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          LT5527型RF混頻器及其在3G無線基站接收器中的應(yīng)用

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          作者:解放軍電子工程學(xué)院 馬國勝 時間:2007-01-30 來源:國外電子元器件 收藏

          1 引言

          凌特公司(Linear Technology)推出的型高線性度有源下變頻能大幅降低蜂窩基站的成本并簡化其設(shè)計。 具有3.7 GHz的最高工作頻率。在1.9 GHz時,具有23.5 dBm的IP3(輸入3階截取)線性度、2.3dB轉(zhuǎn)換增益和12.5 dB噪聲指標(biāo),符合蜂窩基站和其他高性能基站接收器的動態(tài)范圍要求。LT5527的本機(jī)振蕩器(LO)和RF輸入以單端方式工作,具有內(nèi)置50Ω阻抗,只需很少外部匹配器件,可降低基站成本和縮短設(shè)計時間。此外.LT5527內(nèi)包含1個低噪聲LO緩沖器,允許工作于-3 dBm LO驅(qū)動功率,解決了RF隔離難題,無需外部濾波電路。

          LT5527工作于400 MHz-3.7 GHz的寬頻率范圍,該范圍覆蓋850 MHz蜂窩頻帶、1.9 GHz-2.1GHz W-CDMA及UMTS頻帶。也覆蓋了工作于450MHz、2.4 GHz和3.5 GHz頻帶的其他高性能設(shè)備。LT5527在RF和LO輸入端都有片上RF變壓器。這些變壓器方便了50Ω阻抗匹配,并使輸入能以單端方式工作。

          2 LT5527的主要特性及引腳功能

          2.1 LT5527的主要特性

          LT5527采用單5 V工作電源。典型工作電流為78 mA。它可用EN引腳關(guān)斷。關(guān)斷時,最高消耗100μA靜態(tài)電流。LT5527采用16引腳4 mmx4mm QFN封裝。LT5527的主要特性如下:

          50Ω單端式的RF和LO:

          高輸入IP3:0.9 GHz時的輸入IP3為+24.5dBm,1.9 GHz時的輸入IP3為+23.5 dBm:

          0.9 GHz時的轉(zhuǎn)換增益為3.2 dB,1.9 GHz時的轉(zhuǎn)換增益為2.3 dB;

          低噪聲:0.9 GHz時的噪聲指標(biāo)為11.6 dB。1.9 GHz時的噪聲指標(biāo)為12.5 dB;

          高LO-RF及LO-IF隔離;

          LO至RF泄漏為-44 dBm;

          工作電壓范圍為4.5 V~5.25 V。

          2.2 LT5527的引腳功能

          LT5527由高線性雙平衡混頻器、RF緩沖放大器、高速限幅LO緩沖器及偏置/使能電路構(gòu)成,RF和LO輸入以單端方式工作,IF輸出是差分輸出,低端LO和高端LO注入均可用。LT5527的外引腳排列如圖1所示,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示,各引腳的功能如下所述。

          NC(1,2,4,8,13,14,16):這些引腳內(nèi)部不連接,與電路板的地相接,以改善LO至RF及LO至IF之間的隔離。

          RF(3):RF信號輸入端,該引腳內(nèi)部與RF輸入變壓器的初級相連。若RF信號源不被DC阻隔.則需串聯(lián)一耦合電容器。在1.7 GHz-3 GHz之間。RF輸入由內(nèi)部匹配。400 MHz,3 700 MHz都需外部匹配。

          EN(5):使能端,當(dāng)輸入使能電壓超過3 V時,混頻器電路通過6、7、10和11啟動。當(dāng)輸入電壓低于0.3 V時,所有的電路都不工作。EN=5 V時的典型輸入電流為50 mA,EN=0 V時,電流為0μA。即使在啟動時,EN端的電壓也不應(yīng)超過Vcc0.3V。

          Vcc2(6):偏置電路的電源輸入端,電流消耗為2.8 mA。該端外部接至Vcc1端,并接1 000 pF及1μF的耦合電容器。

          Vcc1(7):LO緩沖器的電源端,電流消耗為23.2mA。該端外部接至Vcc2端,并接1 000pF及1μF的耦合電容器。

          GND(9,12):地端,該端和底板地相連以增強(qiáng)隔離度,也是電路板上的RF地。

          IF-,IF+(10,11):IF信號差分輸出,需進(jìn)行阻抗變換以實現(xiàn)輸出匹配。這些端子通過阻抗匹配電感器、RF扼流圈或變壓器中心抽頭與Vcc相連。

          LO(15):本地振蕩器的單端輸入,該端內(nèi)部與LO變壓器的初級相連。在1.2 GHz~5 GHz之間,LO輸入可內(nèi)部匹配。在380 MHz以下工作時需簡單的外部匹配。

          Exposed Pad(17):整個電路地的返回端,必須焊接至印刷電路板的接地面。

          3 LT5527的應(yīng)用電路設(shè)計

          圖3示出由混合變壓器構(gòu)成的IF匹配電路。以達(dá)到最低LO-IF泄漏和最寬的IF帶寬。圖4示出由1個離散的IF不平衡變壓器代替IF變壓器的電路,以降低成本和縮小尺寸。盡管離散的IF不平衡變壓器也有較理想的噪聲系數(shù)、線性度及較高的轉(zhuǎn)換增益,但是LO-IF泄漏降低,IF的帶寬減小。


          3.1 RF輸入端的設(shè)計

          RF輸入端由1個集成變壓器和一個高線性差分放大器組成,變壓器的初級與RF輸入端(引腳3)和地連接。變壓器的次級內(nèi)部與差分放大器輸入端連接。

          變壓器初級的一端內(nèi)部和地連接,如果RF源有DC電壓,則在其輸入端接入耦合電容器。在1.7GHz-3 GHz之間,RF輸入可由內(nèi)部匹配,在這個頻率范圍不需要外部匹配。頻帶邊沿輸入回波損耗的典型值為10 dB。

          在低頻帶邊沿的輸入匹配電路中,串聯(lián)的最佳電容器的值是2.7 pF(引腳3),以改善1.7 GHz的回波損耗(>20 dB);同樣,為改善2.7 GHz的回波損耗(>30dB),其匹配串聯(lián)的最佳電感器感值是1.5 nH。同時,串聯(lián)1.5nH/2.7 pF匹配使頻帶的邊沿更理想,并將RF的輸入帶寬擴(kuò)大至1.1 GHz~3.3 GHz。

          在400 MHz低頻處或3.7 GHz處,RF輸入匹配在原有基礎(chǔ)上增加并聯(lián)電容器C5,如果450MHz下的輸入匹配電容器C5的容值為12 pF,在評估板的50 Ω輸入傳輸線上,位于距離引腳34.5 mm的位置;900 MHz下的輸入匹配電容C5=3.9 pF,位于距離引腳31.3 mm的位置;3.5 GHz下的輸入匹配電容器C5=0.5 pF。位于距離引腳34.5mm的位置。這種串聯(lián)傳輸線/并聯(lián)電容器匹配拓?fù)涫沟肔T5527可用于倍頻標(biāo)準(zhǔn),而不需要修正電路板的設(shè)計。串聯(lián)傳輸線可用串聯(lián)的片式電感器代替,以使布局更簡單。

          RF輸入阻抗和S11與頻率的關(guān)系(沒有外部匹配)列于表1。S11數(shù)據(jù)用于微波電路模擬設(shè)計自定義匹配。模擬和RF輸入濾波器的接口連接。

          3.2 LO輸入端的設(shè)計

          LO輸入端由1個集成變壓器和1個高速限幅差分放大器組成,其中。放大器驅(qū)動混頻器.得到最高的線性和最低的噪聲.1只內(nèi)部耦合電容器和變壓器的初級串聯(lián)。無需連接外部耦合電容器。盡管內(nèi)部放大器將最大有效頻率限制在3.5 GHz。但在1.2 GHz~5 GHz范圍內(nèi),LO輸入由內(nèi)部匹配。當(dāng)然輸入匹配可以變換,在低頻(750 MHz)處,給引腳15并聯(lián)1只電容器(C4),850MHz~1.2 GHz匹配中,C4=2.7 pF。

          750MHz以下的LO輸入匹配要求串聯(lián)電感L4/并聯(lián)電容C4,在650 MHz~830 MHz,其匹配網(wǎng)絡(luò)的L4=3.9 nH,C4=5.6 pF;在540 MHz~640MHz,其匹配網(wǎng)絡(luò)的L4=6.8 nH,C4=10 pF。評估板不包含L4的焊盤.因此可切斷近處的引腳15以便插入L4。L4是低功耗多層片式電感器。

          頻率大于1.2 GHz時,盡管放大器提供的功率有幾個dB.但最佳LO驅(qū)動功率只有-3 dBm(LO輸入功率變化,混頻器性能不變);在頻率低于1.2GHz的情況下,盡管-3 dBm的LO驅(qū)動功率仍然提供高轉(zhuǎn)化增益和線性。但是為了得到最佳噪聲,LO驅(qū)動功率為0 dBm。自定義匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗數(shù)據(jù)見表2,并參考LO端沒有匹配時的情況。


          3.3IF輸出端的設(shè)計

          IF輸出端(IF+和IF-)和晶體管混頻開關(guān)的集電極連接,如圖5。IF+和IF-分別有電壓偏置,主要通過變壓器中心抽頭或匹配電感取得。每個IF端從總電流(52 mA)中分出26 mA的電流。為了得到最佳單端工作性能,這些差分輸出需通過1個IF變壓器或1個離散的IF不平衡變壓器與外部電路結(jié)合。圖3所示的電路包含1個用于阻抗變換和差分單端轉(zhuǎn)換的IF變壓器。圖4所示的電路由1個離散的IF不平衡變壓器實現(xiàn)同樣的功能。低頻時IF輸出阻抗可等效415 Ω并聯(lián)2.5 pF的電容器。頻率與IF差分輸出阻抗的關(guān)系如表3所示。這些數(shù)據(jù)參考封裝引腳(沒有外部元件),包含了IC和封裝寄生效應(yīng)的影響。對于IF頻率為幾千赫茲的低頻或600MHz的高頻??善ヅ漭敵鯥F。


          差分單端IF匹配的方法有以下三種:

          (1)直接8:1 IF變壓器匹配

          IF頻率低于100 MHz時,最簡單的匹配設(shè)計是將1個8:1變壓器連接到IF端,變壓器將進(jìn)行阻抗變換并提供單端50 Ω輸出。在圖3所示電路中.這種匹配通過短接L1、L2、用8:l變壓器(不設(shè)置C3)代替4:1變頻器即可實現(xiàn)。

          (2)低通濾波器+4:1 IF變壓器匹配

          實現(xiàn)最低的LO-IF泄漏和較寬的IF帶寬很簡單.如圖5所示為由3個元件構(gòu)成低通濾波匹配網(wǎng)絡(luò)。匹配元件C3、L1和L2結(jié)合內(nèi)部2.5 pF電容器形成1個400 Ω~200 Ω低通濾波匹配網(wǎng)絡(luò),該匹配網(wǎng)絡(luò)諧振于所期望的IF頻率。這里4:1變壓器將200 Ω差分輸出變換成50 Ω的單端輸出。


          該匹配網(wǎng)絡(luò)對40 MHz以上(包括40 MHz)的IF最為合適。對于40 MHz以下的IF頻率。若串聯(lián)電感器(L1、L2)的電感值取得過高,用這樣的電感和寄生效應(yīng)將影響穩(wěn)定性,因此,8:1變壓器適合于低IF頻率。適用于IF頻率的低通濾波的匹配元件值如表4所示。高Q值線繞片式電感器(L1、L2)大大改善了混頻器的轉(zhuǎn)換增益,但對線性度還是有點影響。


          (3)離散IF不平衡變壓器匹配

          在許多應(yīng)用中,可以用離散IF不平衡變壓器代替IF變壓器,如圖4所示。L1、L2、C6和C7的值可用式(1)、式(2)計算,在IF頻率期望值上得到180



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