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          Buddy算法在μC/OSII動態(tài)內(nèi)存管理改進方案中的應用

          作者: 時間:2013-10-15 來源:網(wǎng)絡 收藏


          圖3 改進方案中的內(nèi)存管理組織結構

          ② 首先初始化一個內(nèi)存控制塊結構數(shù)組struct OS_MEM [],其下標是內(nèi)存塊規(guī)模的對數(shù),引入結構數(shù)組的目的是在申請內(nèi)存塊時能夠快速定位,起到索引的作用。而內(nèi)存塊的實際大小為內(nèi)存塊規(guī)模與內(nèi)存塊粒度的乘積。然后將內(nèi)存塊按內(nèi)存塊規(guī)模從小到大掛到不同結構數(shù)組指向的鏈表上,并且保證初始化后同一鏈表上的內(nèi)存塊地址不連續(xù)。在申請內(nèi)存塊通過內(nèi)存控制結構數(shù)組的下標快速定位到內(nèi)存塊鏈表,查看內(nèi)存塊控制結構字段中OSMemFreeList成員指針是否為空。若不為空,則從表頭取一個內(nèi)存塊,并返回該內(nèi)存塊的地址;否則向后搜索數(shù)組,看是否有空閑內(nèi)存塊。若有則將該內(nèi)存塊一分為二,低地址的那塊分配給申請者,高地址的那塊則掛到前一個結構數(shù)組的表頭,以備其他申請者申請。同樣,釋放內(nèi)存塊時也是通過結構數(shù)組快速定位到具體結構數(shù)組,然后檢查該結構數(shù)組內(nèi)存塊鏈表中是否有和要釋放的內(nèi)存塊地址連續(xù)的內(nèi)存塊。若有,則合并兩內(nèi)存塊并掛到后一個結構數(shù)組,并檢查地址是否連續(xù),直至沒有為止;若無,則將該內(nèi)存塊掛到該內(nèi)存塊鏈表的表尾。改進后的內(nèi)存管理組織結構如圖3所示。

          4.2 具體改進措施

          ① 改進函數(shù)OS_MemInit(void)。此函數(shù)原來是初始化空閑內(nèi)存控制塊鏈表,改進后此函數(shù)用于初始化OS_MEM結構數(shù)組即可,根據(jù)OS_CFG.H文件中宏OS_MAX_MEM_PART來決定數(shù)組元素個數(shù)。

          ② 改進函數(shù)OSMemCreate(void *addr, INT32U nblks, INT32U granularity , INT8U *err)。根據(jù)Buddy的規(guī)則橫向創(chuàng)建內(nèi)存塊,每創(chuàng)建一個內(nèi)存塊就鏈到相應的結構體數(shù)組上,如圖3的Create Direction所示,這樣能保證每個結構數(shù)組上的相同大小的內(nèi)存塊地址不連續(xù),從而避免了所有內(nèi)存塊合并的現(xiàn)象。創(chuàng)建出來的內(nèi)存塊組織結構如圖3所示。

          ③ 改進函數(shù)OSMemGet(INT32U size, INT32U granularity, INT8U *err)。因為結構體數(shù)組名是在OS_CFG.H文件中宏定義的,所以本函數(shù)的參數(shù)只包括需求的內(nèi)存塊大小及內(nèi)存塊粒度即可。用內(nèi)存塊大小除以內(nèi)存塊粒度,首先判斷所得值是否為2的冪次,若是直接取對數(shù)即得結構數(shù)組的下標;若不是則取對數(shù)后向上取整。得到指定數(shù)組元素后若有內(nèi)存塊,取下一內(nèi)存塊然后指針下移,若無內(nèi)存塊則繼續(xù)搜索下一個結構數(shù)組。若該數(shù)組有空閑內(nèi)存塊則取將其平分為兩塊,一塊分配出去,一塊掛到前面結構數(shù)組鏈表。這樣一直搜索到最后一個結構數(shù)組,若一直無內(nèi)存塊,則報錯返回。

          ④ 改進函數(shù)OSMemPut(INT32U size, INT32U granularity)。如何取得結構數(shù)組下標值同OSMemGet()函數(shù)。在找到所要回收的結構數(shù)組后,判斷該數(shù)組內(nèi)存塊鏈表上是否有與要回收的內(nèi)存塊連續(xù)的地址。若有合并且掛到下一內(nèi)存塊結構數(shù)組內(nèi)存塊鏈表,這樣一直到最后一個結構數(shù)組,目的是為了保證有更大的內(nèi)存塊可滿足應用程序的申請,提高了內(nèi)存管理的可靠性。

          在改進以上函數(shù)的基礎上,還可以在申請內(nèi)存塊之前有選擇地使用OSMemQuery()查詢內(nèi)存中是否有滿足需要的內(nèi)存塊。如果沒有則作好相應的規(guī)避措施,進一步提高內(nèi)存管理的可靠性,使系統(tǒng)更穩(wěn)定。

          5 實驗結果及性能分析

          針對改進前后μC/OSII內(nèi)存管理策略的特點,設計一組具有代表性的測試用例來分析μC/OSII系統(tǒng)在改進前后內(nèi)存管理的可靠性和靈活性。實驗環(huán)境為ARM Develop Suit V1. 2及三星公司S3C2440微控制器,由于S3C2440片內(nèi)包含MMU模塊,所以需要將協(xié)處理器CP15的C1寄存器0位置0,以禁用MMU功能。

          假設兩種方案內(nèi)存初始化都創(chuàng)建了5個分區(qū),每個分區(qū)中所含內(nèi)存塊為10個,且這5個內(nèi)存分區(qū)中的內(nèi)存塊大小依次為16 B、32 B、64 B、128 B、256 B。原方案創(chuàng)建分區(qū)時要調(diào)用5次OSMemCreate()函數(shù),而改進方案只需調(diào)用一次。表1是申請內(nèi)存塊大小與兩種方案可以滿足的次數(shù)之間的關系。

          表1 申請內(nèi)存塊大小與兩種方案可以滿足的次數(shù)比較

          由表1的數(shù)據(jù)及圖4的對比曲線可看出,改進方案與原方案在可用內(nèi)存完全相同的情況下,使內(nèi)存的利用率大大提高。因為可靠性與可滿足次數(shù)正相關,而可滿足次數(shù)與曲線與坐標軸圍成的面積成正比,所以該面積與可靠性正相關。新方案曲線所圍圖形面積為12960,而原方案曲線所圍成的圖形面積為2400。所以新方案的可靠性將比原來方案提高大約4倍,而且申請內(nèi)存塊越小,可滿足次數(shù)越多,提高了內(nèi)存分配的靈活性。

          圖4 兩種方案可滿足次數(shù)對比曲線

          6 結語

          本文的創(chuàng)新之處在于針對μC/OSII在內(nèi)存管理可靠性不高、內(nèi)存塊分配不夠靈活的特點,借鑒思想,對其進行改進,形成了一種基于思想、高可靠性的內(nèi)存管理策略。實驗表明,新方案一次創(chuàng)建內(nèi)存區(qū),即可滿足內(nèi)存塊大小需求不均勻的場合,既提高內(nèi)存分配的靈活性,避免了大量內(nèi)碎片的產(chǎn)生,又增強了內(nèi)存分配的可靠性。因此,新方案在可靠性要求高的嵌入式系統(tǒng)中可以得到更好的應用。


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