LED產(chǎn)業(yè)分類知識
上游是由磊芯片形成,這種磊芯片長相大概是一個直徑六到八公分寬的圓形,厚度相當(dāng)薄,就像是一個平面金屬一樣。常見的外延方法有液相外延法(LPE)、氣相外延法(VPE)以及金屬有機化學(xué)汽相沉積(MOCVD)等,其中VPE和LPE技術(shù)都已相當(dāng)成熟,可用來生長一般亮度LED。而生長高亮度LED必須采用MOCVD方法。上游磊晶制程順序為:單芯片(III-V族基板)、結(jié)構(gòu)設(shè)計、結(jié)晶成長、材料特性/厚度測量。
中游廠商根據(jù)LED的性能需求進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)和工藝設(shè)計,通過外延片擴散、然后金屬鍍膜,再進(jìn)行光刻、熱處理、形成金屬電極,接著將基板磨薄拋光后進(jìn)行切割。依照芯片的大小,可以切割為二萬到四萬個芯片。這些芯片長得像沙灘上的沙子一樣,通常用特殊膠帶固定之后,再送到下游廠商作封裝處理。中游芯片制程順序為:磊芯片、金屬膜蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測量。
下游包括LED芯片的封裝測試和應(yīng)用。LED封裝是指將外引線連接到LED芯片的電極上,形成LED器件,封裝起著保護(hù)LED芯片和提高光取出效率的作用。下游廠商封裝處理順序為:芯片、固晶、粘著、打線、樹脂封裝、長烤、鍍錫、剪腳、測試。
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