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	 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 開關(guān)電源設(shè)計中MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          開關(guān)電源設(shè)計中MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解
          
						
          
				作者：
				時間：2014-01-21
				來源：網(wǎng)絡(luò)

				
				
				
				
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			-wrap: break-word; text-indent: 2em; line-height: 24px; ">紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢奟3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/226757.htm
          下圖是電流波形
          開關(guān)電源設(shè)計中MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解
          紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。
          可以看到，驅(qū)動電阻增加可以降低MOS開關(guān)的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關(guān)速度，對EMI有好處。下圖是對兩個不同驅(qū)動情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到
          開關(guān)電源設(shè)計中MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解
          紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?，驅(qū)動電阻大的時候，高頻諧波明顯變小
          但是驅(qū)動速度慢，又有什么壞處呢？那就是開關(guān)損耗大了，下圖是不同驅(qū)動電阻下，導(dǎo)通損耗的功率曲線。
          開關(guān)電源設(shè)計中MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解
          紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?，驅(qū)動電阻大的時候，損耗明顯大了。
          結(jié)論：驅(qū)動電阻到底選多大？還真難講，小了EMI不好；大了效率不好。所以只能一個折中的選擇了。
          那如果，開通和關(guān)斷的速度要分別調(diào)節(jié)，怎么辦？就用以下電路。
          開關(guān)電源設(shè)計中MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解
           
				
            
                
			
								
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                        MOSFET
                        驅(qū)動技術(shù)
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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