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	 > 元件/連接器 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > IR推出新一代150V及200V功率MOSFET器件通態(tài)電阻降低高達(dá)56%
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          IR推出新一代150V及200V功率MOSFET器件通態(tài)電阻降低高達(dá)56%
          
						
          
				作者：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用
				時(shí)間：2004-01-18
				來源：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用
				
				
				
				
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			功率半導(dǎo)體領(lǐng)袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出200V額定IRF7492及150V額定IRF7494 HEXFET N溝道功率MOSFET，成功地把器件通態(tài)電阻減低高達(dá)56%。與市場上同類器件中相應(yīng)通態(tài)電阻的電荷值相比，新器件的柵漏 (Gate-to-drain，即Miller) 電荷減低達(dá)50%。
          	若在典型的150W正激轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件，效率可提升0.5%，這將導(dǎo)致器件結(jié)溫降低15°C至20°C。
          	新MOSFET是專為正激或推挽式功率轉(zhuǎn)換器拓樸中的原邊開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，適用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的板上型功率模塊。
              IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示：“MOSFET的主要參數(shù)包括器件通態(tài)電阻和柵電荷。這些參數(shù)對電路整體性能具有一階效應(yīng)。全新IRF7492和IRF7494器件以IR最新溝槽技術(shù)制成，有助減低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提升整體效率。”
              IRF7492及IRF7494具有低通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和柵電荷，最適用于高達(dá)500kHz的直流-直流轉(zhuǎn)換器開關(guān)應(yīng)用系統(tǒng)，柵電壓最高達(dá)20V。新MOSFET還具有低柵阻抗，能將開關(guān)損耗降至前所未有的水平。
           
          全新IRF7492及IRF7494 HEXFET MOSFET已有供應(yīng)。數(shù)據(jù)冊詳載于IR網(wǎng)頁www.irf.com，基本規(guī)格如下：
          產(chǎn)品型號	封裝	VDSS	VGS=10V下RDS(on)最大值	典型Qg值 	典型Qgd值
          IRF7494	SO-8	150V	44mOhm	36nC	13nC
          IRF7492	SO-8	200V	75mOhm	38nC	16nC
				
            
          
                
			
								
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(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();