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          低成本LED驅(qū)動IC促進(jìn)了照明領(lǐng)域的革新

          作者: 時間:2008-10-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          當(dāng)今,商用的發(fā)光效率正接近熒光燈70~80lm/W的效率。熒光光源是非常成熟的技術(shù),未來很可能會有一些改進(jìn),而的發(fā)光效率(lm/W)每10年就以20倍的速度增加,并且這種趨勢還會繼續(xù)。

          光源已經(jīng)開始滲透到像戶外廣告、建筑、交通信號以及汽車內(nèi)部燈光、儀表盤、尾燈和前照燈等這樣的市場。雖然還處于起步階段,但根據(jù)最近的DOE報告,在2002年并網(wǎng)的LED照明設(shè)備將會節(jié)省8.3TW/h:“……超過一個大型發(fā)電站的輸出功率?!?

          建筑照明節(jié)能的潛力是巨大的。在建筑中,照明是最終使用的第二大能源,占全美國所有電能的22%,估計每年將達(dá)到8.2×1015 BTU。

          目前,相對過高的LED照明光源初始安裝費(fèi)用限制了它的推廣。然而,它的一些其他特性則彌補(bǔ)了初始安裝費(fèi)用過高的不足。這些特性包括:

          ● 能量消耗較低
          ● 工作壽命較長
          ● 耐用性好
          ● 發(fā)熱量低
          ● 體積較小
          ● 安全性得以改進(jìn)
          ● 控制簡單、精確

          此外,LED照明光源的成本也正在急劇下降,而且市場對高亮度LED照明光源的需求也持續(xù)增加。預(yù)計在2010年,將有超過80億美元的市場份額,是2005年的兩倍多。相對傳統(tǒng)照明光源,由于高亮度LED具有和更高的發(fā)光強(qiáng)度,因此,精確性、發(fā)光效率和斷續(xù)工作能力將是LED IC控制方案的主要特征。

          斷續(xù)工作能力要求采用開關(guān)電源技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高亮度LED的電位效率。IC行業(yè)已經(jīng)采用多種PWM控制器來設(shè)計針對LED和控制的特殊電路。許多半導(dǎo)體供應(yīng)商都提供相應(yīng)的控制IC或電路,例如,Micronix公司(一家IXYS公司)的MXHV9910,其內(nèi)部框圖如圖1所示。這種控制器最吸引人的一個特征是它具有一個內(nèi)部穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器直接輸入高壓,從而不需要采用降壓電阻或高壓電流源的外部低壓供電電路,同時降低了成本,并且節(jié)省了電路板空間。


          圖1 一種典型的高亮度LED電路

          該芯片可以在8~450V的范圍內(nèi)工作,并且可以配置成降壓、升壓,或降壓-升壓工作模式。它也具有通過調(diào)整電流和線性度,或PWM而進(jìn)行亮度調(diào)整的能力。高壓工作特點(diǎn)可以使它能夠驅(qū)動數(shù)百個串聯(lián)的高亮度LED。當(dāng)驅(qū)動高亮度LED時,該芯片的效率高于90%,使最大限度地降低能量的消耗成為可能,從而可以在相當(dāng)廣的領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用。

          除了實(shí)現(xiàn)最小的系統(tǒng)功率損失外,芯片內(nèi)部的電流調(diào)整器也具有固定輸出的能力,從而延長了LED的壽命。此外,片上還有一個7.8V的穩(wěn)壓器,可以為內(nèi)部邏輯供電,也可以為外部邏輯提供1mA的電流,并且能夠直接驅(qū)動外部MOSFET管的柵極。降壓變換器的參考設(shè)計如圖2所示(可以提供評估板,型號為MXHV9910DB3)。


          圖2 具有0.56Ω電流采樣電阻和4.7mH開關(guān)電感的照明參考設(shè)計

          圖2中,R4為0.56Ω的電流檢測電阻,其額定峰值電流為250mV/0.56Ω,即466mA,該電流的設(shè)置是通過調(diào)整RA1來降低LD輸入端的電壓實(shí)現(xiàn)的。PWMD的輸入引腳可以外接從0%~100%的PWM亮度控制信號。

          IXTA8N50P高速開關(guān)FET可用作主開關(guān)器件,其額定工作電壓為500V,導(dǎo)通電阻RDS(ON)為0.8Ω,并且25℃時的額定電流為8A。電感L1的值是由開關(guān)頻率、輸入電壓和二極管的正向電壓和電流決定的。開關(guān)頻率由R1設(shè)定在64kHz。頻率越高,F(xiàn)ET的損耗就越高,而較低的頻率則需要較大的L1值。


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