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          分析三種新型半導(dǎo)體發(fā)光材料對半導(dǎo)體照明的應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2013-10-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室利用自行設(shè)計(jì)的坩堝和溫場,穩(wěn)定、重復(fù)地生長出了直徑大于50.8mm的6H-SiC晶體,晶體厚度大于20mm。中國科學(xué)院物理研究所成功生長出直徑為50.8mm、厚度為25.4mm,具有較高質(zhì)量的6H多型SiC單晶.除外,SiC器件還處于研制階段.一方面SiC材料,特別是3C-SiC中的各種缺陷影響器件性能.另一方面與器件相關(guān)的工藝使得SiC的優(yōu)勢尚未得到開發(fā)。

            1)作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體,GaN,SiC,ZnO的共同特點(diǎn)是它們的禁帶寬度在3.3到3.5eV之間,是Si的三倍,GaAs的兩倍.由于它們的一些特殊性質(zhì)和潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。

            2)GaN及其相關(guān)的固熔體合金可以實(shí)現(xiàn)帶隙1.9eV(InN)到6.2eV(AlN)連續(xù)可調(diào),是實(shí)現(xiàn)整個(gè)可見光波段和紫外光波段發(fā)光和制作短波長半導(dǎo)體激光器的理想材料。目前GaN材料的研制工作已取相當(dāng)成功,并進(jìn)入了實(shí)用化階段。一旦GaN在襯底等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破,其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將會取得長足發(fā)展,有望在將來取代傳統(tǒng)的白熾燈,成為主要的照明工具。

            3)SiC和ZnO體單晶不但具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)等性質(zhì),還具有其它材料無法比擬的優(yōu)勢——同質(zhì)外延,預(yù)計(jì)亮度將是GaN的10倍而價(jià)格和能耗則只有1/10。隨著對半導(dǎo)體材料性能的不斷探索,進(jìn)一步完善材料作用原理和器件工藝水平,碳化硅和氧化鋅會是將來紫光的主要材料。

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