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          你問我答 LED設(shè)計十大經(jīng)典問答

          作者: 時間:2013-10-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          近年來,LED制造工藝的不斷進(jìn)步和新材料(氮化物晶體和熒光粉)的開發(fā)和應(yīng)用,各種顏色的超高亮度LED取得了突破性進(jìn)展,其發(fā)光效率提高了近1000倍,色度方面已實(shí)現(xiàn)了可見光波段的所有顏色,其中最重要的是超高亮度白光LED的出現(xiàn),使LED應(yīng)用領(lǐng)域跨越至高效率光源市場成為可能。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/222232.htm

            通過十多年對的潛心研究和學(xué)習(xí)。本人收集了LED應(yīng)用設(shè)計中一些經(jīng)典性的基礎(chǔ)問題分享給大家。其中涉及到內(nèi)容有單個LED的流明效率與用LED作光源構(gòu)成的燈具的流明效率異同分析,LED的結(jié)溫原理及結(jié)溫升高會對LED產(chǎn)生的影響問題,靜電破壞的原理以及列舉一些類型的LED容易受靜電破壞導(dǎo)致失效,探討LED路燈防雷能用一個壓敏電阻的問題,解讀設(shè)計高品質(zhì)LED驅(qū)動電路的方法和選擇和設(shè)計LED驅(qū)動電源時要考慮哪些因素等問題。

            問:單個LED的流明效率與用LED作光源構(gòu)成的燈具的流明效率有什么異同?

            答:針對某一個特定的LED,加上規(guī)定的正向偏置,如加上IF=20mA正向電流后(對應(yīng)的VF≈3.4V),測得的輻射光通量Φ=1.2lm,則這個LED的流明效率為η=1.2lm×1000/3.4V×20mA=1200/68≈17.6lm/W。顯然,對單個LED,如施加的電功率Pe=VF×IF,那么在這個功率下測得的輻射光通量折算為每瓦的流明值即為單個LED的流明效率。

            但是,作為一個燈具,不論LEDPN結(jié)上實(shí)際加上的功率VF×IF是多少,燈具的電功率總是燈具輸入端口送入的電功率,它包括電源部分(如穩(wěn)壓器、穩(wěn)流源、交流整流成直流電源部分等)所消耗的功率。燈具中,驅(qū)動電路的存在使它的流明效率比測試單個LED的流明效率要下降。電路損耗越大,流明效率越低,因此,尋找一種高效率的LED驅(qū)動電路就顯得極為重要。

            問:什么是LED的結(jié)溫?結(jié)溫升高會對LED造成什么影響?

            答:LED基本結(jié)構(gòu)是一個半導(dǎo)體的PN結(jié)。當(dāng)電流流過LED器件時,PN結(jié)的溫度將上升,嚴(yán)格意義上說,就把PN結(jié)區(qū)的溫度定義為LED的結(jié)溫。通常由于器件芯片均具有很小的尺寸,因此我們也可把LED芯片的溫度視之為結(jié)溫。

            當(dāng)PN結(jié)的溫度(例如環(huán)境溫度)升高時,PN結(jié)內(nèi)部的雜質(zhì)電離加快,本征激發(fā)加速。當(dāng)本征激發(fā)產(chǎn)生的復(fù)合載流子的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過雜質(zhì)濃度時,本征載流子的數(shù)量增大的影響較之遷移率減小的半導(dǎo)體電阻率變化的影響更為嚴(yán)重,導(dǎo)致內(nèi)量子效率下降,溫度升高又導(dǎo)致電阻率下降,使同樣IF下,VF降低。如果不用恒流源驅(qū)動LED,則VF降將促使IF指數(shù)式增加,這個過程將使LEDPN結(jié)上溫升更加快,最終溫升超過最大結(jié)溫,導(dǎo)致LEDPN結(jié)失效,這是一個正反饋的惡性過程。

            PN結(jié)上溫度升高,使半導(dǎo)體PN結(jié)中處于激發(fā)態(tài)的電子/空穴復(fù)合時從高能級向低能級躍遷時發(fā)射出光子的過程發(fā)生退化。這是由于PN結(jié)上溫度升高時,半導(dǎo)體晶格的振幅增大,使振動的能量也發(fā)生增加,當(dāng)它超過一定值時,電子/空穴從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時會與晶格原子(或離子)交換能量,于是成為無光子輻射的躍遷,LED的光學(xué)性能退化?! ×硗?,PN結(jié)上溫度升高還會引起雜質(zhì)半導(dǎo)體中電離雜質(zhì)離子所形成的晶格場使離子能級裂變,能級分裂受PN結(jié)溫度的影響,這就意味著由于溫度影響晶格振動,使其晶格場的對稱性發(fā)生變化,從而引起能級分裂,導(dǎo)致電子躍遷時產(chǎn)生的光譜發(fā)生變化,這就是LED發(fā)光波長隨PN結(jié)溫升而變化的原因。

            綜上所述,LENPN結(jié)上的溫升會引起它的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能的變化,過高的溫升還會引起LED封裝材料(例如環(huán)氧、熒光粉等)物理性能的變化,嚴(yán)重時會導(dǎo)致LED失效,所以降低PN結(jié)溫升,是應(yīng)用LED的重要關(guān)鍵所在。

            問:什么是靜電破壞?哪些類型的LED容易受靜電破壞導(dǎo)致失效?

            答:靜電實(shí)際上是由電荷累積構(gòu)成。人們在日常生活中,特別在干燥天氣環(huán)境中,當(dāng)用手去觸摸門窗類物品時會感覺“觸電”,這就是門窗類物品靜電積累到一定程度時對人體的“放電”。對于羊毛織品、尼龍化纖物品,靜電積累起來的電壓可高達(dá)一萬多伏特,電壓十分高,但靜電功率不大,不會威脅生命,然而對于某些電子器件卻可以致命,造成器件失效。

            LED中用GN基構(gòu)成的器件,由于是寬禁帶半導(dǎo)體材料,它的電阻率較高,對于InGaN/AlGaN/GaN的雙異質(zhì)結(jié)藍(lán)色光LED,其InGaN的有源層的厚度一般只有幾十納米,再由于這種LED的兩個正、負(fù)電極在芯片同一面上,之間距離很小,若兩端靜電電荷累積到一定值時,這一靜電電壓會將PN擊穿,使其漏電增大,嚴(yán)重時PN結(jié)擊穿短路,LED失效。

            正因?yàn)榇嬖陟o電威脅,對于上述結(jié)構(gòu)的LED芯片和器件在加工過程中對加工廠地、機(jī)器、工具、儀器,包括員工服裝均要采取防靜電措施,確保不損傷LED。另外,在芯片和器件的包裝上也要采用防靜電材料。

            問:LED路燈防雷能用一個壓敏電阻嗎

            答:關(guān)于路燈的防雷設(shè)計并非是一個簡單的問題。首先要了解你的路燈系統(tǒng)方案全貌架構(gòu),如采用AC-->開關(guān)電源-->恒流源-->LED光源的方案,那么,你應(yīng)該首先考慮開關(guān)電源的防雷,雷擊的侵入往往是由AC電線導(dǎo)入的,先被侵害的主體應(yīng)該是開關(guān)電源,


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