高亮度LED之“封裝熱導(dǎo)”原理技術(shù)探析

過去LED只能拿來做為狀態(tài)指示燈的時(shí)代，其封裝散熱從來就不是問題，但近年來LED的亮度、功率皆積極提升，并開始用于背光與電子照明等應(yīng)用后，LED的封裝散熱問題已悄然浮現(xiàn)。

上述的講法聽來有些讓人疑惑，今日不是一直強(qiáng)調(diào)LED的亮度突破嗎？2003年Lumileds Lighting公司Roland Haitz先生依據(jù)過去的觀察所理出的一個(gè)經(jīng)驗(yàn)性技術(shù)推論定律，從1965年第一個(gè)商業(yè)化的LED開始算，在這30多年的發(fā)展中，LED約每18個(gè)月24個(gè)月可提升一倍的亮度，而在往后的10年內(nèi)，預(yù)計(jì)亮度可以再提升20倍，而成本將降至現(xiàn)有的1/10，此也是近年來開始盛行的Haitz定律，且被認(rèn)為是LED界的Moore（摩爾）定律。

依據(jù)Haitz定律的推論，亮度達(dá)100lm/W（每瓦發(fā)出100流明）的LED約在2008年2010年間出現(xiàn)，不過實(shí)際的發(fā)展似乎已比定律更超前，2006年6月日亞化學(xué)工業(yè)（Nichia）已經(jīng)開始提供可達(dá)100lm/W白光LED的工程樣品，預(yù)計(jì)年底可正式投入量產(chǎn)。

不僅亮度不斷提升，LED的散熱技術(shù)也一直在提升，1992年一顆LED的熱阻抗（ThermalResistance）為360℃/W，之后降至125℃/W、75℃/W、15℃/W，而今已是到了每顆6℃/W10℃/W的地步，更簡單說，以往LED每消耗1瓦的電能，溫度就會(huì)增加360℃，現(xiàn)在則是相同消耗1瓦電能，溫度卻只上升6℃10℃。

少顆數(shù)高亮度、多顆且密集排布是增熱元兇

既然亮度效率提升、散熱效率提升，那不是更加矛盾？應(yīng)當(dāng)更加沒有散熱問題不是？其實(shí)，應(yīng)當(dāng)更嚴(yán)格地說，散熱問題的加劇，不在高亮度，而是在高功率；不在傳統(tǒng)封裝，而在新封裝、新應(yīng)用上。

首先，過往只用來當(dāng)指示燈的LED，每單一顆的點(diǎn)亮（順向?qū)ǎ╇娏鞫嘣?mA30mA間，典型而言則為20mA，而現(xiàn)在的高功率型LED（注1），則是每單一顆就會(huì)有330mA1A的電流送入，「每顆用電」增加了十倍、甚至數(shù)十倍（注2）。

注1：現(xiàn)有高功率型LED的作法，除了將單一發(fā)光裸晶的面積增大外，也有采行將多顆裸晶一同封裝的作法。事實(shí)上有的白光LED即是在同一封裝內(nèi)放入紅、綠、藍(lán)3個(gè)原色的裸晶來混出白光。

注2：雖然各種LED的點(diǎn)亮（順向?qū)ǎ╇妷河挟?，但在此暫且忽略此一差異?

在相同的單顆封裝內(nèi)送入倍增的電流，發(fā)熱自然也會(huì)倍增，如此散熱情況當(dāng)然會(huì)惡化，但很不幸的，由于要將白光LED拿來做照相手機(jī)的閃光燈、要拿來做小型照明用燈泡、要拿來做投影機(jī)內(nèi)的照明燈泡，如此只是高亮度是不夠的，還要用上高功率，這時(shí)散熱就成了問題。

上述的LED應(yīng)用方式，僅是使用少數(shù)幾顆高功率LED，閃光燈約14顆，照明燈泡約18顆，投影機(jī)內(nèi)10多顆，不過閃光燈使用機(jī)會(huì)少，點(diǎn)亮?xí)r間不長，單顆的照明燈泡則有較寬裕的周遭散熱空間，而投影機(jī)內(nèi)雖無寬裕散熱空間但卻可裝置散熱風(fēng)扇。

可是，現(xiàn)在還有許多應(yīng)用是需要高亮度，但又需要將高亮度LED密集排列使用的，例如交通號志燈、訊息看板的走馬燈、用LED組湊成的電視墻等，密集排列的結(jié)果便是不易散熱，這是應(yīng)用所造成的散熱問題。

更有甚者，在液晶電視的背光上，既是使用高亮度LED，也要密集排列，且為了講究短小輕薄，使背部可用的散熱設(shè)計(jì)空間更加拘限，且若高標(biāo)要求來看也不應(yīng)使用散熱風(fēng)扇，因?yàn)轱L(fēng)扇的吵雜聲會(huì)影響電視觀賞的品味情緒。

散熱問題不解決有哪里些副作用？

好！倘若不解決散熱問題，而讓LED的熱無法排解，進(jìn)而使LED的工作溫度上升，如此會(huì)有什么影響嗎？關(guān)于此最主要的影響有二：(1)發(fā)光亮度減弱、(2)使用壽命衰減。

舉例而言，當(dāng)LED的p-n接面溫度（Junction Temperature）為25℃（典型工作溫度）時(shí)亮度為100，而溫度升高至75℃時(shí)亮度就減至80，到125℃剩60，到175℃時(shí)只剩40。很明顯的，接面溫度與發(fā)光亮度是呈反比線性的關(guān)系，溫度愈升高，LED亮度就愈轉(zhuǎn)暗。

溫度對亮度的影響是線性，但對壽命的影響就呈指數(shù)性，同樣以接面溫度為準(zhǔn)，若一直保持在50℃以下使用則LED有近20,000小時(shí)的壽命，75℃則只剩10,000小時(shí)，100℃剩5,000小時(shí)，125℃剩2,000小時(shí)，150℃剩1,000小時(shí)。溫度光從50℃變成2倍的100℃，使用壽命就從20,000小時(shí)縮成1/4倍的5,000小時(shí)，傷害極大。

裸晶層：光熱一體兩面的發(fā)散源頭：p-n接面

關(guān)于LED的散熱我們同樣從最核心處逐層向外討論，一起頭也是在p-n接面部分，解決方案一樣是將電能盡可能轉(zhuǎn)化成光能，而少轉(zhuǎn)化成熱能，也就是光能提升，熱能就降低，以此來降低發(fā)熱。

如果更進(jìn)一步討論，電光轉(zhuǎn)換效率即是內(nèi)部量子化效率（InternalQuantumEfficiency；IQE），今日一般而言都已有70％90％的水平，真正的癥結(jié)在于外部量子化效率（ExternalQuantum Efficiency；EQE）的低落。

以Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED為例，Tj接面溫度為25℃，順向驅(qū)動(dòng)電流為350mA，如此以InGaN而言，隨著波長（光色）的不同，其效率約在5％27％之間，波長愈高效率愈低（草綠色僅5％，藍(lán)色則可至27％），而AlInGaP方面也是隨波長而有變化，但卻是波長愈高效率愈高，效率大體從8％40％（淡黃色為低，橘紅最高）。

由于增加光取出率（Extraction Efficiency，也稱：汲光效率、光取效率）也就等于減少熱發(fā)散率，等于是一個(gè)課題的兩面，而關(guān)于光取出率的提升請見另一篇專文：高亮度LED之「封裝光通」原理技術(shù)探析。在此不再討論。

裸晶層：基板材料、覆晶式鑲嵌

如何在裸晶層面增加散熱性，改變材質(zhì)與幾何結(jié)構(gòu)再次成為必要的手段，關(guān)于此目前最常用的兩種方式是：1.換替基板（Substrate，也稱：底板、襯底，有些地方也稱為：Carrier）的材料。2.經(jīng)裸晶改采覆晶（Flip-Chip，也稱：倒晶）方式鑲嵌（mount）。

先說明基板部分，基板的材料并不是說換就能換，必須能與裸晶材料相匹配才行，現(xiàn)有AlGaInP常用的基板材料為GaAs、Si，InGaN則為SiC、Sapphire（并使用AlN做為緩沖層）。

備注：為了強(qiáng)化LED的散熱，過去的FR4印刷電路板已不敷應(yīng)付，因此提出了內(nèi)具金屬核心的印刷電路板，稱為MCPCB，運(yùn)用更底部的鋁或銅等熱傳導(dǎo)性較佳的金屬來加速散熱，不過也因絕緣層的特性使其熱傳導(dǎo)受到若干限制。（制圖：郭長佑）

對光而言，基板不是要夠透明使其不會(huì)阻礙光，就是在發(fā)光層與基板之間再加入一個(gè)反光性的材料層，以此避免「光能」被基板所阻礙、吸收，形成浪費(fèi)，例如GaAs基板即是不透光，因此再加入一個(gè)DBR（DistributedBraggReflector）反射層來進(jìn)行反光。而Sapphire基板則是可直接反光，或透明的GaP基板可以透光。

除此之外，基板材料也必須具備良好的熱傳導(dǎo)性，負(fù)責(zé)將裸晶所釋放出的熱，迅速導(dǎo)到更下層的散熱塊（HeatSlug）上，不過基板與散熱塊間也必須使用熱傳導(dǎo)良好的介接物，如焊料或?qū)岣?。同時(shí)裸晶上方的環(huán)氧樹脂或矽樹脂（即是指：封膠層）等也必須有一定的耐熱能力，好因應(yīng)從p-n接面開始，傳導(dǎo)到裸晶表面的溫度。

除了強(qiáng)化基板外，另一種作法是覆晶式鑲嵌，將過去位于上方的裸晶電極轉(zhuǎn)至下方，電極直接與更底部的線箔連通，如此熱也能更快傳導(dǎo)至下方，此種散熱法不僅用在LED上，現(xiàn)今高熱的CPU、GPU也早就采行此道來加速散熱。

從傳統(tǒng)FR4PCB到金屬核心的MCPCB

將熱導(dǎo)到更下層后，就過去而言是直接運(yùn)用銅箔印刷電路板（Printed Circuit Board；PCB）來散熱，也就是最常見的FR4印刷電路基板，然而隨著LED的發(fā)熱愈來愈高，F(xiàn)R4印刷電路基板已逐漸難以消受，理由是其熱傳導(dǎo)率不夠（僅0.36W/m.K）。

為了改善電路板層面的散熱，因此提出了所謂的金屬核心的印刷電路板（Metal Core PCB；MCPCB），即是將原有的印刷電路板附貼在另外一種熱傳導(dǎo)效果更好的金屬上（如：鋁、銅），以此來強(qiáng)化散熱效果，而這片金屬位在印刷電路板內(nèi)，所以才稱為「MetalCore」，MCPCB的熱傳導(dǎo)效率就高于傳統(tǒng)FR4PCB，達(dá)1W/m.K2.2W/m.K。

不過，MCPCB也有些限制，在電路系統(tǒng)運(yùn)作時(shí)不能超過140℃，這個(gè)主要是來自介電層（DielectricLayer，也稱InsulatedLaye