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          AM30LV0064D在單片機(jī)系統(tǒng)中的典型應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2013-04-13 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            1 概述

            是AMD公司生產(chǎn)的一種新型非易失性。或非(NOR)結(jié)構(gòu)的FLASH具有高速的隨機(jī)存取功能,但成本較高;新的UltraNAND結(jié)構(gòu)的FLASH相對(duì)于NOR結(jié)構(gòu)的FLASH,具有價(jià)格低,容量特別大的優(yōu)勢(shì),支持對(duì)存儲(chǔ)器高速地連續(xù)存取。諞芯片工作電壓范圍在2.7~3.6V,特別適用于需要批量存儲(chǔ)大量代碼或數(shù)據(jù)的語(yǔ)音、圖形、圖像處理場(chǎng)合,在便攜式移動(dòng)存儲(chǔ)和移動(dòng)多媒體系統(tǒng)中應(yīng)用前景廣闊。

            2 工作原理與命令字設(shè)置

            采用與工業(yè)級(jí)NAND結(jié)構(gòu)兼容的UltraNAND結(jié)構(gòu),內(nèi)部包含1024個(gè)存儲(chǔ)塊(單元容量為8K字節(jié)+256字節(jié)緩存);存儲(chǔ)塊中的數(shù)據(jù)按頁(yè)存放,每頁(yè)可存儲(chǔ)512字節(jié),還有16字節(jié)緩存用作與外部數(shù)據(jù)交換時(shí)的緩沖區(qū),每塊共16頁(yè)。所以,主存儲(chǔ)區(qū)一共有16 384數(shù)據(jù)頁(yè),相當(dāng)于64 Mbit的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。

            的主要引腳定義:

            CE--片選使能輸入;

            ALE--地址輸入使能;

            CLE--命令字輸入使能;

            SE--緩沖區(qū)使能輸入,低電平有效;

            RE--讀使能輸入,低電平有效;

            WE--寫(xiě)使能輸入,低電平有效;

            WP--寫(xiě)保護(hù)輸入,低電平有效;

            RY/BY--內(nèi)部空閑/忙信號(hào)輸出;

            I/O7~0--8位數(shù)據(jù)輸入/輸出口;

            VCC--3.3V核心電源;

            VCCQ--I/O口電源;

            VSS--地。

            AM30LV0064D的讀、編程和擦寫(xiě)等操作都可以在3.3V單電源供電狀態(tài)下進(jìn)行,同時(shí)它提供的VCCQ引腳在接5V時(shí),I/O口可兼容5V電平。AM30LV0064D支持對(duì)主存高速地連續(xù)存取和編程操作,連續(xù)讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間可小于50ns/字節(jié)(隨機(jī)讀取數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間為7μs,所以連續(xù)讀取時(shí)第一個(gè)數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間也是7μs);對(duì)FLASH的編程是以頁(yè)為單位的,步驟是先寫(xiě)入數(shù)據(jù),再執(zhí)行編程命令,編程速度為200μs/頁(yè)(平均約400ns/字節(jié));芯片擦除操作以存儲(chǔ)塊為單位,擦除其中某一塊對(duì)其它存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)沒(méi)有影響,擦除時(shí)間2ms/存儲(chǔ)塊,而且還有延緩擦降/得擦除命令,允許用戶在必要時(shí)暫緩擦除操作,轉(zhuǎn)而處理對(duì)其它存儲(chǔ)塊進(jìn)行數(shù)據(jù)讀、寫(xiě)、編程等操作;此外,主機(jī)可以通過(guò)讀RY/BY引腳狀態(tài)的方法了解FLASH內(nèi)部操作是否已經(jīng)完成,RY/BY也可用于實(shí)現(xiàn)硬件判忙接口。AM30LV0064D還具有寫(xiě)保護(hù)功能,這一功能通過(guò)將WP引腳設(shè)為低電平實(shí)現(xiàn)。


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