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          基于PT4201控制芯片的離線式LED射燈設(shè)計方案

          作者: 時間:2013-11-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          rgin: 10px; font-family: Arial, Helvetica, sans-serif; font-size: 14px; line-height: 26px; background-color: rgb(255, 255, 255); ">  當(dāng)LED負(fù)載發(fā)生短路時,光耦發(fā)光管兩端電壓等于輸出電壓,由于輸出功率很小因此整個系統(tǒng)工作是安全的。當(dāng)采樣電阻發(fā)生短路時,由于光耦發(fā)光管兩端電壓為零,發(fā)光管不導(dǎo)通導(dǎo)致FB電壓快速爬升到保護(hù)閾值。在Rosc為100Kohm情況下,過32mS后將自動關(guān)閉。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/222173.htm

            工作頻率設(shè)定:

            的Rosc引腳為設(shè)定PWM頻率提供了方便,用一個電阻接在Rosc引腳和GND之間可以對PWM頻率進(jìn)行設(shè)定(圖4)。PWM頻率與設(shè)定電阻之間的關(guān)系遵循以下關(guān)系:Fosc=6500/Rosc.FOSC單位KHz,Rosc單位Kohm.

          基于PT4201控制芯片的離線式LED射燈設(shè)計方案

            圖4工作頻率設(shè)定

            在正常工作時會周期性地改變PWM工作頻率進(jìn)行頻率抖動,周期性改變的頻率把EMI傳導(dǎo)干擾擴展到更寬的頻譜范圍內(nèi)從而降低了傳導(dǎo)段的EMI干擾。

            電流采樣以及前沿消隱:

            PT4201的CS引腳的功能之一是采樣外部MOSFET電流進(jìn)行電流斜率補償;二是提供逐周期的MOSFET過流保護(hù)功能。PT4201通過采樣與功率MOSFET串聯(lián)的采樣電阻來采樣流過MOSFET的電流,流過MOSFET的電流在采樣電阻Rcs上轉(zhuǎn)換成電壓信號,CS上電壓和FB電壓共同決定了PWM脈沖占空比。

            在PWM每個導(dǎo)通周期當(dāng)CS引腳的電壓超過內(nèi)部門限電壓時MOSFET將立即被關(guān)掉防止過流對器件的損傷。過流門限電壓與MOSFET的電流可由以下關(guān)系確定:IOC=Voc/Rcs

            其中IOC為MOSFET電流,Voc為過流門限電壓,Rcs為采樣電阻大小。內(nèi)部過流的門限值與PWM占空比大小有關(guān),當(dāng)PWM占空比為0時,過流門限值為0.80V.

          基于PT4201控制芯片的離線式LED射燈設(shè)計方案

            圖5省略RC濾波器

            由于變壓器副繞組整流電路反向恢復(fù)時間以及初級繞組寄生電容等因素影響,在每一個PWM周期開啟瞬間會在采樣電阻上產(chǎn)生一個持續(xù)時間很短的尖峰電壓。為此PT4201會在MOSFET開啟后屏蔽CS采樣輸入一段時間TBLK,在這段時間內(nèi),過流保護(hù)被關(guān)閉不會關(guān)掉外部MOSFET.這樣可以避免MOSFET開啟瞬間在采樣電阻上產(chǎn)生的電壓毛刺而造成誤動作。PT4201提供的這種功能可以省去電流采樣電路所需的RC濾波器(圖5)?! DD過壓保護(hù)

            當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生嚴(yán)重故障時,例如對于光耦開路或者反饋開路的情況,光耦輸出電流接近零致使FB端電壓上升。FB電壓上升將會使PT4201工作在過流保護(hù)狀態(tài),因為有多余的電流供給負(fù)載,如果超出了負(fù)載所需電流大小會使輸出電壓迅速爬升。由于輔助繞組的電壓與輸出電壓成一定的比例,輸出電壓升高引起輔助繞組電壓升高進(jìn)而使VDD電壓升高,當(dāng)PT4201檢測到VDD引腳電壓達(dá)到過壓保護(hù)點時會關(guān)閉PWM.當(dāng)OVP被觸發(fā)時由于沒有能量供給負(fù)載及輔助繞組,VDD電壓和輸出電壓下降,當(dāng)降低到OVP解除電壓時將重新開啟正常工作。這時如果故障解除則正常工作,如果故障依然存在將重新進(jìn)入OVP保護(hù)狀態(tài)(圖6)。

          基于PT4201控制芯片的離線式LED射燈設(shè)計方案

            圖6VDD過壓保護(hù)

            OUT輸出驅(qū)動:

            PT4201的OUT腳用來驅(qū)動功率MOSFET的柵極。優(yōu)化設(shè)計圖騰柱形式輸出的驅(qū)動能力使驅(qū)動強度和EMI得到良好的折衷。同時,OUT的輸出高電位被限制到了18V,從而可以保護(hù)由于VDD升高可能對MOSFET造成的損傷。內(nèi)部OUT和GND之間有一個電阻,可以在芯片不工作時將外部MOSFET的柵極可靠置為0電位。

            PT4201的E273W離線式射燈設(shè)計方案

            PT4201的E273W離線式射燈設(shè)計方案應(yīng)用線路是典型的反激式的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用副邊反饋(即光耦反饋),以提高輸出電流精度。相比于原邊反饋電路電流精度+-5%,副邊反饋的電路精度在+-2%以內(nèi),成本只增加了0.3RMB,但卻給大批量生產(chǎn)時提供了便利。

          基于PT4201控制芯片的離線式LED射燈設(shè)計方案

            圖7PT4201的E273W離線式射燈電路圖

            3WE27的應(yīng)用一般負(fù)載接3顆1W的LED,每顆LED的VF在3.4V+-0.2V左右。一般電流為300mA-350mA.工作原理如圖7所示,AC85V-265V交流電輸入,通過L1(相當(dāng)于一個保險絲,抗浪涌)后接入整流橋,從整流橋出來的電壓大約為1.4XVin,電流1A左右。C1是一個濾波電容,電容值的選擇大約是負(fù)載功率的1-3倍即可,此處3W的應(yīng)用采用4.7uF的電容,如選擇太小的會導(dǎo)致紋波大,選擇太大的空間又不允許。PT4201的VDD端一開始由R4降壓后供電,18V啟動,啟動之后就通過變壓器輔助繞組供電,電壓在9-27V之間。R1、C3和D2是一個RCD吸收回路,用來吸收Q1開關(guān)時產(chǎn)生的尖峰。減小R1,可以提高吸收效果,但是會導(dǎo)致系統(tǒng)效率降低,建議采用折衷的方式。PT4201的RI端所接電阻R7是用來設(shè)定開關(guān)頻率的,此處把頻率設(shè)定在65kHz.PT4201的CS端連接采樣電阻R8、R9,設(shè)置電流。變壓器是一個重要的部件,采用反激式的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),當(dāng)Q1關(guān)斷時,變壓器5、6斷導(dǎo)



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