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          工程師詳解非隔離式開關(guān)電源PCB布局設(shè)計(jì)技巧

          作者: 時(shí)間:2014-01-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
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          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/226676.htm

          兩個(gè)或多個(gè)鄰近導(dǎo)體可以產(chǎn)生容性耦合。一個(gè)導(dǎo)體上的高dv/dt會(huì)通過(guò)寄生電容,在另一個(gè)導(dǎo)體上耦合出電流。為減少功率級(jí)對(duì)控制電路的耦合噪聲,高噪聲的開關(guān)走線要遠(yuǎn)離敏感的小信號(hào)走線。如果可能的話,要將高噪聲走線與敏感走線布放在不同的層,并用內(nèi)部地層作為噪聲屏蔽。

          空間允許的話,控制IC要距離功率MOSFET和電感有一個(gè)小的距離(0.5英寸~1英寸),后者既有大噪聲又發(fā)熱。

          LTC3855控制器上的FET驅(qū)動(dòng)器TG、BG、SW和BOOST引腳都有高的dv/dt開關(guān)電壓。連接到最敏感小信號(hào)結(jié)點(diǎn)的LTC3855引腳是:Sense+/Sense-、FB、ITH和SGND,如果布局時(shí)將敏感的信號(hào)走線靠近了高dv /dt結(jié)點(diǎn),則必須在信號(hào)走線與高dv/dt走線之間插入接地線或接地層,以屏蔽噪聲。

          在布放柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí),采用短而寬的走線有助于盡量減小柵極驅(qū)動(dòng)路徑中的阻抗。

          如果在BG走線下布放了一個(gè)PGND層,低FET的交流地返回電流將自動(dòng)耦合到一個(gè)靠近BG走線的路徑中。交流電流會(huì)流向它所發(fā)現(xiàn)的最小回路/阻抗。此時(shí),低柵極驅(qū)動(dòng)器不需要一個(gè)獨(dú)立的PGND返回走線。最好的辦法是盡量減少柵極驅(qū)動(dòng)走線通過(guò)的層數(shù)量,這樣可防止柵極噪聲傳播到其它層。

          在所有小信號(hào)走線中,電流檢測(cè)走線對(duì)噪聲最為敏感。電流檢測(cè)信號(hào)的波幅通常小于100mV,這與噪聲的波幅相當(dāng)。以LTC3855為例,Sense+/Sense-走線應(yīng)以最小間距并行布放(Kelvin檢測(cè)),以盡量減少拾取di/dt相關(guān)噪聲的機(jī)會(huì)。

          另外,電流檢測(cè)走線的濾波電阻與電容都應(yīng)盡可能靠近IC引腳。當(dāng)有噪聲注入長(zhǎng)的檢測(cè)線時(shí),這種結(jié)構(gòu)的濾波效果最好。如果采用帶R/C網(wǎng)絡(luò)的電感DCR電流檢測(cè)方式,則DCR檢測(cè)電阻R應(yīng)靠近電感,而DCR檢測(cè)電容C則應(yīng)靠近IC.

          如果在走線到Sense-的返回路徑上使用了一個(gè)過(guò)孔,則過(guò)孔不應(yīng)接觸到其它的內(nèi)部VOUT+層。否則,過(guò)孔可能會(huì)傳導(dǎo)大的VOUT+電流,所產(chǎn)生的壓降可能破壞電流檢測(cè)信號(hào)。要避免在高噪聲開關(guān)結(jié)點(diǎn)(TG、BG、SW和BOOST走線)附近布放電流檢測(cè)走線。如可能,在電流檢測(cè)走線所在層與功率級(jí)走線層之間放置地層。

          如果控制器IC有差分電壓遠(yuǎn)程檢測(cè)引腳,則要為正、負(fù)遠(yuǎn)程檢測(cè)線采用獨(dú)立的走線,同時(shí)也采用Kelvin檢測(cè)連接。

          走線寬度的選擇

          對(duì)具體的控制器引腳,電流水平和噪聲敏感度都是唯一的,因此,必須為不同信號(hào)選擇特定的走線寬度。通常情況下,小信號(hào)網(wǎng)絡(luò)可以窄些,采用10mil~15mil寬度的走線;大電流網(wǎng)絡(luò)(柵極驅(qū)動(dòng)、VCC以及PGND)則應(yīng)采用短而寬的走線。這些網(wǎng)絡(luò)的走線建議至少為20mil寬。


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