技術(shù)知識(shí)：基于薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案

發(fā)展

薄膜技術(shù)以及厚膜技術(shù)的一項(xiàng)最新發(fā)展是在給定的EIA標(biāo)準(zhǔn)片狀電阻器尺寸上獲得了更高的額定功率(如表1所示)。這一重要進(jìn)步使得工程師能夠使設(shè)計(jì)小型化，而無須犧牲功率處理能力。對(duì)于增強(qiáng)電流設(shè)計(jì)、減小未來設(shè)計(jì)的尺寸、產(chǎn)出更小的最終產(chǎn)品或在同尺寸產(chǎn)品中提供更多功能而言，這項(xiàng)突破都是至關(guān)重要的。

影響薄膜技術(shù)批量應(yīng)用于片狀電阻器制造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片狀電阻器的常見價(jià)位要比最接近它的厚膜同類產(chǎn)品高10? 100倍。為了減少這種差異，供應(yīng)商需要對(duì)薄膜材料進(jìn)行完全重新設(shè)計(jì)，以滿足高速低成本生產(chǎn)的需要。它還需要開發(fā)一種高速的內(nèi)聯(lián)式薄膜制造工藝。降低成本的最后一步是將對(duì)薄膜材料的要求從高精度級(jí)別(0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR)放寬到商用、通用和商品級(jí)別(1%容差和100×10-6 /℃的TCR)。這3項(xiàng)進(jìn)步可以同時(shí)應(yīng)用于價(jià)格僅為常見商品厚膜片狀電阻器的10%?20%的片狀電阻器。那可能是所有發(fā)展中最引人注目的一項(xiàng)。