led芯片抗反向靜電能力達到3 kv

　　研究人員一直試圖提高目前100V-1kV的抗反向靜電能力。而正向靜電的恢復性在1kV至3kV的范圍有所下降。這種器件往往應用于交通信號燈、大規(guī)模顯示以及液晶顯示器背光。

　　正向偏壓和反偏壓的特性差異在于外延材料以及側(cè)面器件結(jié)構(gòu)存在的高位錯密度差。其中側(cè)面器件是生長在絕緣藍寶石襯底中的標準氮化LEDs所必需的。這兩種相反的特性容易引起大量反向ESD電壓脈沖進而損壞LED。

　　研究人員已經(jīng)采用了一些方法來避免器件受到這樣的損害---包括降低密度缺陷、外部二極管等。但是，很難以低成本將這些技術(shù)應用于真正的生產(chǎn)過程中。

　　研究人員采用了傳統(tǒng)的In0.15Ga0.85N/GaN MQW 450nm（藍色）LED架構(gòu)，使其在MOCVD設備的c-plane 藍寶石中生長。這種LED通過光刻法和ICP蝕刻到n型外延生長層。銦錫氧化物（ITO）LED芯片中相當于透明歐姆電極，而接合焊盤由金鎳鉻錫合金組成。

　　研究人員通過將n極的觸點延長至p區(qū)域（見圖1），使旁路二極管集成到LED，以實現(xiàn)LED芯片的ESD保護。n極與p-GaN之間用氧等離子處理會使得肖特基勢壘升高；這樣做的目的在于減少反向ESD產(chǎn)生的反向漏電流。因為大泄漏電流容易損害n極從而降低器件的性能。

　　圖1：（a）放大n極LED的剖視圖和電路原理圖；俯視圖（b）傳統(tǒng)的（LED-C），沒有n極的梳狀LED-F3以及LED-F5，（c）等離子處理得到的梳狀（LED-F3-P 和 LED-F5-P）。（c）中的陰影區(qū)域即等離子處理區(qū)域。

　　氧等離子處理更好的效果是在p-GaN中建立了氮真空，以便為旁路二極管構(gòu)建一個虛擬的pn結(jié)面。

　　70W功率的ICP能將n極接觸電阻提高至56.1x10-3Ohm-cm2；這是由等離子處理后p-GaN面上的圓形輸電線結(jié)構(gòu)決定的。ICP功率越小，n極接觸電阻越小。　　

降低泄漏電流的另一個方法是減少3齒梳狀而不是5齒梳狀結(jié)構(gòu)的n極接觸面。從而將接觸面積從300μm2降低至180μm2。

　 LED照明標準規(guī)范中規(guī)定商業(yè)應用的LED最大反向漏電流為50μA/ –5V；而研究過程中等離子處理后3齒梳狀LED的旁路二極管的泄漏電流在0.02至0.21μA之間，符合規(guī)范中規(guī)定的標準。研究人員相信他們能通過優(yōu)化等離子處理和梳狀接觸面來進一步降低反向和正向泄露電流。

圖2：LED-C以及LED-F3-P的（a）正向和（b）反向ESD特征。

　　ESD特征是通過ESS-606A ESD測試儀測試出來的；該測試儀能根據(jù)人體模型發(fā)出脈沖。在每次測試之后，-5V的漏電性能被測試出來；如果發(fā)現(xiàn)與原始性能之間有30%的差距，那么該設備“Failed”（圖2）。傳統(tǒng)二極管在300V至500V電壓之間的負偏壓顯示“Failed”，那么延長的3齒梳狀n極等離子器件僅在3kV時顯示“Failed”。這種正偏壓結(jié)果被研究人員視為“無法識別”。