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          DRAM 8英寸生產(chǎn)線(xiàn)趨減 IC制造須理性突圍

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          作者: 時(shí)間:2007-01-31 來(lái)源: 收藏
            推動(dòng)全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子,一個(gè)是縮小特征尺寸,另一個(gè)是增大硅片直徑,通常總是以不斷地縮小特征尺寸為先。如今,全球正進(jìn)入12英寸,65納米芯片生產(chǎn)線(xiàn)的興建高潮,業(yè)界正在為何時(shí)進(jìn)入1硅片生產(chǎn)展開(kāi)可行性討論。在此前提下,業(yè)界關(guān)心全球芯片生產(chǎn)線(xiàn)的現(xiàn)狀,以及何時(shí)將退出歷史舞臺(tái)。縱觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過(guò)程,進(jìn)入硅片時(shí)代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右,所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時(shí)段,顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開(kāi)始上升。  

              8英寸線(xiàn)將逐漸退出   


              隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步,90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大,首先在競(jìng)爭(zhēng)最激烈的制造中呈現(xiàn)。   


              臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示,2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn),中的8英寸芯片性?xún)r(jià)比已不具有優(yōu)勢(shì),一批較早的8英寸芯片廠,已無(wú)法采用0.11微米工藝來(lái)制造512Mb的DDR2。   

              臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為,五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的業(yè),全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī))應(yīng)用中,有55%用于PC中。預(yù)計(jì)2007年臺(tái)式機(jī)中存儲(chǔ)器用量將增加46%;而筆記本中將增加63%;服務(wù)器中將增加47%;而消費(fèi)電子產(chǎn)品及手機(jī)中也分別有56%及69%的增長(zhǎng)。所以,2007年DRAM總需求將有57.4%的增長(zhǎng)。但在供給方面,2007年中DRAM的8英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)的自然淘汰率將占20%至30%,其中有的8英寸線(xiàn)升級(jí)至12英寸或者改成其他用途。   

              不同品種有其相應(yīng)的特征尺寸及生存周期,完全由市場(chǎng)來(lái)決定,目前DRAM已進(jìn)入80納米量產(chǎn)時(shí)代,而模擬電路中0.18微米仍是國(guó)際先進(jìn)水平。所以各種不同的硅片尺寸都有其相應(yīng)的生存之道,但是大尺寸硅片逐步取代小尺寸是自然規(guī)律。如右圖所示。   

              中國(guó)芯片制造仍在初級(jí)階段   

              自華虹NEC在中國(guó)建成第一個(gè)8英寸生產(chǎn)線(xiàn)至今,中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正在逐步成長(zhǎng)壯大。雖然也有中芯國(guó)際的12英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)以及全國(guó)8英寸硅片的產(chǎn)能規(guī)模已達(dá)每月30萬(wàn)片以上,但是從總體看,產(chǎn)業(yè)的水平仍處在初級(jí)階段,其現(xiàn)狀如下:   

              有12英寸及90納米的代工能力,但至少落后于臺(tái)積電等世界一流代工企業(yè)一年以上。目前在高端產(chǎn)品代工方面仍以標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器為主。而在邏輯電路代工方面,由于90納米技術(shù)進(jìn)展緩慢,加上缺乏頂級(jí)fabless公司的大訂單,造成新建12英寸的產(chǎn)能擴(kuò)展緩慢。   

              0.18微米及以上的代工,由于同質(zhì)化,缺乏特長(zhǎng)工藝能力,加上臺(tái)積電等打壓,致使硅片平均銷(xiāo)售價(jià)格下降,毛利率低,而造成企業(yè)效益不夠理想。   

              中國(guó)芯片制造業(yè),從結(jié)構(gòu)上看大部分6英寸及8英寸舊線(xiàn)的贏利狀況較好,目前可能是全球唯一還在增建8英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)的地區(qū)。   

              在12英寸新線(xiàn)建設(shè)中,中國(guó)仍處在擴(kuò)張的態(tài)勢(shì),中芯國(guó)際除了在北京有Fab4之外,上海的Fab8已處于設(shè)備安裝階段,另一條武漢的中芯12英寸生產(chǎn)線(xiàn)已加快步伐,預(yù)計(jì)2007年底可能提前進(jìn)行設(shè)備安裝。但是面臨一個(gè)做什么產(chǎn)品的決策問(wèn)題,可以預(yù)計(jì)DRAM及NAND閃存是個(gè)正確的選擇。    

              目前唯一在中國(guó)大肆擴(kuò)張的是無(wú)錫海力士及意法的合資存儲(chǔ)器廠,其進(jìn)展速度超出業(yè)界的預(yù)期。至2007年底擴(kuò)充硅片月產(chǎn)能將為8英寸5萬(wàn)片及12英寸6萬(wàn)片,將成為中國(guó)最大的芯片制造廠。 

             從全球8英寸芯片廠范圍看,唯有中國(guó)內(nèi)地還在逐年擴(kuò)張,但是由于種種原因,速度已經(jīng)減緩,因此可以預(yù)計(jì),在未來(lái)三年內(nèi),臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體廠的西移,是影響內(nèi)地半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的主要因素。但是在近時(shí)期內(nèi)中國(guó)內(nèi)地不太可能成為全球最大的8英寸芯片廠基地。 


          關(guān)鍵詞: 8英寸 DRAM IC 存儲(chǔ)器

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