SRAM外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)
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一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/B>
1．掌握89C51單片機(jī)擴(kuò)展外RAM的方法
2．了解靜態(tài)RAM使用方法
二、實(shí)驗(yàn)說(shuō)明
MCS-51型單片機(jī)內(nèi)有128B的RAM，只能存放少量數(shù)據(jù)，對(duì)一般小型系統(tǒng)和無(wú)需存放大量數(shù)據(jù)的系統(tǒng)已能滿足要求。對(duì)于大型應(yīng)用系統(tǒng)和需要存放大量數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，則需要進(jìn)行片外擴(kuò)展RAM。
MCS-51型單片機(jī)在片外擴(kuò)展RAM的地址空間為0000H～FFFFH共64KB。讀寫(xiě)外RAM時(shí)用MOVX指令，用RD選通RAM OE端，用WR選能RAM WE端。
擴(kuò)展外RAM芯片一般采用靜態(tài)RAM（SRAM），也可根據(jù)需要采用E2PROM芯片或其他RAM芯片。本實(shí)驗(yàn)使用SRAM 6264芯片進(jìn)行片外RAM擴(kuò)展。6264具有8KB空間，因此它需要13位地址（A0～A12），使用P0、P2.0～P2.3作為地址線，P2.7作為片選線。6264的全部地址空間為0000H～1FFFH。
6264芯片引腳圖及管腳功能介紹：
D0～D7：數(shù)據(jù)線
A0～A12：地址線
WE：寫(xiě)允許，低電平有效
OE：讀允許，低電平有效
CS1、CS2：片選端，CS1低電平有效，CS2高電平有效
三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與步驟
單片機(jī)在SRAM中填入不斷增加的數(shù)值：0，1，2，3到9，然后再?gòu)?開(kāi)始，共填入256個(gè)字節(jié)。然后把這些字符一個(gè)個(gè)類似串行方式在8位LED以二進(jìn)制顯示。從左邊間隔1秒的方式不斷進(jìn)入，滾動(dòng)顯示。
1、單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)的 P0口接SRAM的D0～D7口，單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)的Q0～Q7口接SRAM的A0～A7口，單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)的 P2口接SRAM的A8～A12口，單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)的RD、WR、P2.7分別接SRAM的OE、WE、CS1，單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)的P1口接八位邏輯電平顯示的JD10，仿真器與PC機(jī)用串口線連接，打開(kāi)相關(guān)模塊電源。
2、用串行數(shù)據(jù)通信線連接計(jì)算機(jī)與仿真器，把仿真器插到模塊的鎖緊插座中，請(qǐng)注意仿真器的方向：缺口朝上。
3、打開(kāi)Keil uVision2仿真軟件，首先建立本實(shí)驗(yàn)的項(xiàng)目文件，接著添加“SRAM.ASM”源程序，進(jìn)行編譯，直到編譯無(wú)誤。
4、編譯無(wú)誤后，運(yùn)行程序邏輯電平顯示0—9二進(jìn)制數(shù)來(lái)回顯示。
5、也可以把源程序編譯成可執(zhí)行文件，把可執(zhí)行文件用ISP燒錄器燒錄到89S52/89S51芯片中運(yùn)行。（ISP燒錄器的使用查看AT89s51編程器制作方法）
四、原理圖
存儲(chǔ)器相關(guān)文章:存儲(chǔ)器原理
評(píng)論