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          初步認(rèn)識(shí)51芯片

          作者: 時(shí)間:2011-02-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          圖2-2 外接晶體引腳
          XTAL1 19
          XTAL2 18
          XTAL1是片內(nèi)振蕩器的反相放大器輸入端,XTAL2則是輸出端,使用外部振蕩器時(shí),外部振蕩信號(hào)應(yīng)直接加到XTAL1,而XTAL2懸空。內(nèi)部方式時(shí),時(shí)鐘發(fā)生器對(duì)振蕩脈沖二分頻,如晶振為12MHz,時(shí)鐘頻率就為6MHz。晶振的頻率可以在1MHz-24MHz內(nèi)選擇。電容取30PF左右。
          *型號(hào)同樣為AT89C51的芯片,在其后面還有頻率編號(hào),有12,16,20,24MHz可選。大家在購買和選用時(shí)要注意了。如AT89C51 24PC就是最高振蕩頻率為24MHz,40P6封裝的普通商用芯片。

          3.復(fù)位 RST 9
          在振蕩器運(yùn)行時(shí),有兩個(gè)機(jī)器周期(24個(gè)振蕩周期)以上的高電平出現(xiàn)在此引腿時(shí),將使復(fù)位,只要這個(gè)腳保持高電平,51芯片便循環(huán)復(fù)位。復(fù)位后P0-P3口均置1引腳表現(xiàn)為高電平,程序計(jì)數(shù)器和特殊功能寄存器SFR全部清零。當(dāng)復(fù)位腳由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí),芯片為ROM的00H處開始運(yùn)行程序。常用的復(fù)位電路如圖2-3所示。
          *復(fù)位操作不會(huì)對(duì)內(nèi)部RAM有所影響。

          圖2-3 常用復(fù)位電路
          4.輸入輸出引腳
          (1) P0端口[P0.0-P0.7] P0是一個(gè)8位漏極開路型雙向I/O端口,端口置1(對(duì)端口寫1)時(shí)作高阻抗輸入端。作為輸出口時(shí)能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL。
          對(duì)內(nèi)部Flash程序存儲(chǔ)器編程時(shí),接收指令字節(jié);校驗(yàn)程序時(shí)輸出指令字節(jié),要求外接上拉電阻。
          在訪問外部程序和外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P0口是分時(shí)轉(zhuǎn)換的地址(低8位)/數(shù)據(jù)總線,訪問期間內(nèi)部的上拉電阻起作用。
          (2) P1端口[P1.0-P1.7] P1是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/0端口。輸出時(shí)可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL。端口置1時(shí),內(nèi)部上拉電阻將端口拉到高電平,作輸入用。
          對(duì)內(nèi)部Flash程序存儲(chǔ)器編程時(shí),接收低8位地址信息。
          (3) P2端口[P2.0-P2.7] P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/0端口。輸出時(shí)可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL。端口置1時(shí),內(nèi)部上拉電阻將端口拉到高電平,作輸入用。
          對(duì)內(nèi)部Flash程序存儲(chǔ)器編程時(shí),接收高8位地址和控制信息。
          在訪問外部程序和16位外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P2口送出高8位地址。而在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)其引腳上的內(nèi)容在此期間不會(huì)改變。
          (4) P3端口[P3.0-P3.7] P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/0端口。輸出時(shí)可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL。端口置1時(shí),內(nèi)部上拉電阻將端口拉到高電平,作輸入用。
          對(duì)內(nèi)部Flash程序存儲(chǔ)器編程時(shí),接控制信息。除此之外P3端口還用于一些專門功能,具體請(qǐng)看表2-2.。
          *P1-3端口在做輸入使用時(shí),因內(nèi)部有上接電阻,被外部拉低的引腳會(huì)輸出一定的電流。

          P3引腳

          兼用功能

          P3.0

          串行通訊輸入(RXD

          P3.1

          串行通訊輸出(TXD

          P3.2

          外部中斷0INT0

          P3.3

          外部中斷1INT1

          P3.4

          定時(shí)器0輸入(T0)

          P3.5

          定時(shí)器1輸入(T1)

          P3.6

          外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通WR

          P3.7

          外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通RD

          表2-2 P3端口引腳兼用功能表
          呼!一口氣說了那么多,停一下吧。嗯,什么?什么叫上拉電阻?上拉電阻簡單來說就是把電平拉高,通常用4.7-10K的電阻接到Vcc電源,下拉電阻則是把電平拉低,電阻接到GND地線上。具體說明也不是這里要討論的,接下來還是接著看其它的引腳功能吧。
          5.其它的控制或復(fù)用引腳
          (1) ALE/PROG 30 訪問外部存儲(chǔ)器時(shí),ALE(地址鎖存允許)的輸出用于鎖存地址的低位字節(jié)。即使不訪問外部存儲(chǔ)器,ALE端仍以不變的頻率輸出脈沖信號(hào)(此頻率是振蕩器頻率的1/6)。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),出現(xiàn)一個(gè)ALE脈沖。對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程時(shí),這個(gè)引腳用于輸入編程脈沖PROG
          (2) PSEN 29 該引是外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)輸出端。當(dāng)AT89C51由外部程序存儲(chǔ)器取指令或常數(shù)時(shí),每個(gè)機(jī)器周期輸出2個(gè)脈沖即兩次有效。但訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將不會(huì)有脈沖輸出。
          (3) EA/Vpp 31 外部訪問允許端。當(dāng)該引腳訪問外部程序存儲(chǔ)器時(shí),應(yīng)輸入低電平。要使AT89C51只訪問外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000H-FFFFH),這時(shí)該引腳必須保持低電平。對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程時(shí),用于施加Vpp編程電壓。Vpp電壓有兩種,類似芯片最大頻率值要根據(jù)附加的編號(hào)或芯片內(nèi)的特征字決定。具體如表2-3所列。

          Vpp =12V

          Vpp =5V

          印刷在芯片面上的型號(hào)

          AT89C51

          xxxx

          YYWW

          AT89LV51

          xxxx

          YYWW

          AT89C51

          xxxx-5

          YYWW

          AT89LV51

          xxxx-5

          YYWW

          片內(nèi)特征字

          030H=1EH

          030H=1EH

          030H=1EH

          030H=1EH

          031H=51H

          031H=61H

          031H=51H

          031H=61H

          032H=FFH

          032H=FFH

          032H=05H

          032H=05H

          表2-3 Vpp與芯片型號(hào)和片內(nèi)特征字的關(guān)系
          看到這您對(duì)AT89C51引腳的功能應(yīng)該有了一定的了解了,引腳在編程和校驗(yàn)時(shí)的時(shí)序我們在這里就不做詳細(xì)的探討,通常情況下我們也沒有必要去撐握它,除非你想自己開發(fā)編程器。下來的課程我們要開始以一些簡單的實(shí)例來講述C程序的語法和編寫方法技巧,中間穿插相關(guān)的硬件知識(shí)如串口,中斷的用法等等。

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