LED產(chǎn)業(yè)分類知識

　　上游是由磊芯片形成，這種磊芯片長相大概是一個直徑六到八公分寬的圓形，厚度相當薄，就像是一個平面金屬一樣。常見的外延方法有液相外延法(LPE)、氣相外延法(VPE)以及金屬有機化學汽相沉積(MOCVD)等，其中VPE和LPE技術都已相當成熟，可用來生長一般亮度LED。而生長高亮度LED必須采用MOCVD方法。上游磊晶制程順序為：單芯片(III-V族基板)、結構設計、結晶成長、材料特性/厚度測量。

　　中游廠商根據(jù)LED的性能需求進行器件結構和工藝設計，通過外延片擴散、然后金屬鍍膜，再進行光刻、熱處理、形成金屬電極，接著將基板磨薄拋光后進行切割。依照芯片的大小，可以切割為二萬到四萬個芯片。這些芯片長得像沙灘上的沙子一樣，通常用特殊膠帶固定之后，再送到下游廠商作封裝處理。中游芯片制程順序為：磊芯片、金屬膜蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測量。

　　下游包括LED芯片的封裝測試和應用。LED封裝是指將外引線連接到LED芯片的電極上，形成LED器件，封裝起著保護LED芯片和提高光取出效率的作用。下游廠商封裝處理順序為：芯片、固晶、粘著、打線、樹脂封裝、長烤、鍍錫、剪腳、測試。