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          汽車(chē)電子的EMC設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-07-05 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          處于一個(gè)充滿(mǎn)噪聲的環(huán)境,因此必須具有優(yōu)秀的電磁兼容()性能。而設(shè)計(jì)中最主要的是微處理器的設(shè)計(jì),作者將結(jié)合實(shí)際設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),分析噪聲的產(chǎn)生機(jī)理并提出消除噪聲的方法。

          汽車(chē)電子常常工作環(huán)境很惡劣:環(huán)境溫度范圍為-40oC到125oC;振動(dòng)和沖擊經(jīng)常發(fā)生;有很多噪聲源,如刮水器電動(dòng)機(jī)、燃油泵、火花點(diǎn)火線(xiàn)圈、空調(diào)起動(dòng)器、交流發(fā)電機(jī)線(xiàn)纜連接的間歇切斷,以及某些無(wú)線(xiàn)電子設(shè)備,如手機(jī)和尋呼機(jī)等。

          汽車(chē)設(shè)計(jì)中一般都有一個(gè)高度集成的微控制器,該控制器用來(lái)完成大量的計(jì)算并實(shí)現(xiàn)有關(guān)車(chē)輛運(yùn)行的控制,包括引擎管理和制動(dòng)控制等。汽車(chē)電子設(shè)計(jì)不僅需要在這種噪聲環(huán)境中實(shí)現(xiàn)對(duì)MCU的保護(hù),同時(shí)也必須規(guī)范MCU模塊設(shè)計(jì),確保MCU模塊發(fā)射的噪聲滿(mǎn)足相關(guān)的規(guī)范。

          在概念上,電磁兼容性()包含系統(tǒng)本身對(duì)噪聲的敏感性以及噪聲發(fā)射兩個(gè)部分。噪聲可以通過(guò)電磁場(chǎng)的方式傳播從而產(chǎn)生輻射干擾,也可以通過(guò)芯片上或者芯片外的寄生效應(yīng)傳導(dǎo)。

          在大多數(shù)汽車(chē)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,EMC變得越來(lái)越重要。如果設(shè)計(jì)的系統(tǒng)不干擾其它系統(tǒng),也不受其它系統(tǒng)發(fā)射影響,并且不會(huì)干擾系統(tǒng)自身,那么所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)就是電磁兼容的。

          在美國(guó)出售的任何電子設(shè)備和系統(tǒng)都必須符合聯(lián)邦通訊委員會(huì)(FCC)制定的EMC標(biāo)準(zhǔn),而美國(guó)主要的汽車(chē)制造商也都有自己的一套測(cè)試規(guī)范來(lái)制約其供應(yīng)商。其它的汽車(chē)公司通常也都有各自的要求,如:

          SAE J1113(汽車(chē)器件電磁敏感性測(cè)試程序)給出了汽車(chē)器件推薦的測(cè)試級(jí)別以及測(cè)試程序。

          SAE J 1338則提供關(guān)于整個(gè)汽車(chē)電磁敏感性如何測(cè)試的相關(guān)信息。

          SAE J1752/3和IEC 61967的第二和第四部分是專(zhuān)用于IC發(fā)射測(cè)試的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。

          歐洲也有自己的標(biāo)準(zhǔn),歐盟EMC指導(dǎo)規(guī)范89/336/EEC于1996年開(kāi)始生效,從此歐洲汽車(chē)工業(yè)引入了一個(gè)新的EMC指導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)(95/54/EEC)。

          檢查汽車(chē)對(duì)于電磁輻射的敏感性,應(yīng)該確保整個(gè)汽車(chē)在20到1000MHz的90%帶寬范圍內(nèi)參考電平限制在24V/米的均方根值以?xún)?nèi),在整個(gè)帶寬范圍以?xún)?nèi)的均方根值在20V/米以?xún)?nèi)。在測(cè)試過(guò)程中要試驗(yàn)駕駛員對(duì)方向盤(pán)、制動(dòng)以及引擎速度的直接控制,而且不允許產(chǎn)生可能導(dǎo)致路面上任何其他人混淆的異常,或者駕駛員對(duì)汽車(chē)直接控制的異常。

          由于芯片幾何尺寸不斷減小,以及時(shí)鐘速度的不斷增加都會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)射超過(guò)500MHz的時(shí)鐘諧波,因此EMC設(shè)計(jì)非常重要。如摩托羅拉公司最新基于e500架構(gòu)的微控制器MPC5500系列,該芯片采用0.1微米工藝技術(shù),時(shí)鐘頻率為200MHz。

          此外,產(chǎn)品成本的要求迫使生產(chǎn)商設(shè)計(jì)電路板時(shí)不使用地層并盡可能減少器件數(shù)量,汽車(chē)設(shè)計(jì)工程師將面對(duì)非常嚴(yán)格的設(shè)計(jì)約束挑戰(zhàn)。設(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)必須高度可靠,即使一百萬(wàn)輛汽車(chē)中有一輛存在一個(gè)簡(jiǎn)單的故障都是不允許的。沒(méi)有考慮EMC設(shè)計(jì)而召回所有汽車(chē)的事實(shí)證明這種做法不僅損失巨大,而且影響汽車(chē)廠商的聲譽(yù)。

          在電磁兼容設(shè)計(jì)中,“受害方”的概念通常指那些由于設(shè)計(jì)缺乏EMC考慮而受到影響的部件。受害部件可能在基于MCU的PCB或者模塊的內(nèi)部,也可能是外部系統(tǒng)。通常的受害部件是汽車(chē)免持鑰匙入車(chē) (Keyless-Entry)模塊中的寬帶接收器或者是車(chē)庫(kù)門(mén)開(kāi)啟裝置接收器,由于接收到MCU發(fā)出的足夠強(qiáng)的噪聲,這些模塊中的接收器會(huì)誤認(rèn)為接收到了一個(gè)遙控信號(hào)。

          汽車(chē)收音機(jī)通常也是受害部件:MCU可能產(chǎn)生大量的FM波段諧波,嚴(yán)重降低聲音質(zhì)量。分布在汽車(chē)中的其它模塊也可能受到類(lèi)似的影響,基于MCU的模塊產(chǎn)生的發(fā)射噪聲經(jīng)由線(xiàn)纜傳播出去,如果MCU產(chǎn)生足夠強(qiáng)的噪聲對(duì)文本和語(yǔ)音進(jìn)行干擾,那么無(wú)繩電話(huà)和尋呼機(jī)也容易受到干擾。

          EMC設(shè)計(jì)

          很多EMC設(shè)計(jì)技術(shù)都可以應(yīng)用到電路板和SoC設(shè)計(jì)中。最具共性的部分就是傳輸線(xiàn)效應(yīng),以及布線(xiàn)和電源分布網(wǎng)絡(luò)上的寄生電阻、電容和電感效應(yīng)。當(dāng)然,SoC設(shè)計(jì)中存在許多與芯片自身相關(guān)的技術(shù),涉及基底材料、器件幾何尺寸和封裝等。

          首先了解傳輸線(xiàn)效應(yīng)。如果發(fā)送器和接收器之間存在阻抗不匹配,信號(hào)將產(chǎn)生反射并且導(dǎo)致電壓振鈴現(xiàn)象,因而降低噪聲容限,增加信號(hào)串?dāng)_并通過(guò)容性耦合對(duì)外產(chǎn)生信號(hào)發(fā)射干擾。IC上的傳輸線(xiàn)尺寸通常非常小,因此不會(huì)發(fā)射噪聲或者受到輻射噪聲的影響,而電路板上的傳輸線(xiàn)尺寸通常比較大,容易產(chǎn)生這種問(wèn)題,最常用的解決辦法是使用串聯(lián)終結(jié)器。

          在SoC設(shè)計(jì)中,噪聲主要通過(guò)寄生電阻和電容來(lái)傳導(dǎo),而不是以電磁場(chǎng)的方式輻射。CMOS芯片通過(guò)一種外延工藝實(shí)現(xiàn)極低電阻基底的方法來(lái)增強(qiáng)抗閉鎖的能力,而基底的底側(cè)為基底噪聲提供了一種有效的傳導(dǎo)路徑,使得很難將噪聲源同敏感節(jié)點(diǎn)在電氣上分隔開(kāi)來(lái)。

          許多并行的p+基底觸點(diǎn)(contact)為阻性耦合噪聲提供了一個(gè)低阻抗路徑。在n阱和p溝道晶體管p基底的側(cè)壁以及底部之間會(huì)形成寄生電容,因而產(chǎn)生容性耦合噪聲,并且在n溝道晶體管的基底和源區(qū)之間形成pn結(jié)(見(jiàn)圖1)。

          單個(gè)pn結(jié)電容非常小,在一個(gè)VLSI的SoC設(shè)計(jì)中并行的電容總和通常是幾個(gè)納法,在連接到電源網(wǎng)絡(luò)之前將源區(qū)和基底直接連接可以短路掉這個(gè)電容。這種技術(shù)還消除了進(jìn)入基底的瞬時(shí)負(fù)電流而導(dǎo)致的體效應(yīng)(body effect)。體效應(yīng)會(huì)增加耗盡區(qū),并導(dǎo)致晶體管的Vt變高。同樣的技術(shù)也可以應(yīng)用于n阱p溝道晶體管,以減小容性耦合噪聲。

          然而,包含層疊晶體管的數(shù)字電路或者模擬電路通常都需要隔離源區(qū)。在這種情況下,增加Vss到基底或者Vdd到基底的電容能夠降低噪聲瞬態(tài)值。對(duì)模擬電路設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),體效應(yīng)通過(guò)改變偏置電流和信號(hào)帶寬降低了電路性能,因此需要使用其它解決辦法,如阱隔離。對(duì)數(shù)字電路,采用單一的阱最理想,可以降低芯片面積。通過(guò)認(rèn)真的設(shè)計(jì)可以對(duì)體效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。


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