分析三種新型半導體發(fā)光材料對半導體照明的應用

　　1）作為新一代寬禁帶半導體,GaN,SiC,ZnO的共同特點是它們的禁帶寬度在3.3到3.5eV之間,是Si的三倍,GaAs的兩倍.由于它們的一些特殊性質和潛在應用而備受關注。

　　2）GaN及其相關的固熔體合金可以實現帶隙1.9eV(InN)到6.2eV(AlN)連續(xù)可調,是實現整個可見光波段和紫外光波段發(fā)光和制作短波長半導體激光器的理想材料。目前GaN材料的研制工作已取相當成功，并進入了實用化階段。一旦GaN在襯底等關鍵技術領域取得突破，其產業(yè)化進程將會取得長足發(fā)展，有望在將來取代傳統(tǒng)的白熾燈,成為主要的照明工具。

　　3）SiC和ZnO體單晶不但具有優(yōu)異的光學、電學等性質,還具有其它材料無法比擬的優(yōu)勢——同質外延,預計亮度將是GaNLED的10倍而價格和能耗則只有1/10。隨著對半導體材料性能的不斷探索,進一步完善材料作用原理和器件工藝水平,碳化硅和氧化鋅會是將來紫光LED的主要材料。