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          PIC單片機的外接電壓檢測復位電路舉例

          作者: 時間:2013-03-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          1.6.5 舉例

            1.設(shè)計思路

            有許多型號單片機的內(nèi)部均不具備掉電復位功能,即使對于內(nèi)部包含該功能的,其復位門檻電壓值是固定不可更改的,有時不能滿足用戶的需求,因此,外加電壓也是較常見的設(shè)計方案。

            對于片內(nèi)帶有掉電復位功能BOR的,在使用時,就必須將內(nèi)部BUR功能禁止,方法是將系統(tǒng)配置字的BUDEN位設(shè)置為0。

            對于內(nèi)部不帶BOR功能的PIC單片機,其電源控制寄存器PCUN沒有BOR標志位,無法準確識別由檢測復位電路引起的單片機復位,因此在程序執(zhí)行過程中在MCLR引腳施加了人工復位信號引起的復位。

            與外接電壓檢測復位電路相關(guān)的單片機片內(nèi)等效電路如圖1所示,從該圖可以看出,外接電壓檢測復位電路時,單片機內(nèi)部的兩個定時器不參與工作。

            圖1 與外接電壓檢測復位電路相關(guān)的單片機片內(nèi)等效電路

            2.電路設(shè)計

           ?。?)外接分立元件電壓檢測復位電路。

            下面給出了兩種不利用分離元器件搭建的電壓檢測復位電路。電路工作原理是,當VDD下降到某一門檻值時,三極管截止,從而使MCLR端電平變低,迫使單片機復位。圖2中該門檻值為VDD<Vz十0.7V,其中Vz是穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓的值,而圖3中該門檻值為VDD<0.7V(R1+R2)/R1。

            圖2 外加電壓檢測復位電路(VDD<Vz十0.7V)

            圖3 外加電壓檢測復位電路(VDD<0.7V(R1+R2)/R1)

           ?。?)外接專用芯片電壓檢測復位電路。

            圖4所示為一種利用專用芯片HT70XX搭建的電壓檢測復位電路。臺灣HOLTEK公司研制的HT70XX系列集成電路是一組采用CMOS工藝制造的電源欠壓檢測器,其包裝形式有三腳直插式封裝和貼片式封裝兩種。

            圖4 由HT70XX構(gòu)建的外加電壓檢測復位電路


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