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          嵌入式系統(tǒng)flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

          作者: 時(shí)間:2013-03-30 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            HY29LV160的RESET#端接系統(tǒng)復(fù)位信號(hào);

            OE#端接的nOE(Pin72);

            WE#端的nWBE0>(Pin100);

            BYTE#上拉,使HY29LV160工作在字模式(16位數(shù)據(jù)寬度);

            RY/BY#指示HY29LV160編程或擦除操作的工作狀態(tài),但其工作狀態(tài)也可通過(guò)查詢片內(nèi)的相關(guān)寄存器來(lái)判斷,因此可將該引腳懸空;

            地址總線[A19~A0]與的地址總線[ADDR19~ADDR0]相連;

            16位數(shù)據(jù)總線[DQ15~DQ0]與S3C4510B的低16位數(shù)據(jù)總線[XDATA15~XDATA0]相連。

            注意此時(shí)應(yīng)將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“10”,選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為16位工作方式。

            1.3.2. 32位的FLASH系統(tǒng)

            作為一款32位的微處理器,為充分發(fā)揮S3C4510B的32性能優(yōu)勢(shì),有的系統(tǒng)也采用兩片16位數(shù)據(jù)寬度的Flash芯片并聯(lián)(或一片32位數(shù)據(jù)寬度的Flash芯片)構(gòu)建32位的Flash存儲(chǔ)系統(tǒng)。其構(gòu)建方式與16位的Flash存儲(chǔ)器系統(tǒng)相似。

            采用兩片HY29LV16并聯(lián)的方式構(gòu)建32位的FLASH存儲(chǔ)器系統(tǒng),其中一片為高16位,另一片為低16位,將兩片HY29LV16作為一個(gè)整體配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0,即將S3C4510B的nRCS0>(Pin75)接至兩片HY29LV16的CE#端;

            兩片HY29LV160的RESET#端接系統(tǒng)復(fù)位信號(hào);

            兩片HY29LV160的OE#端接S3C4510B的nOE(Pin72);

            低16位片的WE#端接S3C4510B的nWBE0>(Pin100),高16位片的WE#端接S3C4510B的nWBE2>(Pin102);

            兩片HY29LV160的BYTE#均上拉,使之均工作在字模式;

            兩片HY29LV160的地址總線[A19~A0]均與S3C4510B的地址總線[ADDR19~ADDR0]相連;

            低16位片的數(shù)據(jù)總線與S3C4510B的低16位數(shù)據(jù)總線[XDATA15~XDATA0]相連,高16位片的數(shù)據(jù)總線與S3C4510B的高16位數(shù)據(jù)總線[XDATA31~XDATA16]相連。

            注意此時(shí)應(yīng)將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“11”,選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為32位工作方式。

            2.S3C4510B系統(tǒng)管理器關(guān)于存儲(chǔ)器映射的工作原理

            當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作完成時(shí),必須經(jīng)過(guò)仔細(xì)的調(diào)試,才能保證系統(tǒng)按照設(shè)計(jì)意圖正常工作。盡管系統(tǒng)的調(diào)試與個(gè)人對(duì)電路工作原理的理解和實(shí)際的電路調(diào)試經(jīng)驗(yàn)有很大的關(guān)系,但一定的調(diào)試方法也是必不可少的。掌握正確的調(diào)試方法可使調(diào)試工作變得容易,大大縮短系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)時(shí)間,反之,可能會(huì)使整個(gè)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)前功盡棄,以失敗告終。

            在系統(tǒng)的兩類存儲(chǔ)器中,SDRAM相對(duì)于FLASH存儲(chǔ)器控制信號(hào)較多,似乎調(diào)試應(yīng)該困難一些,但由于SDRAM的所有刷新及控制信號(hào)均由S3C4510B片內(nèi)的專門部件控制,無(wú)需用戶干預(yù),在S3C4510B正常工作的前提下,只要連線無(wú)誤,SDRAM就應(yīng)能正常工作,反之,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的編程、擦除操作均需要用戶編程控制,且程序還應(yīng)在SDRAM中運(yùn)行,因此,應(yīng)先調(diào)試好SDRAM存儲(chǔ)器系統(tǒng),再進(jìn)行Flash存儲(chǔ)器系統(tǒng)的調(diào)試。

            基于S3C4510B系統(tǒng)的最大可尋址空間為64MB,采用統(tǒng)一編址的方式,將系統(tǒng)的SDRAM、SRAM、ROM、Flash、外部I/O以及片內(nèi)的特殊功能寄存器和8K一體化SRAM均映射到該地址空間。為便于使用與管理,S3C4510B又將64MB的地址空間分為若干個(gè)組,分別由相應(yīng)的特殊功能寄存器進(jìn)行控制:

           ?。?) ROM/SRAM/Flash組0~ROM/SRAM/Flash組5,用于配置ROM、SRAM或Flash,分別由特殊功能寄存器ROMCON0~ROMCON5控制;

           ?。?)DRAM/SDRAM組0~DRAM/SDRAM組3用于配置DRAM或SDRAM,分別由特殊功能寄存器DRAMCON0~DRAMCON3控制;

           ?。?)外部I/O組0~外部I/O組3用于配置系統(tǒng)的其他外擴(kuò)接口器件,由特殊功能寄存器REFEXTCON控制;

           ?。?)特殊功能寄存器組用于配置S3C4510B片內(nèi)特殊功能寄存器的基地址以及片內(nèi)的8K一體化SRAM,由特殊功能寄存器SYSCFG控制;

            在系統(tǒng)中,使用了Flash存儲(chǔ)器和SDRAM,分別配置在ROM/SRAM/FLASH組0和DRAM/SDRAM組0,暫未使用外擴(kuò)接口器件。

            3基于S3C4510B的嵌入式系統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器接口電路的調(diào)試

            Flash存儲(chǔ)器的調(diào)試主要包括Flash存儲(chǔ)器的編程(燒寫)和擦除,與一般的存儲(chǔ)器件不同,用戶只需對(duì)Flash存儲(chǔ)器發(fā)出相應(yīng)的命令序列,F(xiàn)lash 存儲(chǔ)器通過(guò)內(nèi)部嵌入的算法即可完成對(duì)芯片的操作,由于不同廠商的Flash存儲(chǔ)器在操作命令上可能會(huì)有一些細(xì)微的差別,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的編程與擦除工具一般不具有通用性,這也是為什么Flash接口電路相對(duì)較難調(diào)試的原因之一,因此,應(yīng)在理解Flash存儲(chǔ)器編程和擦除的工作原理的情況下,根據(jù)不同型號(hào)器件對(duì)應(yīng)的命令集,編寫相應(yīng)的程序?qū)ζ溥M(jìn)行操作。

            若使用SDT調(diào)試環(huán)境,調(diào)試過(guò)程與上述步驟相似。

            >obey C:memmap.txt

            打開(kāi)AXD Debugger的命令行窗口,執(zhí)行obey命令:

            此時(shí),2MB的Flash存儲(chǔ)器映射到地址空間的0x0000,0000~0x001F,FFFF處,選擇菜單Processor Views→Memory選項(xiàng),出現(xiàn)存儲(chǔ)器窗口,在存儲(chǔ)器起始地址欄輸入Flash存儲(chǔ)器的映射起始地址:0x0,數(shù)據(jù)區(qū)應(yīng)顯示Flash存儲(chǔ)器中的內(nèi)容,若Flash存儲(chǔ)器為空,所顯示的內(nèi)容應(yīng)全為0xFF,否則應(yīng)為已有的編程數(shù)據(jù)。雙擊其中的任一數(shù)據(jù),輸入新的值,對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容應(yīng)不能被修改,此時(shí)可初步認(rèn)定Flash存儲(chǔ)器已能被訪問(wèn),但是否能對(duì)其進(jìn)行正確的編程與擦除操作,還需要編程驗(yàn)證,通過(guò)程序?qū)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行編程和擦除操作。

            4結(jié)束語(yǔ)

            這樣整個(gè)基于的嵌入式系統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器接口電路的調(diào)試基本上完成了,當(dāng)然對(duì)于不同的系統(tǒng),操作是略有不同的,我們可以根據(jù)所要開(kāi)發(fā)或使用的嵌入式系統(tǒng)模式,進(jìn)行適當(dāng)?shù)?FONT face=Verdana>調(diào)整,保證我們正確的使用Flash存儲(chǔ)器。

          存儲(chǔ)器相關(guān)文章:存儲(chǔ)器原理



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          關(guān)鍵詞: flash接口 S3C4510B 存儲(chǔ)器

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