單片機控制系統(tǒng)的硬件抗干擾設(shè)計
1 引言
單片機在工業(yè)自動化領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,但是單片機控制系統(tǒng)工作時往往會受到來自系統(tǒng)內(nèi)部和外部的干擾,對系統(tǒng)的正常應(yīng)用將帶來不良的影響。為了保證和提高中系統(tǒng)的可靠性和安全性,通過對系統(tǒng)干擾源及干擾的傳播途徑的研究總結(jié)出幾種實踐中常用且有效的干擾抑制技術(shù)。
2 干擾的途徑和影響
單片機控制系統(tǒng)在工業(yè)現(xiàn)場工作時都會或多或少的受到周圍電磁環(huán)境的干擾。干擾可以通過3種途徑影響系統(tǒng)的正常工作,即供電系統(tǒng)干擾、空間電磁場干擾和信號傳輸通道干擾。干擾對單片機控制系統(tǒng)的作用及后果也分為3個部位:一是系統(tǒng)的前向通道,干擾疊加在輸入信號上,使數(shù)據(jù)采集誤差增大,在傳感器小電壓信號輸入時,此現(xiàn)象尤為突出;二是系統(tǒng)的后向通道,干擾耦合在輸出信號上使輸出信號混亂,導致誤操作,并有可能引發(fā)嚴重事故;三是控制系統(tǒng)的內(nèi)核,干擾使微處理器內(nèi)核三總線上的數(shù)字信號出錯,程序指針PC發(fā)生錯誤,導致程序“跑飛”,干擾也可能竄改存儲器RAM中的數(shù)據(jù),導致死機、系統(tǒng)崩潰或誤操作等嚴重后果。
3 硬件抗干擾設(shè)計
3.1 供電系統(tǒng)干擾及其抑制
單片機應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電源往往與工業(yè)系統(tǒng)共用一個電源,各種大型電氣設(shè)備的啟停和運行都會產(chǎn)生很大的干擾。因此,提高供電系統(tǒng)的質(zhì)量是非常重要的。通過分析,設(shè)計出如圖1所示的供電結(jié)構(gòu)圖。電源通過給系統(tǒng)各個功能模塊分別供電,從而減少了公共電源和公共阻抗的相互耦合,提高了電源的抗干擾性和可靠性。
圖2為電源EMI濾波器網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),是圖1中的變壓器原邊濾波電路的具體實現(xiàn)形式。該濾波器是由參數(shù)元件構(gòu)成的無源低通網(wǎng)絡(luò),其中L1 和L2是繞在同一磁環(huán)上的兩只獨立線圈,稱為共模電感線圈或共模線圈, L3、L4 是獨立的差模抑制電感。如果把該濾波器一端接入干擾源,負載端接被干擾設(shè)備,那么L1 和Cy ,L2 和Cy 就分別構(gòu)成L - E和N- E兩對獨立端口間的低通濾波器,用來抑制電源線上存在的共模EMI信號,使之受到衰減,被控制到很低的電平上。L1、L2 兩個線圈所繞匝數(shù)相同、繞向相反,使濾波器接入電路后,兩只線圈內(nèi)電流產(chǎn)生的磁通在磁環(huán)內(nèi)相互抵消,不會使磁環(huán)達到磁飽和狀態(tài),從而使兩只線圈的電感值保持不變。但是,由于種種原因,如磁環(huán)的材料不可能做到絕對均勻,兩個線圈的繞制也不可能完全對稱等,使得L1 和L2 的電感量是不相等的,于是 (L1- L2 )形成差模電感,它和L3 與L4 形成的獨立差模抑制電感與Cx 電容器又組成L - N獨立端口間的一只低通濾波器,用來抑制電源線上存在的差模EMI信號。
由于圖2電路是無源網(wǎng)絡(luò),它具有互易性。當它安裝在系統(tǒng)中后,既能有效地抑制電子設(shè)備外部的EMI信號傳入設(shè)備,又能大大衰減設(shè)備本身工作時產(chǎn)生的傳向電網(wǎng)的EMI信號,起到同時衰減兩組共模EMI信號和一組差模EMI信號的作用。
有時電源的開啟關(guān)閉、瞬時降壓及瞬時脈沖干擾會造成CPU的誤動作及數(shù)據(jù)的丟失。因此,單片機控制系統(tǒng)需要有完備的電源保護電路。ICTL7705和ICTL7700是兩種常用的電源電壓監(jiān)視集成電路芯片,它們具有電源啟停時、瞬時短路及瞬間降壓時產(chǎn)生復位信號的能力,當電源電壓恢復正常后,復位信號會被自動解除,并可以在較大的范圍內(nèi)設(shè)定復位脈沖的寬度。
圖3是ICTL7705與CPU連接示意圖。圖4為被監(jiān)視的電壓變化及7705輸出狀態(tài)的變化。從圖4中可以看出在上電過程、瞬間電壓降和瞬間脈沖干擾,電源監(jiān)視器都能正確給出復位信號。外部條件正常后,經(jīng)top時間,復位脈沖解除。top由CT來設(shè)定。ts為反應(yīng)時間,因為7705在500ns的短時間內(nèi)就可以偵測出壓降及脈沖干擾,對于一般系統(tǒng)過于靈敏,可以外加RC延時網(wǎng)絡(luò)。
3.2 場干擾及其抑制
電磁干擾通過空間傳播的實質(zhì)是干擾能量以場的形式向四周傳播。場分為近場和遠場。近場又稱感應(yīng)場,如果場源是高電壓小電流的源則近場主要是電場,如果場源是低電壓大電流的源則近場主要是磁場。由于感應(yīng)場傳輸能量,有隨距離成平方衰減的本性,因而其能量隨傳播距離的增加而衰減甚速;并且其強度存在方向性。所以不難想到消除這種干擾的方法,只能是調(diào)整受害設(shè)備與源之間的相對位置或屏蔽來實現(xiàn)。
無論場源是什么性質(zhì),當離場源距離大于λ/2π以后的場都變成了遠場,又稱輻射場。電磁輻射場能量的特點與電磁感應(yīng)場的能量傳輸完全不同。輻射場能量存在方式是:電場與磁場在空間位置上共存一處、矢量上相互垂直、時間上同位相。因此可以把它看成為一能量團獨立存在,并依據(jù)左手定則永遠向前傳播,而形成輻射場,并且它的能量損耗只與其傳播距離成反比,所以它的傳播要比感應(yīng)場遠得多。消除輻射干擾只能藉助于屏蔽一法。所以,對于距離較遠的系統(tǒng)間的電磁兼容問題,一般都用遠場輻射來分析。對于系統(tǒng)內(nèi),特別是同一設(shè)備內(nèi)的問題基本上是近場耦合問題。
3.2.1 遠場輻射
干擾源向周圍空間的輻射發(fā)射需要根據(jù)天線與電波傳播理論來計算,下面主要介紹單片機系統(tǒng)中常見的幾種輻射方式。
(1)單點輻射。單點輻射主要指各向同性的較小的干擾源。
如果印制板上有多條高頻率長軌線則可能產(chǎn)生嚴重的輻射。由上式可知減小信號環(huán)路的面積可以減小輻射,或者增加信號的最大波長,這可以通過延長信號的上升時間來實現(xiàn)。同樣當供電電源環(huán)路中有高頻電流流過時,電源環(huán)路也是很好的輻射源,所以應(yīng)該在高頻噪聲源處加去耦電容。給噪聲一條高頻旁路,以免流入電源環(huán)路,產(chǎn)生輻射。
(3)單導線輻射。當平行雙線環(huán)路中環(huán)路面積足夠小時,其差模電流產(chǎn)生的輻射可以忽略,而共模電流產(chǎn)生的輻射將成為主要因素,稱為單導線輻射。
(4)感應(yīng)。周圍空間的干擾電場和磁場都會在閉合環(huán)路中產(chǎn)生感應(yīng)電壓,從而對環(huán)路產(chǎn)生干擾。閉合環(huán)路產(chǎn)生的感應(yīng)電壓于環(huán)路面積成正比,環(huán)路面積越大感應(yīng)電壓越大,所以要避免外界噪聲場的干擾應(yīng)盡量減小環(huán)路面積。同時還可看到頻率越高產(chǎn)生的感應(yīng)電壓也越大,即高頻噪聲容易對環(huán)路產(chǎn)生干擾。
3.2.2 近場耦合
同一設(shè)備內(nèi)各部分電路之間距離較近的相互干擾常用近場耦合的方式處理。近場條件是離干擾源的距離小于λ/2π。近場有電場和磁場,通常把干擾源通過電場的耦合看成是電容耦合,通過磁場的耦合看成是互感耦合。對于近場耦合主要采取屏蔽的方法來減小耦合程度。
3.2.3 屏蔽
通過上面的分析,對于場的干擾可以通過屏蔽的方法加以抑制,下面將針對電場干擾,磁場干擾,電磁場干擾分別討論各自的屏蔽方法。
(1) 電場屏蔽
使用接地的金屬體包裹或隔離信號傳輸線,金屬體可以是很薄的金屬箔,屏蔽體必須接地,最好直接接地。對于屏蔽體的形狀,最好是盒形和全封閉的。
(2) 磁場屏蔽
磁場屏蔽通常指對直流磁場或甚高頻磁場的屏蔽,其屏蔽的效果比電場屏蔽和電磁場屏蔽要差得多。磁場屏蔽主要是利用高磁導率、低磁阻特性的屏蔽體對磁通所起的磁分路作用,使屏蔽體內(nèi)部的磁場大大減小。
在磁場頻率比較低時(100 kHz以下),通常采用鐵磁性材料如鐵、硅鋼片等進行磁場屏蔽。鐵磁性物質(zhì)的磁導率很大,所以可把磁力線集中在其內(nèi)部通過。高頻磁場屏蔽材料采用金屬良導體,例如銅、鋁等。當高頻磁場穿過金屬板時在金屬板上產(chǎn)生感應(yīng)電動勢,由于金屬板的電導率很高,所以產(chǎn)生很大的渦流,渦流又產(chǎn)生反磁場,與穿過金屬板的原磁場相互抵消,同時又增加了金屬板周圍的原磁場,總的效果是使磁力線在金屬板四周繞行而過。
在設(shè)計磁場屏蔽時,應(yīng)遵循如下準則:磁屏蔽體應(yīng)選用高磁導率的鐵磁性材料,防止磁飽和;被屏蔽物與屏蔽體內(nèi)壁應(yīng)留有一定間隙,防止磁短路現(xiàn)象發(fā)生;可增加屏蔽體壁厚,單層屏蔽體壁厚不宜超過2. 5 mm。若單層屏蔽體的屏蔽效果不好,可采用雙層屏蔽或多層屏蔽,也可防止磁飽和;應(yīng)使屏蔽體的接縫與孔洞的長邊平行于磁場分布的方向,圓孔的排列方向要使磁路增加量最小,目的是盡可能不阻斷磁通的通過;屏蔽體加工成型后都要進行退火處理;從磁屏蔽的機理而言,屏蔽體不需接地,但為了防止電場感應(yīng),一般還是要接地。
(3)電磁場屏蔽
電磁場屏蔽是利用屏蔽體阻止電磁場在空間傳播。電磁場屏蔽是靠對電磁波的反射和吸收來完成的,屏蔽效果與屏蔽體的厚度無關(guān),這與電場屏蔽和磁場屏蔽不同。因為屏蔽體對來自導線、電纜、元器件、電路或系統(tǒng)等外部的干擾電磁波和內(nèi)部電磁波均起著吸收能量(渦流損耗)、反射能量(電磁波在屏蔽體上的界面反射)和抵消能量(電磁感應(yīng)在屏蔽層上產(chǎn)生反向電磁場,可抵消部分干擾電磁波)的作用,所以屏蔽體具有減弱干擾的功能。
在設(shè)計電磁場屏蔽時,選擇屏蔽體材料的原則是:當干擾電磁場的頻率較高時,利用低電阻率(高電導率)的金屬材料中產(chǎn)生的渦流( ,電阻率越低,消耗的功率越大),形成對外來電磁波的抵消作用,從而達到屏蔽的效果;當干擾電磁波的頻率較低時,要采用高導磁率的材料,從而使磁力線限制在屏蔽體內(nèi)部,防止擴散到屏蔽的空間去;在某些場合下,如果要求對高頻和低頻電磁場都具有良好的屏蔽效果時,往往采用不同的金屬材料和磁材料組成多層屏蔽體。
3.3 I/O接口的硬件抗干擾
由于單片機控制系統(tǒng)中的I/0接口多數(shù)負責數(shù)據(jù)采集、控制執(zhí)行等工作。其受到干擾的機會比別的單元更多,通常情況下可采用:
(1) 光電耦合隔離。通過光電耦合器可以切斷2個電路間的電氣聯(lián)系,信號通過光路進行傳遞,發(fā)光管和晶體管之間無導線連接,能有效抑制尖峰脈沖和各種噪聲的干擾,從而能有效地防止干擾從過程通道進入主機。光耦的抗干擾能力很強,主要有以下三方面的原因:光耦的輸入阻抗很低,一般在100"1000Ω,而干擾源的內(nèi)阻一般都很大,通常為105"106Ω,根據(jù)分壓原理可知,這時能饋送到光耦輸入端的噪聲很小。即使有時干擾電壓的幅值很高,但所提供的能量卻很小,只能形成微弱的電流,而光耦輸入部分的發(fā)光二極管,只有通過一定強度的電流時才能發(fā)光,輸出部分的光敏三極管只在一定的光強下才能工作,因此電壓幅值很高的干擾,會由于沒有足夠的能量使發(fā)光二極管發(fā)光而被抑制掉;其次,光耦的輸入回路和輸出回路之間是光耦合的,而且又是在密封的條件下進行的,故不會受到外界光的干擾;最后,光耦的輸入回路和輸出回路之間的分布電容極小,絕緣電阻阻抗很大,因此回路一邊的各種噪聲很難通過光耦饋送到另一邊去。而且光耦隔離由于采用的是電流環(huán)路傳輸,所以能避免在長線傳輸?shù)臅r候,在傳輸線上積累高壓和感應(yīng)信號,使得數(shù)據(jù)紊亂甚至損壞TTL接口芯片,或者干擾單片機控制系統(tǒng)的正常運行。但是在使用光耦時,它的輸入部分和輸出部分必須分別采用獨立的電源供電,如果兩端共用一個電源,則光耦的隔離作用將失去意義。
(2) 雙絞線傳輸。雙絞線能使各個小環(huán)路的電磁感應(yīng)干擾相抵消,對電磁場干擾有一定的抑制作用。
(3)長線傳輸?shù)淖杩蛊ヅ?。要求源的輸出阻抗、傳輸線的特性阻抗與接受端的輸入阻抗三者相等。否則信號在傳輸線上會產(chǎn)生反射,造成失真,其危害程度與系統(tǒng)工作速度、傳輸線長度以及不匹配的程度有關(guān)。
(4)用電流傳輸代替電壓傳輸。其結(jié)果可獲得較好的抗干擾性能。例如:RS-485的抗干擾能力明顯高于RS-232。
另外,單片機不用的I/O口定義成輸出;閑置不用的門電路輸入端不要懸空,要接高電平或者接地;閑置不用的運算放大器正輸入端要接地,負輸入端接輸出端。
4 結(jié)束語
除了前面所講的硬件抗干擾設(shè)計外,還應(yīng)該采用軟件抗干擾措施,如數(shù)字濾波技術(shù),軟件陷阱技術(shù),軟件看門狗技術(shù)等等,通過綜合軟件和硬件抗干擾技術(shù)各自的特點、優(yōu)點,使得設(shè)計出來的系統(tǒng)達到最優(yōu)的性價比??傊蓴_的產(chǎn)生和傳遞是很復雜的,各種措施的有效性也不盡相同,在系統(tǒng)設(shè)計過程中,一開始便著手考慮干擾的抑制,精心進行硬件電路設(shè)計和軟件程序編寫。成功的抗干擾設(shè)計需要一定的理論指導,更需要實踐經(jīng)驗的積累,做到二者相結(jié)合,便能在短期內(nèi)設(shè)計出高質(zhì)量,高可靠性,連續(xù)穩(wěn)定運行的單片機控制系統(tǒng)。
本文的創(chuàng)新點是:通過分析單片機控制系統(tǒng)中電磁干擾產(chǎn)生的機理,總結(jié)出了一些實用的抑制電磁干擾的方法。
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