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          節(jié)能MCU內(nèi)核可延長(zhǎng)電池壽命

          作者: 時(shí)間:2014-01-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          一節(jié)單電池可用20年

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/227046.htm

          CR2032紐扣電池廣泛用于小型MCU(如遠(yuǎn)程環(huán)境傳感器)中,這是一種鋰/二氧化錳3V原電池。典型的供應(yīng)商,如柯達(dá)(參考文獻(xiàn)1)將其容量*為230mAh到2V的終點(diǎn)電壓能力為5.6k?(約為0.5mA)。如果是那樣的話(huà),將為400小時(shí),相比之下,能源敏感的應(yīng)用可使使用壽命達(dá)到20萬(wàn)小時(shí)。

          圖1:人們期望新一代的計(jì)量產(chǎn)品能在二十年里工作無(wú)人看管。

          這種特殊的電池具有很好的使用壽命或自放電率,數(shù)據(jù)表顯示10年之后其容量仍達(dá)90%。非常相似的是,這相當(dāng)于連續(xù)充電約0.25?A,如果能夠達(dá)到10到20年的,那么它可以滿(mǎn)足應(yīng)用的一般要求。

          伴隨的是有限的電荷數(shù),設(shè)計(jì)者必須在MCU運(yùn)行的所有階段減少產(chǎn)品的電流和運(yùn)行時(shí)間,不僅要減少每微安數(shù),還要減少每個(gè)動(dòng)作花費(fèi)的每個(gè)微秒。

          為減小深度睡眠模式下消耗的電流,在能源敏感應(yīng)用的MCU中采用8位(或16位)已經(jīng)非常普遍。其理由是,8位(即使是在這類(lèi)設(shè)計(jì)中經(jīng)常采用的最新版本中)很小,門(mén)控相對(duì)較少,靜電電流或漏電流較低。但是,現(xiàn)在的許多應(yīng)用都需要比8位所能提供的更大的處理能力。在其它MCU應(yīng)用領(lǐng)域,用戶(hù)往往選擇從8位升級(jí)到一個(gè)32位環(huán)境。在低功耗的情況下,人們一直先入為主地認(rèn)為32位內(nèi)核在其掉電模式狀態(tài)下使用的電流一定高得令人無(wú)法接受。隨著全套低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)的出現(xiàn),今天的IC設(shè)計(jì)工程師已經(jīng)可以用一個(gè)32位ARM內(nèi)核提供各種低功耗模式,效果與8位產(chǎn)品一樣甚至更好,而且還能實(shí)現(xiàn)快速喚醒。32位處理器更高的處理性能也使MCU可以更快完成任務(wù),從而能夠有更多時(shí)間處于這些低功耗模式下,這可以進(jìn)一步降低平均功耗。

          低功耗外圍設(shè)備功能

          為實(shí)現(xiàn)盡可能低的功耗,優(yōu)化MCU睡眠狀態(tài)功耗需要整體的設(shè)計(jì)方法。除了內(nèi)核,MCU中的其它模塊在待機(jī)設(shè)備、穩(wěn)壓器、偏置電流發(fā)生器,欠壓檢測(cè)比較儀、上電復(fù)位電路中會(huì)繼續(xù)消耗電流。幾乎在任何情況下,一個(gè)簡(jiǎn)單的折衷法則是:掉電狀態(tài)越久,就有越多外圍設(shè)備的功能被完全關(guān)斷,芯片準(zhǔn)備好實(shí)現(xiàn)處理任務(wù)的喚醒時(shí)間就越長(zhǎng)。由于應(yīng)用之間差別很大,MCU設(shè)計(jì)工程師提供一種靈活的斷電狀態(tài)下的擴(kuò)展套件就顯得很重要了,這樣產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員就可以很好地為其項(xiàng)目進(jìn)行待機(jī)功率和響應(yīng)能力的折衷。

          設(shè)計(jì)一個(gè)在nanoamp區(qū)獲得最深度睡眠狀態(tài)電流水平的ARM內(nèi)核只是低能源戰(zhàn)略的一個(gè)步驟。能夠獲得32位內(nèi)核的處理能力為管理能源的利用開(kāi)辟了新途徑。在任何時(shí)候,它是MCU供電圖下面的區(qū)域,隨著時(shí)間的推移,它表示從電池里取走的電荷(圖2)。

          圖2:內(nèi)核通過(guò)完整的喚醒/工作/回到睡眠周期在多個(gè)不同區(qū)域節(jié)省能源。

          灰色區(qū)域表示相比8位內(nèi)核,一個(gè)性能更強(qiáng)大的32位內(nèi)核在更短周期內(nèi)完成任務(wù)所節(jié)省的能量。

          就是這樣,在具體配置中電流消耗的數(shù)字越大,設(shè)計(jì)人員就必須更密切注意要最大限度地延長(zhǎng)電池的使用壽命。在EFM32微控制器的開(kāi)發(fā)工具包中,這種測(cè)量是很清楚的,這個(gè)工具包的基本功能部分是先進(jìn)能源.(圖3)。該設(shè)備不斷測(cè)量給MCU內(nèi)核供電的電壓軌下的電流。用一個(gè)從模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)通過(guò)電阻器采集電壓,而開(kāi)發(fā)工具包軟件集成其讀數(shù)來(lái)精確測(cè)量不同時(shí)間的功率。

          圖3:EnergyMICRO的先進(jìn)能源.。相比性能更低的MCU,一個(gè)32位的內(nèi)核將花更少的時(shí)間去主動(dòng)完成一項(xiàng)相同的任務(wù),同時(shí),該內(nèi)核在運(yùn)行時(shí)消耗的功率也應(yīng)盡可能低。專(zhuān)注于低功耗的IC設(shè)計(jì)工程師能夠獲得許多設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)其目標(biāo)。這樣的例子包括針對(duì)所有芯片同步邏輯優(yōu)化時(shí)鐘門(mén)控結(jié)構(gòu),以及組織總線(xiàn)系統(tǒng)和內(nèi)存(SRAM和閃存)以在任何特定處理中盡可能減少位跳變。采用全套低功耗設(shè)計(jì)方法會(huì)在閃存中產(chǎn)生一個(gè)運(yùn)行典型代碼的ARMCortex-M3內(nèi)核,而僅需用到低至180μA/MHz的能量。小心使用這些相同的技術(shù)可以確保其數(shù)字測(cè)量準(zhǔn)確,獲得低時(shí)鐘速率,而不僅僅是一個(gè)最佳性能數(shù)字。

          一旦MCU被喚醒并執(zhí)行應(yīng)用代碼,M3內(nèi)核使用Thumb2指令集也有助于減少“活躍時(shí)間”。利用這樣的緊湊型16位指令的雙取指令功能,Thumb2ISA的效率非常高。

          在減少電流×微秒(current-times-MICROseconds)產(chǎn)品時(shí),MCU設(shè)計(jì)工程師需要部署更多策略。其中一個(gè)是不僅減少內(nèi)核在實(shí)際處理應(yīng)用代碼時(shí)所花的時(shí)間,而且還要縮短喚醒刺激之間的創(chuàng)建(ramp-up)時(shí)間(無(wú)論是定時(shí)生成或事件驅(qū)動(dòng)),并且CPU正在準(zhǔn)備做“真正的工作”。一種途徑是最大限度


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