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          功率型LED封裝技術的關鍵工藝分析

          作者: 時間:2011-12-04 來源:網絡 收藏

          高亮度LED的應用面不斷擴大,首先進入特種照明的市場領域,并向普通照明市場邁進。由于輸入功率的不斷提高,對這些功率型LED的封裝技術提出了更高的要求。

          功率型LED封裝技術主要應滿足以下兩點要求:1、封裝結構要有高的取光效率,2、熱阻要盡可能低,這樣才能保證功率LED的光電性能和可靠性。

            半導體LED若要作為照明光源,常規(guī)產品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比,距離甚遠。因此,LED要在照明領域發(fā)展,關鍵是要將其發(fā)光效率、光通量提高至現(xiàn)有照明光源的等級。所用的外延材料采用MOCVD的外延生長技術和多量子阱結構,雖然其內量子效率還需進一步提高,但獲得高發(fā)光通量的最大障礙仍是芯片的取光效率低。現(xiàn)有的的設計采用了倒裝焊新結構來提高芯片的取光效率,改善芯片的熱特性,并通過增大芯片面積,加大工作電流來提高器件的光電轉換效率,從而獲得較高的發(fā)光通量。除了芯片外,器件的封裝技術也舉足輕重。關鍵的封裝技術工藝有:

            散熱技術

            傳統(tǒng)的指示燈型LED封裝結構,一般是用導電或非導電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺上,由金絲完成器件的內外連接后用環(huán)氧樹脂封裝而成,其熱阻高達 250℃/W~300℃/W,新的功率型芯片若采用傳統(tǒng)式的LED封裝形式,將會因為散熱不良而導致芯片結溫迅速上升和環(huán)氧碳化變黃,從而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因為迅速的熱膨脹所產生的應力造成開路而失效。

            因此,對于大工作電流的芯片,低熱阻、散熱良好及低應力的新的封裝結構是功率型LED器件的技術關鍵??刹捎玫妥杪省⒏邔嵝阅艿牟牧险辰Y芯片;在芯片下部加銅或鋁質熱沉,并采用半包封結構,加速散熱;甚至設計二次散熱裝置,來降低器件的熱阻。在器件的內部,填充透明度高的柔性硅橡膠,在硅橡膠承受的溫度范圍內(一般為-40℃~200℃),膠體不會因溫度驟然變化而導致器件開路,也不會出現(xiàn)變黃現(xiàn)象。零件材料也應充分考慮其導熱、散熱特性,以獲得良好的整體熱特性。

            二次光學設計技術

            為提高器件的取光效率,設計外加的反射杯與多重光學透鏡

            功率型LED白光技術

            常見的實現(xiàn)白光的工藝方法有如下三種:

           ?。?)藍色芯片上涂上YAG熒光粉,芯片的藍色光激發(fā)熒光粉發(fā)出540nm~560nm的黃綠光,黃綠光與藍色光合成白光。該方法制備相對簡單,效率高,具有實用性。缺點是布膠量一致性較差、熒光粉易沉淀導致出光面均勻性差、色調一致性不好;色溫偏高;顯色性不夠理想。

           ?。?)RGB三基色多個芯片或多個器件發(fā)光混色成白光,或者用藍+黃綠色雙芯片補色產生白光。只要散熱得法,該方法產生的白光較前一種方法穩(wěn)定,但驅動較復雜,另外還要考慮不同顏色芯片的不同光衰速度。

           ?。?)在紫外光芯片上涂RGB熒光粉,利用紫光激發(fā)熒光粉產生三基色光混色形成白光。由于目前的紫外光芯片和RGB熒光粉效率較低,仍未達到實用階段。

            照明用W級功率LED產品要實現(xiàn)產業(yè)化還必須解決如下技術問題:

            1、粉涂布量控制:+熒光粉工藝采用的涂膠方法,通常是將熒光粉與膠混合后用分配器將其涂到芯片上。在操作過程中,由于載體膠的粘度是動態(tài)參數(shù)、熒光粉比重大于載體膠而產生沉淀以及分配器精度等因素的影響,此工藝熒光粉的涂布量均勻性的控制有難度,導致了白光顏色的不均勻。

            2、片光電參數(shù)配合:半導體工藝的特點,決定同種材料同一晶圓芯片之間都可能存在光學參數(shù)(如波長、光強)和電學(如正向電壓)參數(shù)差異。RGB三基色芯片更是這樣,對于白光色度參數(shù)影響很大。這是產業(yè)化必須要解決的關鍵技術之一。

            3、根據(jù)應用要求產生的光色度參數(shù)控制:不同用途的產品,對白光LED的色坐標、色溫、顯色性、光功率(或光強)和光的空間分布等要求不同。上述參數(shù)的控制涉及產品結構、工藝方法、材料等多方面因素的配合。在產業(yè)化生產中,對上述因素進行控制,得到符合應用要求、一致性好的產品十分重要。

            檢測技術與標準

            隨著W級功率芯片制造技術和白光LED工藝技術的發(fā)展,LED產品正逐步進入(特種)照明市場,顯示或指示用的傳統(tǒng)LED產品參數(shù)檢測標準及測試方法已不能滿足照明應用的需要。國內外的半導體設備儀器生產企業(yè)也紛紛推出各自的測試儀器,不同的儀器使用的測試原理、條件、標準存在一定的差異,增加了測試應用、產品性能比較工作的難度和問題復雜化。

            我國光學光電子行業(yè)協(xié)會光電子器件分會行業(yè)協(xié)會根據(jù)LED產品發(fā)展的需要,于2003年發(fā)布了“發(fā)光二極管測試方法(試行)”,該測試方法增加了對參數(shù)的規(guī)定。但LED要往照明業(yè)拓展,建立LED照明產品標準是產業(yè)規(guī)范化的重要手段。

           篩選技術與可靠性保證

            由于燈具外觀的限制,照明用LED的裝配空間密封且受到局限,密封且有限的空間不利于LED散熱,這意味著照明LED的使用環(huán)境要劣于傳統(tǒng)顯示、指示用LED產品。另外,照明LED是處于大電流驅動下工作,這就對其提出更高的可靠性要求。在產業(yè)化生產中,針對不同的產品用途,進行適當?shù)臒崂匣?、溫度循環(huán)沖擊、負載老化工藝篩選試驗,剔除早期失效品,保證產品的可靠性很有必要。

            電防護技術

            由于GaN是寬禁帶材料,電阻率較高,該類芯片在生產過程中因靜電產生的感生電荷不易消失,累積到相當?shù)某潭龋梢援a生很高的靜電電壓。當超過材料的承受能力時,會發(fā)生擊穿現(xiàn)象并放電。藍寶石襯底的藍色芯片其正負電極均位于芯片上面,間距很??;對于InGaN/AlGaN/GaN雙異質結,InGaN活化薄層僅幾十納米,對靜電的承受能力很小,極易被靜電擊穿,使器件失效。

            因此,在產業(yè)化生產中,靜電的防范是否得當,直接影響到產品的成品率、可靠性和經濟效益。靜電的防范技術有如下幾種:

            1、對生產、使用場所從人體、臺、地、空間及產品傳輸、堆放等方面實施防范,手段有防靜電服裝、手套、手環(huán)、鞋、墊、盒、離子風扇、檢測儀器等。

            2、芯片上設計靜電保護線路。

            3、LED上裝配保護器件。



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