分析高亮LED芯片結(jié)構(gòu)應(yīng)用

目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于基底材料和晶圓生長技術(shù)?；撞牧铣藗鹘y(tǒng)的藍(lán)寶石材料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前研究的焦點(diǎn)。無論是重點(diǎn)照明和整體照明的大功率芯片，還是用于裝飾照明和一些簡單輔助照明的小功率芯片，技術(shù)提升的關(guān)鍵均圍繞如何研發(fā)出更高效率、更穩(wěn)定的芯片。因此，提高LED芯片的效率成為提升LED照明整體技術(shù)指標(biāo)的關(guān)鍵。

　　在短短數(shù)年內(nèi)，借助芯片結(jié)構(gòu)、表面粗化、多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等一系列技術(shù)的改進(jìn)，LED在發(fā)光效率出現(xiàn)重大突破，LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展如圖1所示。相信隨著該技術(shù)的不斷成熟，LED量子效率將會(huì)得到進(jìn)一步的提高，LED芯片的發(fā)光效率也會(huì)隨之攀升。

　　薄膜芯片技術(shù)是生產(chǎn)超亮LED芯片的關(guān)鍵技術(shù)，可以減少側(cè)向的出光損失，通過底部反射面可以使得超過97%的光從正面輸出(圖2)，不僅大大提高LED發(fā)光效率，也簡易透鏡的設(shè)計(jì)。

　　圖1LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展歷程

　　圖2普通LED和薄技技術(shù)LED的正面出光率比較

　　三大封裝技術(shù)介紹

　　高功率LED封裝技術(shù)可區(qū)分為單顆芯片、多芯片整合及芯片板上封裝三大類，以下將進(jìn)行說明。

　　發(fā)光效率、散熱、可靠性為單顆芯片封裝優(yōu)勢

　　單顆芯片封裝是封裝技術(shù)中應(yīng)用最多的，其主要的技術(shù)瓶頸在于芯片的良率、色溫的控制及熒光粉的涂敷技術(shù)，而歐司朗光電半導(dǎo)體的Golden DRAGON Plus LED，采用硅膠封裝，其封裝外型及內(nèi)部簡要結(jié)構(gòu)如圖3所示。該LED具有170度的光束角，能理想地配合二次光學(xué)透鏡或反光杯，其硅膠透鏡有著耐高溫及低衰減的特性。獨(dú)特的封裝設(shè)計(jì)進(jìn)一步提升LED的散熱性能，使產(chǎn)品的熱阻控制在每瓦6.5℃左右，有助于降低熱阻。另外，熒光粉的特定配制使LED的色溫覆蓋冷白、中性白和暖白范圍。單芯片封裝的優(yōu)勢在于光效高、易于散熱、易配光及可靠性。

　　圖3歐司朗光電半導(dǎo)體Golden DRAGON Plus LED的封裝外型及內(nèi)部結(jié)構(gòu)

　　多芯片整合封裝于小體積內(nèi)可達(dá)高光通量

　　多芯片整合組件是目前大功率LED組件最常見的另一種封裝形式，可區(qū)分為小功率和大功率芯片整合組件兩類，前者以六顆低功率芯片整合的1瓦大功率LED組件最典型，此類組件的優(yōu)勢在于成本較低，是目前不少大功率組件的主要制作途徑。大功率芯片結(jié)合以O(shè)STARSMT系列為代表，其封裝外型如圖4所示，通過優(yōu)化設(shè)計(jì)，可使最終產(chǎn)品的熱阻控制在每瓦3.1℃，同時(shí)可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)15瓦的高功率。該封裝的優(yōu)勢在于在很小的空間內(nèi)達(dá)到很高的光通量。

　　圖4歐司朗光電半導(dǎo)體OSTARSMTLED的封