多晶硅太陽能電池制作工藝概述
眾所周知,利用太陽能有許多優(yōu)點(diǎn),光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源,但目前來講,要使太陽能發(fā)電具有較大的市場,被廣大的消費(fèi)者接受,提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的最大目標(biāo),從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。從工業(yè)化發(fā)展來看,重心已由單晶向多晶方向發(fā)展,主要原因為:
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/227508.htm(1)可供應(yīng)太陽電池的頭尾料愈來愈少;
(2)對太陽電池來講,方形基片更合算,通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料;
(3)多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展,全自動澆鑄爐每生產(chǎn)周期(50小時)可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠,晶粒的尺寸達(dá)到厘米級;
(4)由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快,其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn),例如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極,采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50微米,高度達(dá)到15微米以上,快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時間,單片熱工序時間可在一分鐘之內(nèi)完成,采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過14%。據(jù)報道,目前在50~60微米多晶硅襯底上制作的電池效率超過16%。利用機(jī)械刻槽、絲網(wǎng)印刷技術(shù)在100平方厘米多晶上效率超過17%,無機(jī)械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到16%,采用埋柵結(jié)構(gòu),機(jī)械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達(dá)到15.8%。
下面從兩個方面對多晶硅電池的工藝技術(shù)進(jìn)行討論。1. 實驗室高效電池工藝
實驗室技術(shù)通常不考慮電池制作的成本和是否可以大規(guī)?;a(chǎn),僅僅研究達(dá)到最高效率的方法和途徑,提供特定材料和工藝所能夠達(dá)到的極限。
1.1關(guān)于光的吸收
對于光吸收主要是:
(1)降低表面反射;
(2)改變光在電池體內(nèi)的路徑;
(3)采用背面反射。
對于單晶硅,應(yīng)用各向異性化學(xué)腐蝕的方法可在(100)表面制作金字塔狀的絨面結(jié)構(gòu),降低表面光反射。但多晶硅晶向偏離(100)面,采用上面的方法無法作出均勻的絨面,目前采用下列方法:
[1]激光刻槽
用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔結(jié)構(gòu),在500~900nm光譜范圍內(nèi),反射率為4~6%,與表面制作雙層減反射膜相當(dāng)。而在(100)面單晶硅化學(xué)制作絨面的反射率為11%。用激光制作絨面比在光滑面鍍雙層減反射膜層(ZnS/MgF2)電池的短路電流要提高4%左右,這主要是長波光(波長大于800nm)斜射進(jìn)入電池的原因。激光制作絨面存在的問題是在刻蝕中,表面造成損傷同時引入一些雜質(zhì),要通過化學(xué)處理去除表面損傷層。該方法所作的太陽電池通常短路電流較高,但開路電壓不太高,主要原因是電池表面積增加,引起復(fù)合電流提高。
[2]化學(xué)刻槽
應(yīng)用掩膜(Si3N4或SiO2)各向同性腐蝕,腐蝕液可為酸性腐蝕液,也可為濃度較高的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液,該方法無法形成各向異性腐蝕所形成的那種尖錐狀結(jié)構(gòu)。據(jù)報道,該方法所形成的絨面對700~1030微米光譜范圍有明顯的減反射作用。但掩膜層一般要在較高的溫度下形成,引起多晶硅材料性能下降,特別對質(zhì)量較低的多晶材料,少子壽命縮短。應(yīng)用該工藝在225cm2的多晶硅上所作電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到16.4%。掩膜層也可用絲網(wǎng)印刷的方法形成。[3]反應(yīng)離子腐蝕(RIE)
該方法為一種無掩膜腐蝕工藝,所形成的絨面反射率特別低,在450~1000微米光譜范圍的反射率可小于2%。僅從光學(xué)的角度來看,是一種理想的方法,但存在的問題是硅表面損傷嚴(yán)重,電池的開路電壓和填充因子出現(xiàn)下降。
[4]制作減反射膜層
對于高效太陽電池,最常用和最有效的方法是蒸鍍ZnS/MgF2雙層減反射膜,其最佳厚度取決于下面氧化層的厚度和電池表面的特征,例如,表面是光滑面還是絨面,減反射工藝也有蒸鍍Ta2O5, PECVD沉積 Si3N3等。ZnO導(dǎo)電膜也可作為減反材料。
1.2金屬化技術(shù)
在高效電池的制作中,金屬化電極必須與電池的設(shè)計參數(shù),如表面摻雜濃度、PN結(jié)深,金屬材料相匹配。實驗室電池一般面積比較?。娣e小于4cm2),所以需要細(xì)金屬柵線(小于10微米),一般采用的方法為光刻、電子束蒸發(fā)、電子鍍。工業(yè)化大生產(chǎn)中也使用電鍍工藝,但蒸發(fā)和光刻結(jié)合使用時,不屬于低成本工藝技術(shù)。
評論