技術：利用低壓降壓IC實現的一款偏置電源設計

本文將就一款可將高AC輸入電壓轉換為可用于電子能量計等應用的低DC電壓簡單電路。在這種特殊的應用中，無需將輸出電壓隔離于輸入電壓。此處，經過整流的 AC 輸入電壓可高達375 VDC，同時數百毫安電流時的輸出電壓可在5伏以內。這些大容量應用通常受到成本的推動，因此要求低部件數量/低成本的電路。步降穩(wěn)壓器提供了一種低成本的解決方案，但在使用高電壓輸入實施時卻充滿挑戰(zhàn)。在連續(xù)模式下，該降壓穩(wěn)壓器的占空比為輸出電壓除以輸入電壓，即400V轉換到5V時占空比為1.25%。如果在100kHz下運行電源，則需要 125 nS 的導通時間，而由于開關速率限制的存在其通常是不切實際的。

圖 1 低壓降壓 IC 實現了簡單、經濟的偏置電源

圖 1一款解決占空比問題的電路。恒定導通控制器(U1)驅動一個高壓降壓功率級，其包含一個電平轉換電路(Q2, Q3)驅動的P通道FET (Q4)，以將400V 轉換為5V。該控制器(我們的例子中使用 TPS64203)是本設計的關鍵。它擁有一個低靜態(tài)電流35 uA)，讓轉換器能夠以最小的R2和R3電阻功耗離線啟動。第二個關鍵因素是其提供短時(600 nS)導通柵極驅動脈沖來將最小開關頻率(連續(xù)導通模式下)升高至 20kHz以上的能力。Q1用于電平轉換柵極驅動電壓至高端驅動器。來自IC的低壓輸出在R4上約為5伏，其使Q1和R5中出現固定電流。通過發(fā)射極輸出器到P通道FET柵極為R5提供電壓。電流也對C4 充電，以為驅動電路供電。我們選擇P通道FET來簡化驅動電路。如果要使用一個N通道，則會要求一種能夠驅動FET柵極至輸入電壓以上來徹底增強器件的方法。

圖 2 MOSFET表現出較好的 ( 50nS) 開關速度

圖 2顯示了兩個電路波形，其表明通過簡單的雙極驅動器可獲得較好的開關速度。低于50 nS的柵極驅動升降時間產生小于30 nS 的漏極-開關時間。通過調節(jié)轉換至P通道FET的驅動電流可以增加速率，代價是更高的功耗。這種電路的效率約為70%?？紤]到功耗水平僅為4瓦，從400V轉換到5V，并且電路既簡單又便宜的情況，這一效率已經不低了。這種設計的兩個不足是缺少短路和過電壓保護。但是，這種電路可能代表許多應用中一種高性價比的折衷方法。