許就將在MWC2014展會(huì)上正式亮相。