<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計應用 > 結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT(飛兆)

          結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT(飛兆)

          作者: 時間:2011-01-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展,以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升,設(shè)計人員面臨著在總體設(shè)計中增加功能性,但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢,飛兆半導體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT,占位面積僅為1mm x 1mm。

          FDZ3N513ZT是升壓轉(zhuǎn)換器中的主要元件,用以驅(qū)動串聯(lián)白光LED,為智能電話的顯示屏(以及按鍵,如果有鍵盤的話)提供照明。

          該解決方案對各種動態(tài)特性作出仔細精確的優(yōu)化,實現(xiàn)很低的開關(guān)損耗,從而使手機應用擁有相當高的轉(zhuǎn)換效率和更長的電池壽命。

          FDZ3N513ZT結(jié)合了一個30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極管,具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nC),以提高升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計的效率。

          FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝,相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件,可節(jié)省60%的板上占位空間。

          飛兆半導體是移動技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導廠商,擁有大量可針對特定要求而定制的模擬與功率IP產(chǎn)品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導體全面的先進MOSFET系列的一部分,能夠滿足業(yè)界在充電、負載開關(guān)、DC-DC和升壓應用方面對緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。

          價格: 訂購1,000個,單價為0.75美元

          供貨: 現(xiàn)提供樣品

          交貨期 :收到訂單后12周



          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();