AVR熔絲位(Fuse)基礎(chǔ)知識

應(yīng)用舉例：

比如我們想使用片內(nèi)的RC振蕩(即不需要接晶振)，可以選擇選擇下面三者之一：

Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;

[CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;

[CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]

如圖：內(nèi)部1M晶振，默認(rèn)情況典型設(shè)置。(兩個圖分別為上下兩部分，沒有顯示的部分均為不選中狀態(tài)。)

下圖顯示的是選擇內(nèi)部晶振，1 Mhz RC

比如我們想使用外部7.3728M晶振，可以選擇選擇下面三者之一：

Ext. Crystal/Resonator High Freq.;

Start-up time: 258 CK + 4 ms;

[CKSEL=1110 SUT=00] 或后面與Ext. Crystal/Resonator High Freq.;.... 有關(guān)的選擇。

如下兩圖：7.3728M晶振典型融絲位(及本站的開發(fā)板使用時候的典型設(shè)置)