圖文詳解硅光子技術(shù)制造細(xì)薄膜的LED陣列
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附生細(xì)薄膜 LED (Ts) 的溫度被初步評(píng)量，量測(cè)決定于來(lái)自于附生細(xì)薄膜LED射極光的波長(zhǎng)分布的If。初步模擬表示Ts約為50℃甚至有一個(gè)十分高的電流密度約為20kA/cm2（If 約為12mA），對(duì)于附生細(xì)薄膜LED可被連結(jié)DLC細(xì)薄膜于硅基座上；Ts也早已增加達(dá)約100℃于電流密度為5kA/cm2 (If 約為3mA)時(shí)，其附生細(xì)薄膜LED于各種技術(shù)層。它證明連結(jié)的附生細(xì)薄膜LED于DLC細(xì)薄膜上有較高的熱流傳導(dǎo)，保證較高的熱傳導(dǎo)特性，以及有較好的LED特性；甚至于較高的LED電流密度范圍時(shí)。
結(jié)語(yǔ)
制造較高密度的附生細(xì)薄膜LED數(shù)組，其特性為3度空間可透過(guò)EFB技術(shù)整合有CMOS IC驅(qū)動(dòng)器。1200dpi附生細(xì)薄膜LED數(shù)組也能透過(guò)EFB被整合于IC驅(qū)動(dòng)器。附生細(xì)薄膜LED數(shù)組被整合于IC驅(qū)動(dòng)器中顯示有好的LED特性以及高可靠。此一EFB技術(shù)提供有整合光以及CMOS裝置并保證可于硅光子技術(shù)所完成。
較高的密度的2D整合附生細(xì)薄膜LED可被完成于玻璃與可撓性的塑料基座上。2D LED數(shù)組的數(shù)組厚度可盡可能的細(xì)為21.2μm，并能透過(guò)EFB被制造于相異的原料基座上。測(cè)試結(jié)果也說(shuō)明EFB技術(shù)可以被應(yīng)用于相異的原料裝置的超高密度整合。本研究為第一個(gè)提出也附生細(xì)薄膜LED可以直接的連結(jié)于DLC細(xì)薄膜成形于硅基座上。附生細(xì)薄膜LED數(shù)組 鏈接于DLC細(xì)薄膜的測(cè)試顯示，不同的鏈接特性有小的以及更好的LED特性可以被建構(gòu)。EFB技術(shù)將提供新的高密度被整合裝置生產(chǎn)的改格且于系統(tǒng)中包含有相異的材料，并被期望于為來(lái)有更新的電子組件。
評(píng)論