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          led燈具檢測方法關(guān)鍵缺陷及改善策略

          作者: 時間:2011-04-28 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            傳統(tǒng)的 LED 及其模塊光、色、電參數(shù)有電脈沖驅(qū)動,CCD 快速光譜測量法,也有在一定的條件下,熱平衡后的測量法,但這些方法的測量條件和結(jié)果與LED 進入照明器具內(nèi)的實際工作情況都相差甚遠。文章介紹了通過Vf—TJ 曲線的標出并控制LED 在控定的結(jié)溫下測量其光、色、電參數(shù)不僅對采用LED的照明器具的如何保證LED 工作結(jié)溫提供了目標限位,同時也使LED 及其模塊的光、色、電參數(shù)的測量參數(shù)更接近于實際的應(yīng)用條件。文章還介紹了采用LED的照明器具如測量LED 的結(jié)溫并確定LED 參考點的限值溫度與結(jié)溫的函數(shù)關(guān)系。這對快速評估采用LED 的照明器具的工作狀態(tài)和使用壽命提供了一個有效的途徑。

            一、 序言

            對于一個新興的產(chǎn)品,其產(chǎn)品自身的發(fā)展總是先于產(chǎn)品標準和。雖然產(chǎn)品的標準和不可能先于產(chǎn)品的研發(fā),但是,產(chǎn)品的標準和檢測方法應(yīng)盡可能地緊跟產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)的進度,因為產(chǎn)品的標準和檢測方法的制定過程本身就是對產(chǎn)品研發(fā)過程的回顧研討和小結(jié),只要條件基本成熟,產(chǎn)品標準和檢測方法的制訂越及時,就越能減少產(chǎn)品研發(fā)過程的盲目性。LED 照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展到現(xiàn)在,我們對LED 照明產(chǎn)品標準和檢測方法的回顧、小結(jié)的時候已經(jīng)基本到來。

          Quote:
            二、 LED 模塊的光電參數(shù)和檢測方法的現(xiàn)狀和改進方法

            1、傳統(tǒng)的LED 模塊的檢測方法

            目前傳統(tǒng)的 LED 模塊的檢測方法主要有兩種,第一種是采用脈沖測量的方法,它是把照明LED 模塊固定在測量裝置上(例如積分球的測量位置等),采用脈沖恒流電源與瞬時測量光譜儀的同步聯(lián)動,即對LED 發(fā)出數(shù)十毫秒~數(shù)佰毫秒恒流的脈沖電流的同時,同步打開瞬時測量光譜儀器的快門,對LED 發(fā)出的光參數(shù)(光通量、光色參數(shù)等)進行快速檢測,同時,也同步采集LED 的正向壓降和功率等參數(shù)。由于這種方式在檢測過程中,LED 的結(jié)溫幾乎等同于室溫,所以,測量結(jié)果的光效高,光色和電參數(shù)與實際使用情況有明顯差異,這一般都是LED 芯片(器件)生產(chǎn)商采用的快速檢測方法,而與LED 實際應(yīng)用在最終照明器具中的狀態(tài)不具有可參比性。

            第二種檢測方法是把LED模塊安裝在檢測裝置上后,可能帶上一固定的散熱器(也可能具有基座控溫功能),給LED施加其聲稱的工作電流,受傳統(tǒng)的照明光源檢測方法的影響,也是等到LED達到熱平衡后再開始測量它的光電參數(shù)。這種方法看似比較嚴密,但實際上,它的熱平衡條件和工作條件與此類LED裝入最終的照明器具中的狀態(tài)仍沒有好的關(guān)聯(lián)性,因此所測的光電參數(shù)與今后實際的應(yīng)用狀態(tài)的參數(shù)仍不具有可參比性。已經(jīng)頒布的GB/T24824—2009/CIE 127-2007NEQ《普通照明用LED模塊的基本性能的測量方法》標準中,在這方面是這樣規(guī)定的:“試驗或測量時LED模塊應(yīng)工作在熱平衡狀態(tài)下,在監(jiān)視環(huán)境溫度的同時,最好能監(jiān)視LED模塊自身的工作溫度,以保證試驗的可復(fù)現(xiàn)性。如可能監(jiān)測LED模塊結(jié)電壓,則應(yīng)首選監(jiān)測結(jié)電壓。否則,應(yīng)監(jiān)測LED模塊指定溫度測量點的溫度”。可見在監(jiān)測結(jié)電壓的條件下來測量LED 模塊的光電參數(shù)是保證檢測重現(xiàn)性的首選方案,但是,標準中沒有指明在模擬實際使用結(jié)溫條件下檢測LED 模塊的光、色、電參數(shù)。

            2、LED 模塊測量方法的改進

            眾所周知,LED 的光、電參數(shù)特性與它的工作時的結(jié)溫密切相關(guān),同一個LED 產(chǎn)品,結(jié)溫的不會造成這些參數(shù)的明顯不同,這也造成了同一個LED 光、色、電參數(shù)測量結(jié)果的明顯不一致性,所以測量LED 的光電參數(shù)首先應(yīng)考慮在設(shè)定的工作結(jié)溫的條件下來進行。另外,LED 因為封裝的工藝、材料等差異,其聲稱的最高工作結(jié)溫是明顯不同的,為了保證LED 照明產(chǎn)品具有高效、長壽的特點,LED 實際的工作結(jié)溫應(yīng)明顯低于最高工作結(jié)溫。例如,目前我們大量采用的LED 封裝方法和技術(shù),在LED 的發(fā)光面前,都具有高分子硅膠加熒光粉的覆蓋層。實踐證明,要使此類LED 照明器具,到70%的光通維持率的時間要≥6 萬小時,其工作結(jié)溫必須保持在70℃~75℃以下。從提高光效和使用壽命的角度來講,LED 的工作結(jié)溫能保持在60℃以下更好,但從照明器具的造型、體積、性價比來講,則應(yīng)該控制在能達到預(yù)期的光效和使用壽命的基礎(chǔ)上把LED的最高工作結(jié)溫控制在70℃~75℃最為合適。為了使LED 及其模塊的光、色、電參數(shù)的檢測也盡可能接近于實際應(yīng)用的結(jié)溫狀態(tài),就必須解決如何測量LED的結(jié)溫并能在這一結(jié)溫下進行光、色、電參數(shù)的檢測問題。

            (1)目前LED 的結(jié)溫測量方法大概有

            1)通過測量管腳溫度和芯片耗散功率和熱阻系數(shù)求得結(jié)溫。但是因為耗散功率和熱阻系數(shù)的不準確,所以測量精度比較低。

            2)紅外熱成像法,利用紅外非接觸溫度儀直接測量LED 芯片的溫度,但要求被測器件處于未封裝的狀態(tài),另外對LED 封裝材料折射率有特殊要求,否則無法準確測量,測量精度比較低。

            3)利用發(fā)光光譜峰位移測定結(jié)溫,也是一種非接觸的測量方法,直接從發(fā)光光譜確定禁帶寬度移動技術(shù)來測量結(jié)溫,這一方法對光譜測試儀器分辨精度要求較高,發(fā)光峰位的精度測定難度較大,而光譜峰位移1 納米的誤差變化就對應(yīng)著測量結(jié)溫約30 度的變化,所以測量精度和重復(fù)性都比較低。

            4)向列型液晶熱成像技術(shù),對儀器分辨率要求高,只能測量未封裝的單個裸芯片,不能測量封裝后的LED。

            5)利用二極管 PN 結(jié)電壓與結(jié)溫的Vf-TJ 關(guān)系曲線,來測量LED 的結(jié)溫。

            從上述介紹的各種 LED 結(jié)溫的測量方法可看出,采用監(jiān)視二極管PN 結(jié)電壓的變化來推算結(jié)溫的方法最具有可行性并且測量精度也最高,所以在很多集成IC 電路中,為了檢測IC 芯片的工作結(jié)溫,往往會刻出或值入1 個或幾個二極管,通過測量其正向電壓降的變化來達到測量芯片結(jié)溫的目的。

           ?。?)目前國際上較先進的Vf—TJ 測量方法

            目前國際上先進的 Vf—TJ 測量方法是把被測的LED 連上引出線放入在硅油缸內(nèi),隨后加熱硅油缸使硅油的溫度達到140℃左右,隨后讓缸內(nèi)硅油自然冷卻,只要冷卻時硅油溫度下降的速度足夠慢,就可以認為LED 的結(jié)溫與LED 的熱沉的溫度是基本一致的,在此過程中,根據(jù)所測的硅油溫度,每下降2℃~10℃時瞬時給LED 輸入規(guī)定的電流脈沖,并測量其在這一溫度下的正向電壓降,把這一測量點的溫度和正向電壓降導(dǎo)入到電腦軟件的數(shù)據(jù)庫,從140℃左右開始,隨溫度的下降,每下降一個設(shè)定的等分溫度測量一次熱沉溫度和正向電壓降,一直測量到25℃左右,當(dāng)完成這一組測量數(shù)據(jù)并導(dǎo)入到電腦軟件的數(shù)據(jù)庫后,由軟件產(chǎn)生一個Vf—TJ 曲線。這一方法屬于在溫度下降時測量方法,對于測量來說是可行的,但是因為試驗室的環(huán)境溫度是衡定的(一般為25℃),而硅油缸的油溫是從高到低下降的,這就造成當(dāng)硅油缸的油溫較高時,因為與試驗室環(huán)境溫度的溫差大而使冷卻速度較快,為了保證測量的準確性采用了適當(dāng)?shù)拇胧┦构栌透自跍囟容^高時溫度下降不致于太快,但當(dāng)硅油缸溫度較低時,因為與室溫的溫差太小而使冷卻的速度太慢,這大大延長了這一檢測過程的測量時間。因為上述原因,這一溫度下降時的測量方法在標定Vf—TJ 過程是不可能短的,(大約需4~5 小時),否則將產(chǎn)生明顯的測量誤差。另外,這種檢測裝置油缸是固定的,要測量第二組,時間很慢。還有上述加熱裝置是在硅油缸外面的底部,加熱與控溫以及測量的溫度都存在明顯的滯后,這也造成這一方法測量結(jié)溫的準確性比較差。

           ?。?)新的Vf—TJ 檢測方法

            本機構(gòu)發(fā)明的檢測方法是采用溫度上升時的測量方法,采用電腦設(shè)定的PID(積分、微分加上加熱與不加熱時間比例控制)方法來加熱和控制硅油缸的溫度,即在硅油缸加熱的起始段,加熱時間與不加熱時間的比例是很小的,并且可調(diào),使硅油缸溫度上升速率能保證LED 結(jié)溫、熱沉與硅油溫度的一致性,隨著硅油溫度的逐步上升,與室溫的溫差也隨之加大,此時PID 加熱和控溫系統(tǒng)會自動加大加熱時間與不加熱時間的比例,(實際加大了單位時間內(nèi)的加熱功率)所以能保證硅油缸內(nèi)硅油的溫度上升速率始終保持在設(shè)定的速率上,不會因為硅油溫度與環(huán)境溫度的差異不同而發(fā)生油溫上升的速率不同??梢栽O(shè)定讓硅油衡溫在應(yīng)用溫度范圍的任一溫度值上,也可以實現(xiàn)0.1℃/分鐘~2℃/分鐘的升溫速率。

            在每次升溫階段后,具有一個衡


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