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          解析LED熱阻結(jié)構(gòu)測(cè)量與分析技術(shù)進(jìn)展

          作者: 時(shí)間:2013-10-01 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          rgb(255,255,255); TEXT-ALIGN: left; orphans: 2; widows: 2; webkit-text-size-adjust: auto; webkit-text-stroke-width: 0px">  3.2 熱阻結(jié)構(gòu)測(cè)量技術(shù)

            熱阻測(cè)量中,獲取熱阻結(jié)構(gòu)特征的第一步為測(cè)量瞬態(tài)熱阻曲線,即結(jié)溫變化曲線,如圖4所示。

          解析LED熱阻結(jié)構(gòu)測(cè)量與分析技術(shù)進(jìn)展

            不難看出,溫度變化的信息主要包含在測(cè)試初期很短的時(shí)間內(nèi)。要很好地分辨出芯片這樣的微小結(jié)構(gòu),需要能夠在微秒級(jí)的時(shí)間內(nèi)對(duì)結(jié)溫采樣測(cè)量;同時(shí),由于測(cè)量分析對(duì)噪聲相當(dāng)敏感,確定的邊界條件和穩(wěn)定的供電電源也至關(guān)重要,也即,測(cè)試設(shè)備必須實(shí)現(xiàn)MHz級(jí)的高精度測(cè)量采樣,才能滿足熱阻結(jié)構(gòu)分析的需求,這是具有相當(dāng)挑戰(zhàn)性的。

            另外,消耗的電功率一般轉(zhuǎn)化成熱功率和光輻射功率兩部分,而根據(jù)定義,熱阻是熱傳導(dǎo)路徑上溫度差與熱功率的比值,而要準(zhǔn)確獲取熱功率,就必須對(duì)LED進(jìn)行光輻射度測(cè)量,而實(shí)際上,現(xiàn)有的一些熱阻測(cè)量系統(tǒng)并沒有考慮提出光輻射功率,它們測(cè)量的只能稱為“參考熱阻”【4】。

            3.3 熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)分析

            熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)分析是獲取LED熱阻結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵,同時(shí)也是難點(diǎn)所在。

            現(xiàn)實(shí)中我們很難得到連續(xù)的熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù),而是通常采用有限元分析法,將熱傳導(dǎo)路徑分解成有限個(gè)單元,計(jì)算各個(gè)單元的熱容和熱阻,以獲取熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)的離散形式。基本原理中我們已經(jīng)提到,可以用電路的形式來(lái)描述熱傳導(dǎo)介質(zhì),使分析過(guò)程更為直觀。對(duì)一維熱傳導(dǎo)介質(zhì)的有限元模型可以R-C電路的形式表示為Cauer模型回路,見圖5。

          解析LED熱阻結(jié)構(gòu)測(cè)量與分析技術(shù)進(jìn)展

            該模型描述了熱流從PN結(jié)至熱沉過(guò)程中,依次經(jīng)過(guò)的各個(gè)單元所具有的熱容和熱阻。分析時(shí)采用的Cauer模型的單元越多,對(duì)介質(zhì)的描述越細(xì)致,與實(shí)際情形也越接近。

            熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)描述的是熱傳導(dǎo)路徑上介質(zhì)的熱容與熱阻間的關(guān)系,可分為微分結(jié)構(gòu)函數(shù)和積分結(jié)構(gòu)函數(shù)兩種。圖6即為積分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線的示例。積分結(jié)構(gòu)函數(shù)的橫坐標(biāo)值代表從熱傳導(dǎo)出發(fā)點(diǎn)至當(dāng)前點(diǎn)的累積熱阻值,縱坐標(biāo)代表從熱傳導(dǎo)出發(fā)點(diǎn)至當(dāng)前點(diǎn)的總熱容值。微分結(jié)構(gòu)函數(shù)則是積分結(jié)構(gòu)函數(shù)關(guān)于橫坐標(biāo)求導(dǎo)后的結(jié)果,類似于“熱容密度”函數(shù)。在獲取離散形式熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)的過(guò)程中,由于計(jì)算過(guò)程中涉及了大量卷積,反卷積,以及多次如傅里葉變換等數(shù)學(xué)處理過(guò)程,隨著Cauer模型單元數(shù)的增加,對(duì)測(cè)量精度,速度的要求以及計(jì)算量都將急劇上升。

            4. 應(yīng)用實(shí)例

            4.1 測(cè)試設(shè)備

            本次測(cè)試選用了我國(guó)自主研發(fā)的遠(yuǎn)方TRA-200熱阻分析儀,見圖7。TRA-200是專門用于熱阻分析的設(shè)備,其可實(shí)現(xiàn)在1微秒內(nèi)對(duì)瞬態(tài)溫度的精確測(cè)量,且噪聲較低,并具有輻射度測(cè)量功能,可記錄升溫、降溫曲線,精確測(cè)量LED封裝產(chǎn)品的熱阻、參考熱阻、結(jié)溫、光輻射功率、電壓、電流等參數(shù)。

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          TRA-200 熱阻分析儀

            本次測(cè)試選用的被測(cè)樣本是一個(gè)由芯片、金屬外殼和鋁基板構(gòu)成的LED。本文對(duì)同一樣本進(jìn)行了兩次實(shí)驗(yàn),一次該樣本鋁基板直接與熱沉接觸,另一次在鋁基板與熱沉間涂上了導(dǎo)熱硅脂。對(duì)其各自進(jìn)行熱阻測(cè)量,并將結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。



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