開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中有源驅(qū)與動(dòng)無(wú)源驅(qū)動(dòng)矩陣的比較

一.結(jié)構(gòu)的不同

無(wú)源驅(qū)動(dòng)矩陣的像素由陰極和陽(yáng)極單純基板構(gòu)成，陽(yáng)極和陰極的交叉部分可以發(fā)光，驅(qū)動(dòng)用IC需要由TCP或COG等連接方式進(jìn)行外裝。

有源驅(qū)動(dòng)的每個(gè)像素配備具有開(kāi)關(guān)功能的低溫多晶硅薄膜晶體管(Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor， LT P-Si TFT)，而且每個(gè)象素配備一個(gè)電荷存儲(chǔ)電容，外圍驅(qū)動(dòng)電路和顯示陣列整個(gè)系統(tǒng)集成在同一玻璃基板上。與LCD相同的TFT結(jié)構(gòu)，無(wú)法用于OLED。這是因?yàn)長(zhǎng)CD采用電壓驅(qū)動(dòng)，而OLED卻依賴電流驅(qū)動(dòng)，其亮度與電流量成正比，因此除了進(jìn)行ON/OFF切換動(dòng)作的選址TFT之外，還需要能讓足夠電流通過(guò)的ON阻抗較低的小型驅(qū)動(dòng)TFT。

二.驅(qū)動(dòng)方式的不同

無(wú)源矩陣的驅(qū)動(dòng)方式為多路動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)，這種驅(qū)動(dòng)方式受掃描電極數(shù)的限制，占空比系數(shù)是無(wú)源驅(qū)動(dòng)的重要參數(shù)。

有源矩陣的驅(qū)動(dòng)方式屬于靜態(tài)驅(qū)動(dòng)方式，有源矩陣OLED具有存儲(chǔ)效應(yīng)，可進(jìn)行100%負(fù)載驅(qū)動(dòng)，這種驅(qū)動(dòng)不受掃描電極數(shù)的限制，可以對(duì)各像素獨(dú)立進(jìn)行選擇性調(diào)節(jié)。

三.有源矩陣可以實(shí)現(xiàn)高亮度和高分辨率

無(wú)源矩陣由于有占空比的問(wèn)題，非選擇時(shí)顯示很快消失，為了達(dá)到顯示屏一定的亮度，掃描時(shí)每列的亮度應(yīng)為屏的平均亮度乘以列數(shù)。如64列時(shí), 平均亮度為100cd/m2, 則1列的亮度應(yīng)為6400cd/m2。隨著列數(shù)的增加，每列的亮度必須相應(yīng)增加，相應(yīng)的必須提高驅(qū)動(dòng)電流密度。由此可以看出，無(wú)源矩陣難以實(shí)現(xiàn)高亮度和高分辨率。

有源矩陣無(wú)占空比問(wèn)題，驅(qū)動(dòng)不受掃描電極數(shù)的限制，易于實(shí)現(xiàn)高亮度和高分辨率。

四.有源矩陣可以實(shí)現(xiàn)高效率和低功耗

五.有源矩陣易于實(shí)現(xiàn)彩色化

六.有源矩陣易于提高器件的集成度和小型化

七.有源矩陣易于實(shí)現(xiàn)大面積顯示

八.工藝成本的比較

無(wú)源驅(qū)動(dòng)由簡(jiǎn)單矩陣構(gòu)成, 基板制造工藝簡(jiǎn)單; 有源驅(qū)動(dòng)低溫多晶硅TFT工藝復(fù)雜，設(shè)備投資巨大。

對(duì)一般OLED器件，有源驅(qū)動(dòng)的成本較高。 但無(wú)源驅(qū)動(dòng)需要外接驅(qū)動(dòng)電路, 目前, 這種電路芯片的價(jià)格還很高, 而有源矩陣內(nèi)藏驅(qū)動(dòng)電路, 不需外接, 對(duì)較高分辨率和彩色化的OLED器件無(wú)源驅(qū)動(dòng)不一定成本低。