飛利浦推出最新PMEG系列，實(shí)現(xiàn)肖特基二極管性能突破

超低正向壓降使功耗達(dá)到最低，中低功率封裝尺寸縮小50%以上
皇家飛利浦電子集團(tuán)最新推出肖特基二極管PMEG系列，實(shí)現(xiàn)肖特基二極管半導(dǎo)體技術(shù)新突破。該P(yáng)MEG系列使功耗降低至二極管能裝在不到現(xiàn)有器件一半大小的表面貼裝封裝中。
其內(nèi)在的低正向電壓降和高速開關(guān)能力使這些新的肖特基二極管非常適用于高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器等，在提高整體電效率的同時(shí)，使手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等設(shè)備更加小型化。
通過將正向電阻降至目前市場(chǎng)上同類二極管的一半以下，飛利浦的最新PMEG超低正向電壓降VF 肖特基整流器二極管系列能達(dá)到的功耗水平僅為BAT54等業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)的一半。
此外，該新型PMEG系列二極管的連續(xù)正向額定電流比BAT54 的額定200 mA要高10倍，達(dá)到2A，使用的SOD323封裝也小于BAT54的SOT23封裝，為客戶在設(shè)計(jì)和節(jié)約主板空間等方面提供更大的靈活性。
新型PMEG系列為設(shè)計(jì)師提供的封裝使肖特基整流器二極管占用的印刷電路板面積僅為SMA封裝的四分之一。它還使SMD肖特基二極管的電流（IF）處理能力擴(kuò)展到前所未有的水平。
提高整體電效率和縮小封裝大小的主要困難仍然是正向電阻的功耗問題。功耗轉(zhuǎn)化的熱量使封裝必須要比硅片大很多，以便散發(fā)熱量，避免損壞器件。
飛利浦半導(dǎo)體小信號(hào)二極管產(chǎn)品營銷經(jīng)理Andreas Niemann說：“新的PMEG系列肖特基二極管的推出再次證明飛利浦公司能夠使大眾知曉的成熟器件技術(shù)再上新臺(tái)階。我們將繼續(xù)推動(dòng)分立二極管方面的創(chuàng)新，為我們的亞洲客戶提供滿足他們?cè)诔叽绾托阅芊矫嬉蟮漠a(chǎn)品?！?BR>飛利浦新型超低VF 肖特基技術(shù)還將與其創(chuàng)新性的超低VCEsat BISS晶體管技術(shù)相結(jié)合，以提供成本較低的小封裝晶體管- 二極管，應(yīng)用在中低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、MOSFET驅(qū)動(dòng)、充電器、繼電器和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器（PMEM系列）等方面。
目前PMEG系列肖特基整流器二極管已有SOD323、SOD523、SOT666三種封裝。肖特基二極管/BISS晶體管模塊已有SOT457和SOT196封裝。欲了解更多該產(chǎn)品信息，請(qǐng)登錄www.semiconductors.philips.com，搜索PMEG或PMEM。