高亮度LED封裝工藝及方案

　　近年來(lái),隨著LED生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展一日千里,令其發(fā)光亮度提高和壽命延長(zhǎng),加上生產(chǎn)成本大幅降低，迅速擴(kuò)大了LED應(yīng)用市場(chǎng)，如消費(fèi)產(chǎn)品、訊號(hào)系統(tǒng)及一般照明等，于是其全球市場(chǎng)規(guī)?？焖俪砷L(zhǎng)。2003年全球LED市場(chǎng)約44.8億美元 (高亮度LED市場(chǎng)約27億美元),較2002年成長(zhǎng)17.3% (高亮度LED市場(chǎng)成長(zhǎng)47%),乘著手機(jī)市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)之勢(shì),預(yù)測(cè)2004年仍有14.0%的成長(zhǎng)幅度可期。

　　在產(chǎn)品發(fā)展方面，白光LED之研發(fā)則成為 廠商們之重點(diǎn)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目?，F(xiàn)時(shí)制造白光LED方法主要有四種：

　　一、藍(lán)LED+發(fā)黃光的螢光粉（如：YAG）
　　二、紅LED+綠LED+藍(lán)LED
　　三、紫外線LED+發(fā)紅/綠/藍(lán)光的螢光粉
　　四、藍(lán)LED+ZnSe單結(jié)晶基板

　　目前手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、PDA等背光源所使用之白光LED采用藍(lán)光單晶粒加YAG螢光而成。隨著手機(jī)閃光燈、大中尺寸（NB、LCD-TV等）顯示屏光源模塊以至特殊用途照明系統(tǒng)之應(yīng)用逐漸增多。末來(lái)再擴(kuò)展至用于一般照明系統(tǒng)設(shè)備，采用白光LED技術(shù)之大功率（High Power）LED市場(chǎng)將陸續(xù)顯現(xiàn)。在技術(shù)方面，現(xiàn)時(shí)遇到最大挑戰(zhàn)是提升及保持亮度，若再增強(qiáng)其散熱能力，市場(chǎng)之發(fā)展深具潛力。

　　ASM在研發(fā)及生產(chǎn)自動(dòng)化光電組件封裝設(shè)備上擁有超過(guò)二十年經(jīng)驗(yàn)，業(yè)界現(xiàn)行有很多種提升LED亮度方法，無(wú)論從芯片及封裝設(shè)計(jì)層面，至封裝工藝都以提升散熱能力和增加發(fā)光效率為目標(biāo)。在本文中，就LED封裝工藝的最新發(fā)展和成果作概括介紹及討論。

　　芯片設(shè)計(jì)

　　從芯片的演變歷程中發(fā)現(xiàn)，各大LED生產(chǎn)商在上游磊晶技術(shù)上不斷改進(jìn)，如利用不同的電極設(shè)計(jì)控制電流密度，利用ITO薄膜技術(shù)令通過(guò)LED的電流能平均分布等，使LED芯片在結(jié)構(gòu)上都盡可能產(chǎn)生最多的光子。再運(yùn)用各種不同方法去抽出LED發(fā)出的每一粒光子，如生產(chǎn)不同外形的芯片；利用芯片周邊有效地控制光折射度提高LED取光效率，研制擴(kuò)大單一芯片表面尺寸（>2mm2）增加發(fā)光面積，更有利用粗糙的表面增加光線的透出等等。有一些高亮度LED芯片上p-n兩個(gè)電極的位置相距拉近，令芯片發(fā)光效率及散熱能力提高。而最近已有大功率LED的生產(chǎn)，就是利用新改良的激光溶解（Laser lift-off）及金屬黏合技術(shù)（metal bonding），將LED磊晶晶圓從GaAs或GaN長(zhǎng)晶基板移走，并黏合到另一金屬基板上或其它具有高反射性及高熱傳導(dǎo)性的物質(zhì)上面，幫助大功率LED提高取光效率及散熱能力。

　　封裝設(shè)計(jì)

　　經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，垂直LED燈（φ3mm、φ5mm）和SMD燈（表面貼裝LED）已演變成一種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品模式。但隨著芯片的發(fā)展及需要，開(kāi)拓出切合大功率的封裝產(chǎn)品設(shè)計(jì)，為了利用自動(dòng)化組裝技術(shù)降低制造成本，大功率的SMD燈亦應(yīng)運(yùn)而生。而且，在可攜式消費(fèi)產(chǎn)品市場(chǎng)急速的帶動(dòng)下，大功率LED封裝體積設(shè)計(jì)也越小越薄以提供更闊的產(chǎn)品設(shè)計(jì)空間。

　　為了保持成品在封裝后的光亮度，新改良的大功率SMD器件內(nèi)加有杯形反射面，有助把全部的光線能一致地反射出封裝外以增加輸出流明。而蓋住LED上圓形的光學(xué)透鏡，用料上更改用以Silicone封膠，代替以往在環(huán)氧樹(shù)脂（Epoxy），使封裝能保持一定的耐用性。

　　封裝工藝及方案

　　半導(dǎo)體封裝之主要目的是為了確保半導(dǎo)體芯片和下層電路間之正確電氣和機(jī)械性的互相接續(xù)，及保護(hù)芯片不讓其受到機(jī)械、熱、潮濕及其它種種的外來(lái)沖擊。選擇封裝方法、材料和運(yùn)用機(jī)臺(tái)時(shí)，須考慮到LED磊晶的外形、電氣/機(jī)械特性和固晶精度等因素。因LED有其光學(xué)特性，封裝時(shí)也須考慮和確保其在光學(xué)特性上能夠滿足。

　　無(wú)論是垂直LED或SMD封裝,都必須選擇一部高精度的固晶機(jī)，因LED晶粒放入封裝的位置精準(zhǔn)與否是直接影響整件封裝器件發(fā)光效能。如圖1示，若晶粒在反射杯內(nèi)的位置有所偏差，光線未能完全反射出來(lái)，影響成品的光亮度。但若一部固晶機(jī)擁有先進(jìn)的預(yù)先圖像辨識(shí)系統(tǒng)（PR System），盡管品質(zhì)參差的引線框架，仍能精準(zhǔn)地焊接于反射杯內(nèi)預(yù)定之位置上。

　　一般低功率LED器件（如指示設(shè)備和手機(jī)鍵盤(pán)的照明）主要是以銀漿固晶，但由于銀漿本身不能抵受高溫，在提升亮度的同時(shí)，發(fā)熱現(xiàn)象也會(huì)產(chǎn)生，因而影響產(chǎn)品。要獲得高品質(zhì)高功率的LED，新的固晶工藝隨之而發(fā)展出來(lái)，其中一種就是利用共晶焊接技術(shù)，先將晶粒焊接于一散熱基板（soubmount）或熱沉（heat sink）上，然后把整件晶粒連散熱基板再焊接于封裝器件上，這樣就可增強(qiáng)器件散熱能力，令發(fā)光功率相對(duì)地增加。至于基板材料方面，硅（Silicon）、銅（Copper）及陶瓷（Ceramic）等都是一般常用的散熱基板物料。

　　共晶焊接

　　技術(shù)最關(guān)鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控制。新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用純錫（Sn）或金錫（Au-Sn）合金作接觸面鍍層，晶?？珊附佑阱冇薪鸹蜚y的基板上。當(dāng)基板被加熱至適合的共晶溫度時(shí)（圖5），金或銀元素滲透到金錫合金層，合金層成份的改變提高溶點(diǎn)，令共晶層固化并將LED緊固的焊于熱沉或基板上（圖6）。選擇共晶溫度視乎晶粒、基板及器件材料耐熱程度及往后SMT回焊制程時(shí)的溫度要求。考慮共晶固晶機(jī)臺(tái)時(shí)，除高位置精度外，另一重要條件就是有靈活而且穩(wěn)定的溫度控制，加有氮?dú)饣蚧旌蠚怏w裝置，有助于在共晶過(guò)程中作防氧化保護(hù)。當(dāng)然和銀漿固晶一樣，要達(dá)至高精度的固晶，有賴(lài)于嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臋C(jī)械設(shè)計(jì)及高精度的馬達(dá)運(yùn)動(dòng)，才能令焊頭運(yùn)動(dòng)和焊力控制恰到好處之余，亦無(wú)損高產(chǎn)能及高良品率的要求。

　　進(jìn)行共晶焊接工藝時(shí)亦可加入助焊劑，這技術(shù)最大的特點(diǎn)是無(wú)須額外附加焊力，故此不會(huì)因固晶焊力過(guò)大而令過(guò)多的共晶合金溢出，減低LED產(chǎn)生短路的機(jī)會(huì)。

　　覆晶(Flip Chip)焊接

　　覆晶焊接近年被積極地運(yùn)用于大功率LED制程中，覆晶方法把GaN LED晶粒倒接合于散熱基板上，因沒(méi)有了金線焊墊阻礙，對(duì)提高亮度有一定的幫助。因?yàn)殡娏髁魍ǖ木嚯x縮短，電阻減低，所以熱的產(chǎn)生也相對(duì)降低。同時(shí)這樣的接合亦能有效地將熱轉(zhuǎn)至下一層的散熱基板再轉(zhuǎn)到器件外面去。當(dāng)此工藝被應(yīng)用在SMD LED，不但提高光輸出，更可以使產(chǎn)品整體面積縮小，擴(kuò)大產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng)。

　　在覆晶LED技術(shù)發(fā)展上有兩個(gè)主要的方案：一是鉛錫球焊（Solder bump reflow）技術(shù)；另一個(gè)是熱超聲（Thermosonic）焊接技術(shù)。鉛錫球焊接（圖10）已在IC封裝應(yīng)用多時(shí)，工藝技術(shù)亦已成熟，故在此不再詳述。

　　針對(duì)低成本及低線數(shù)器件的生產(chǎn)，熱超聲覆晶（Thermosonic flip chip）技術(shù)（圖11）尤其適用于大功率LED焊接。以金做焊接的接口，由于金此物本身熔點(diǎn)溫度較鉛錫球和銀漿高，對(duì)固晶后的制程設(shè)計(jì)方面更有彈性。此外，還有無(wú)鉛制程、工序簡(jiǎn)單、金屬接位可靠等優(yōu)點(diǎn)。熱超聲覆晶工藝經(jīng)過(guò)多年的研究及經(jīng)驗(yàn)累積，已掌握最優(yōu)化的制程參數(shù)，而且在幾大LED生產(chǎn)商已成功地投入量產(chǎn)。
足生產(chǎn)線使用外，其余大量的（如芯片粘片機(jī)、引線焊接機(jī)、測(cè)試機(jī)、編帶機(jī)）等自動(dòng)化設(shè)備還全都依賴(lài)進(jìn)口。

　　發(fā)展我國(guó)LDD裝備業(yè)的具體建議方案

　　建議國(guó)家在支持LED技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展中，把材料與工藝設(shè)備作為發(fā)展的基礎(chǔ)和原動(dòng)力加以支持。在發(fā)展LED技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的過(guò)程中，建議我國(guó)走“引進(jìn)、消化、吸收、創(chuàng)新、提高”的道路。具體方案如下：在國(guó)家支持下，通過(guò)國(guó)家、LED生產(chǎn)企業(yè)和設(shè)備及材料制造業(yè)三方聯(lián)合，建立具有孵化器功能的中國(guó)LED設(shè)備、材料、制造及應(yīng)用聯(lián)合體。

　　為在短時(shí)間內(nèi)掌握并提高設(shè)備制造水平，帶動(dòng)我國(guó)中高檔LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展，建議由聯(lián)合體共同籌措資金（國(guó)家50%,設(shè)備研制單位15%，芯片制造與封裝技術(shù)研究單位15%，LED芯片制造與封裝企業(yè)20%）建設(shè)一條完整的LED芯片制造與封裝示范生產(chǎn)線。該示范線以解決設(shè)備研制與工藝試驗(yàn)、LED產(chǎn)品制造工藝技術(shù)研究與驗(yàn)證、實(shí)現(xiàn)工藝技術(shù)與工藝設(shè)備成套供應(yīng)為已任。凡參與該示范建設(shè)的單位，有權(quán)無(wú)償使用該生產(chǎn)線進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化研究與試驗(yàn)，特別是LED產(chǎn)品生產(chǎn)單位，可優(yōu)先優(yōu)惠得到相關(guān)研究與產(chǎn)業(yè)化成果。

　　針對(duì)該示范線，實(shí)施三步走的戰(zhàn)略，最終實(shí)現(xiàn)LED生產(chǎn)設(shè)備商品化和本土化（詳見(jiàn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化方案表二）。第一步：利用兩年左右的時(shí)間，對(duì)一些關(guān)鍵設(shè)備進(jìn)行國(guó)產(chǎn)化（國(guó)家給予一定的獎(jiǎng)金支持）；對(duì)于國(guó)內(nèi)已經(jīng)具有一定基礎(chǔ)且具有性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)的普通設(shè)備則利用市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)原則，采取準(zhǔn)入制擇優(yōu)配套（通過(guò)制訂標(biāo)準(zhǔn)）；對(duì)于部分難度較大、短期內(nèi)國(guó)產(chǎn)化不了的設(shè)備，國(guó)家應(yīng)安排攻關(guān)，并完成生產(chǎn)型ɑ樣機(jī)開(kāi)發(fā)。第二步，從本方案實(shí)施的第三年起，第一步中涉及到的前兩類(lèi)設(shè)備重點(diǎn)解決生產(chǎn)工藝的適應(yīng)性、生產(chǎn)效率、可靠性、外觀及成本等問(wèn)題，具備國(guó)內(nèi)配套及批量供應(yīng)能力，攻關(guān)類(lèi)設(shè)備完成生產(chǎn)型樣機(jī)商業(yè)化（γ型機(jī)）開(kāi)發(fā)。第三步，從本方案實(shí)施的第五年起，第一及第二步中涉及到的所有設(shè)備具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力，除滿足國(guó)內(nèi)需求外，要占領(lǐng)一定的國(guó)際市場(chǎng)；攻關(guān)設(shè)備能夠滿足產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)要求并具備批量供應(yīng)能力。