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          提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫(xiě)壽命的方法

          作者: 時(shí)間:2014-01-14 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          在嵌入式設(shè)計(jì)中,許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在 系列中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù), 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的 空間作為信息,可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),但是由于 與EEPROM 在上存在一定差距,所以在實(shí)際應(yīng)用中,這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)用筆記介紹了使用代碼區(qū)域Flash 來(lái)模擬EEPROM,通過(guò)一定的軟件處理算法,可以大大增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)周期的一種方法。本文給出了實(shí)現(xiàn)上述功能的軟件流程。

          1. 嵌入式Flash 存儲(chǔ)介質(zhì)與EEPROM 的主要特性對(duì)比

          電可擦除和編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)是在絕大多數(shù)嵌入式應(yīng)用中都會(huì)使用到的用于保存非易失性數(shù)據(jù)的關(guān)鍵器件,用于在程序運(yùn)行期間保存數(shù)據(jù)。Flash 閃存(Flash Memory,簡(jiǎn)稱為"Flash")是一種非易失性( Non-Volatile )存儲(chǔ)器,廣泛應(yīng)用于各種嵌入式處理器中,用于存儲(chǔ)程序代碼。

          由于硬件成本原因,在許多嵌入式處理器中并沒(méi)有集成EEPROM 模塊,通常我們可以采用在片內(nèi)Flash 存儲(chǔ)器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來(lái)達(dá)到使用要求。對(duì)一些普通的應(yīng)用場(chǎng)合,這種使用方式可以滿足要求。

          表一 EEPROM與Flash 對(duì)比分析

          提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫(xiě)壽命的方法

          1.1 寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間

          由于EEPROM 和Flash 的工作特性不同,所以寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間也不相同。Flash 具有更短的寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間,所以更適用于對(duì)存儲(chǔ)速度有要求的場(chǎng)合。

          1.2 寫(xiě)方法

          外置EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM的最大不同之處在于寫(xiě)的方法。

          EEPROM:對(duì)EEPROM 的寫(xiě)操作不需要額外的操作,只需要提供電源供給;但是一旦啟動(dòng)寫(xiě)操作流程后,寫(xiě)操作不能夠被打斷。所以需要外接電容器等措施來(lái)保證在芯片掉電時(shí)能夠維持供電,保證完成數(shù)據(jù)操作。

          Flash 模擬EEPROM:當(dāng)芯片上電后,寫(xiě)操作可以被電源掉電和芯片復(fù)位打斷。和EEPROM 相比,需要應(yīng)用設(shè)計(jì)者增加相關(guān)的處理來(lái)應(yīng)對(duì)可能存在的異常。

          1.3 擦寫(xiě)時(shí)間

          EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM在擦除時(shí)間上存在很大的差異。

          與Flash 不同,EEPROM 在進(jìn)行寫(xiě)操作之前不要擦除操作。由于Flash 需要幾個(gè)毫秒時(shí)間進(jìn)行擦除操作,所以如果在進(jìn)行擦除操作的過(guò)程中出現(xiàn)電源掉電的情況,需要軟件做相關(guān)的保護(hù)處理。為了設(shè)計(jì)一個(gè)健壯的Flash 存儲(chǔ)器的管理軟件,需要深入的了解和掌握Flash 存儲(chǔ)器的擦除過(guò)程特性。

          2. 增加Flash 模擬EEPROM 的方法

          可以根據(jù)用戶的需求采用不同的方法實(shí)現(xiàn)Flash 存儲(chǔ)器模擬EEPROM。

          2.1 虛擬地址加數(shù)據(jù)方案

          通常需要兩個(gè)頁(yè)以上的Flash 空間來(lái)模擬EEPROM。上電后,初始化代碼先查找出有效頁(yè),同時(shí)將另外一個(gè)頁(yè)初始化為擦除狀況,以提供字節(jié)寫(xiě)的能力,并用作備份和隨時(shí)準(zhǔn)備執(zhí)行寫(xiě)入操作。需要存儲(chǔ)EEPROM 的變量數(shù)據(jù)首先寫(xiě)入有效頁(yè),當(dāng)有效頁(yè)寫(xiě)滿后,需將所有數(shù)據(jù)的最后狀態(tài)保存到備份頁(yè),并切換到備份頁(yè)進(jìn)行操作。每一頁(yè)的第一個(gè)字節(jié)通常用來(lái)指示該頁(yè)的狀態(tài)。

          每個(gè)頁(yè)存在3 種可能狀態(tài):

          擦除態(tài):該頁(yè)是空的。

          已寫(xiě)滿數(shù)據(jù)狀態(tài):該頁(yè)已經(jīng)寫(xiě)滿數(shù)據(jù),準(zhǔn)備切換到下一個(gè)頁(yè)進(jìn)行操作。

          有效頁(yè)狀態(tài):該頁(yè)包含著有效數(shù)據(jù)并且標(biāo)示狀態(tài)尚未改變,所有的有效數(shù)據(jù)全部拷貝到了已經(jīng)擦除的頁(yè)。


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