LED芯片分類知識
LED芯片分為MB芯片,GB芯片,TS芯片,AS芯片等4種,下文將分析介紹這4種芯片的定義與特點。
1.MB芯片定義與特點
定義:
MB 芯片:Metal Bonding (金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產品
特點﹕
1、采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底,散熱容易。
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ~ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收.
3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數(shù)相差3~4 倍),更適應于高驅動電流領域。
4、底部金屬反射層,有利于光度的提升及散熱。
5、尺寸可加大﹐應用于High power 領域﹐eg : 42mil MB
2.GB芯片定義和特點
定義﹕
GB 芯片:Glue Bonding (粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產品
特點:
1:透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上,藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
2:芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern圖。
3:亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。
4:雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。
3.TS芯片定義和特點
定義:
TS 芯片:transparent structure(透明襯底)芯片,該芯片屬于HP 的專利產品。
特點﹕
1.芯片工藝制作復雜,遠高于AS LED。
2.信賴性卓越。
3.透明的GaP襯底,不吸收光,亮度高。
4.應用廣泛。
4.AS芯片定義與特點
定義:
AS 芯片:Absorbable structure (吸收襯底)芯片,經過近四十年的發(fā)展努力,臺灣LED光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)、生產、銷售處于成熟的階段,各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平,差距不大。大陸芯片制造業(yè)起步較晚,其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距,在這里我們所談的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等。
特點:
1. 四元芯片,采用 MOVPE工藝制備,亮度相對于常規(guī)芯片要亮。
2. 信賴性優(yōu)良。
3. 應用廣泛。
發(fā)光二極管芯片材料磊晶種類
1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2 、VPE:Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3 、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4 、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
5 、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure, (雙異型結構) GaAlAs/GaAs
6、DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure, (雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs
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