免除藍(lán)寶石襯底垂直設(shè)計(jì)提升LED的性能
我們所制作的VLEDMS結(jié)構(gòu)顯示在圖3,該LED芯片的面積僅1mm2,擁有藍(lán)光、綠光和紫外三種顏色。通過(guò)使用外延沉積技術(shù)——我們正在申請(qǐng)中的專(zhuān)利技術(shù)——這些LED沿著一個(gè)新的結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上,該結(jié)構(gòu)能夠使藍(lán)寶石剝離。當(dāng)LED在金屬合金襯底上成形之后,n-GaN表面就形成圖案來(lái)減小由于全內(nèi)反射造成的損失。
圖3.(邊)SemiLEDs的垂直結(jié)構(gòu)LED包含一個(gè)直接沉積在金屬合金襯底上的鏡子、0.2μm厚的p-GaN/p-AlGaN層,一個(gè)InGaN/GaN多層量子阱激活區(qū)以及一個(gè)4μm厚的n-GaN層。
相比于傳統(tǒng)的LED,VLEDMS擁有非常好的電流-電壓(I-V)特性,即在350mA的驅(qū)動(dòng)電流下,正向電壓將產(chǎn)生一個(gè)0.2伏的衰減。由于采用了垂直電流路徑以及具備了更大
評(píng)論