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          用于雙變換UPS的全橋IGBT

          作者: 時間:2013-12-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          設(shè)計的趨勢

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/227630.htm

          近二十年來,不間斷電源隨著信息設(shè)備的廣泛使用而迅速普及,大量使用于信息設(shè)備和數(shù)據(jù)的保護(hù)。從不間斷電源自身發(fā)展來看,很大程度依賴于電力電子技術(shù)發(fā)展,更依賴于電力電子器件的發(fā)展,如磁性材料,IGBT,Power MOSFET。在中大功率產(chǎn)品中IGBT取代GTO使得高頻,高效率的SPWM逆變器進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用,也使得有源PFC整流成為可能。在小功率方面,IGBT和POWER MOSFET,取代了BJT,使得效率大幅提高,體積重量大大降低,成本也有革命性的下降。

          在眾多的電路拓樸結(jié)構(gòu)中,帶輸出變壓器的電路結(jié)構(gòu)具有很強(qiáng)的生命力,它誕生于雙極型三極管年代,十多年來整機(jī)電路原理沒有什么突破,只是在控制電路和用戶界面做了改進(jìn),逆變器順著潮流采用了IGBT??梢哉f是IGBT給予這一電路形式的持續(xù)的生命力。

          但是相對于近幾年發(fā)展起來的高頻鏈UPS來說,其缺點也逐漸顯露出來了,體積質(zhì)量大,成本高,但是依賴其成熟的技術(shù),幾乎工業(yè)化的標(biāo)準(zhǔn)模塊式結(jié)構(gòu)和很高的可靠性,使它在市場擁有的份額并沒有減小,而且產(chǎn)量越來越大,迫使各大UPS廠商尋找新的技術(shù),以提高效率,降低成本。尤其效率的提高,能有效地減小散熱器尺寸,減少后備電池容量,減小充電器功率,明顯減小整機(jī)體積重量。如果10KVA UPS的8小時機(jī)型,提高2%的整機(jī)效率,可以減少使用相當(dāng)12V 6.5AH電池20多節(jié)!

          圖1,帶輸出變壓器的UPS

          (圖1)所示,是一個典型的雙變換UPS,輸入交流電經(jīng)過由D1~D4構(gòu)成的全橋整流電路,整流得到220V~330V的直流母線電壓,電池電壓范圍為160V~220V,通過隔離二極管D5送給直流母線,供逆變器,所以逆變器的輸入電壓范圍為160~330V。為了輸出220V的穩(wěn)定交流電壓,必然需要升壓隔離式逆變變壓器T1并采用SPWM調(diào)制技術(shù)(D6并非必須,僅為商品整流橋的一部分)。

          由于使用IGBT,逆變器一定會采用SPWM技術(shù),且盡量提高調(diào)制頻率來減小輸出諧波分量,但是由于考慮IGBT的開關(guān)損耗,合理的調(diào)制頻率在8~10kHz。如果直接采用全橋式單極性調(diào)制方式,逆變變壓器有8~10kHz的諧波分量,會有明顯的可聞運(yùn)行噪聲,如果進(jìn)一步提高調(diào)制頻率到20kHz可消除可聞運(yùn)行噪聲,在目前技術(shù)條件下,無論選用何種芯片技術(shù)的IGBT,都會明顯增加開關(guān)損耗,整機(jī)效率降低,這是不可取的。

          現(xiàn)有的倍頻式PWM調(diào)制技術(shù)就能很好的解決這一問題,只要采用兩個反向的三角波,分別調(diào)制Q1和Q4,Q2和Q3,就能使輸出的調(diào)制頻率翻倍。這樣一來就能保證IGBT 工作在最理想的狀態(tài),同時滿足整機(jī)設(shè)計要求。

          為了簡化討論,我們討論一個半橋臂的工作情況,參考圖一。我們分析當(dāng)逆變器Q1關(guān)閉時的電壓電流波形,見(圖2)。由于負(fù)載電感的電流不能突變,繼續(xù)流過Q2,下部IGBT的中續(xù)流二極管。其電流變化速率di/dt在寄生電感上會產(chǎn)生一個壓降ΔV=-Lσ×di/dt,它疊加在直流母線上,可以看作在關(guān)斷Q1的電壓尖峰,這個尖峰電壓會損壞Q1。

          在常見的采用半橋IGBT模塊并用并行直流母線連接的UPS設(shè)計,為了保護(hù)IGBT,使其工作在安全工作區(qū)RBSOA內(nèi),一般需要采用復(fù)雜的吸峰電路。成本高,且要消耗不少能量,有一典型的用于10kVA UPS逆變回路吸峰電路,需要80×80風(fēng)扇冷卻,這是UPS逆變電路亟待改進(jìn)的地方。


          產(chǎn)生ΔV原因可以從下式可以看出:ΔV=-Lσ×di/dt,其與IGBT電流下降速率和回路的電感成正比。要減小尖峰電壓,可以減小電流下降速率,就是通常說的關(guān)斷比較軟,但是會增加損耗;另一方法是減小電感,這個電感就是寄生電感。

          從原理上說寄生電感與回路包圍的面積有關(guān),在設(shè)計中,應(yīng)該選用適當(dāng)?shù)牡碗姼衅骷?,而且器件布局盡量緊湊。那么如何在UPS設(shè)計中減小寄生電感,廢除耗能的吸峰電路,降低成本,這是UPS設(shè)計者關(guān)心的問題。

          目前UPS逆變器的功率管采用的是IGBT半橋功率模塊,如eupec的BSM200GB60DLC。這些IGBT都采用了雙極型三極管模塊的封裝。其體積大,成本高,自身的寄生電感也大。

          在IGBT發(fā)明時,在第一代IGBT開關(guān)速度不太快的前提下,廠商采用雙極型三極管模塊的封裝國際工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),可以使得用戶可以不改變整機(jī)結(jié)構(gòu)的情況下,方便取代雙極型三極管模塊,其不失為一個很好的選擇。

          結(jié)果是UPS廠商的逆變功率模塊也始終按雙極型三極管的半橋模塊設(shè)計,這樣一來引進(jìn)比模塊本身更大的寄生電感。寄生電感會在IGBT關(guān)斷的過程中形成很大的尖峰電壓。尤其當(dāng)今IGBT的開關(guān)速度已很高了。

          那末如何來減小寄生電感是一個IGBT應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù),最有效的方法是把并行母線改為疊層母線,減小回路包圍的面積。對于并行母線,其母線寬度與母線距離之比a/b>1,其寄生電感Lσ>300nH,而疊層母線很容易做到a/b0.01,這樣寄生電感Lσ僅為20~30nH,考慮其它因素,寄生電感Lσ實際可以控制在100nH以下。

          封裝的改進(jìn)

          為了使這一技術(shù)實用化,eupec公司在1994年制定了一種IGBT國際工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的封裝,即Econo,它是 第一個IGBT的封裝。Econo有兩種封裝尺寸,即Econo2和Econo3,見(圖3)?,F(xiàn)有的主要產(chǎn)品是用于逆變器三相全橋模塊。最近eupec推出單相全橋模塊 Econo FourPACK ,其600V系列是專為UPS設(shè)計的,包括以下幾種常用型號,見表一:

          圖3, Econo 封裝的IGBT模塊

          Econo FourPACK系列模塊由四個IGBT和四個反向續(xù)流二極管構(gòu)成,它還包括溫度檢測 NTC,可用于超載,過溫保護(hù);對稱的芯片分布,合理的管腳設(shè)計使得模塊內(nèi)部和功率組件設(shè)計寄生電感最?。灰瞿_按能量流向分布,母線設(shè)計,控制線設(shè)計更容易。所有引出腳采用可焊接針,這樣便于設(shè)計雙面覆銅板疊層直流母線,它有很小的寄生電感,如果與EconoBRIDGE 整流模塊一起構(gòu)成系統(tǒng)設(shè)計更方便,更能體現(xiàn)優(yōu)良的性能。

          Econo 封裝能符合UPS的安全標(biāo)準(zhǔn),IEC62040-1-1,和IEC62040-1-2。

          芯片技術(shù)及其比較

          EconoFourPACK 600V系列采用第二代非穿透型NPT型IGBT芯片,和EmCon反向續(xù)流二極管。它還包括溫度檢測 NTC,可用于超載,過溫保護(hù)。

          英飛凌第二代非穿透型NPT型IGBT芯片,大大提高了IGBT的強(qiáng)度,短路承受力強(qiáng),開關(guān)更可靠,具有非常有效的短路電流限制特性,在VGE =15V時,不論短路內(nèi)阻多么小,芯片會把短路電流限制在5~8倍的額定電流,如果在10祍內(nèi)關(guān)斷IGBT,IGBT不會因為過流損壞。短路電流限制特性使得IGBT工作非??煽浚搪繁Wo(hù)電路很容易設(shè)計,且在極端情況下也不會劇烈爆炸,損壞PCB母線及相鄰器件。


          EmCon二極管為高頻軟恢復(fù)二極管,反向恢復(fù)電荷少,最大反向恢復(fù)電流小,見(圖4)。這使得電磁兼容EMC設(shè)計較容易,實現(xiàn)成本低。

          新一代IGBT在封裝技術(shù)、芯片技術(shù)上都有明顯優(yōu)勢。以200A 600V IGBT模塊為例,見表2。封裝底面尺寸僅為半橋的86%,在實際安裝情況下占散熱器面積可減小為50%,安裝也較為簡單,所需螺絲從10只減少到4只,安裝誤差容易控制,這都意味著降低成本。其寄生電感也只有50%。

          表2,IGBT的主要參數(shù)

          由于采用Al2O3的基板和銅散熱底板,管座對散熱器的熱阻大大減小,僅為40%,但由于四個IGBT封裝在一起,總功率幾乎翻倍,所以實際熱阻為80%。

          當(dāng)設(shè)計大功率UPS系統(tǒng)時,NPT-IGBT具有的正溫度系數(shù)的飽和電壓以及溫度系數(shù)很小的拖尾電流使得模塊很容易并聯(lián)。(PT型IGBT ,如一個200A,600V的常用型號把Vce sat 在1.85V~2.80V之間分了5檔,以便于并聯(lián)時選擇。

          芯片及解決方案

          Infineon/eupec 已經(jīng)推出了溝道柵的第三代600V IGBT,它采用場終止技術(shù),優(yōu)化了性能,飽和壓降低達(dá)1.55V@Tj=25℃,工作溫度高達(dá)150℃(允許最高結(jié)溫175℃)。Eupec會將這種最新技術(shù)用在H橋模塊上,以及推出更小規(guī)格的產(chǎn)品。

          一個英飛凌的UPS系統(tǒng)解決方案:

          全橋逆變器: eupec Econo FourPACK F4-200R06KL4

          整流器和隔離二極管: eupec EcnoBRIDGETM DDB6U84N16R

          IGBT Driver: eupec EiceDRIVERTM 1ED020I12-S

          EiceDRIVER是個基于無鐵芯變壓器CLT技術(shù)的2A IGBT 驅(qū)動芯片,它安全隔離性能好,延遲時間短,抗dv/dt 能力強(qiáng),不再需要使用光電耦合器。

          成本上的考慮

          Econo FourPACK 是新產(chǎn)品,正處于推廣發(fā)展階段,而半橋模塊價格空間很小,所以這種全橋模塊更有價格優(yōu)勢。它損耗低,熱阻小,所以系統(tǒng)成本低。焊接式引出腳可以采用波峰焊,自動化程度高,加工成本低,質(zhì)量好。采用Econo FourPACK,UPS的功率單元比采用半橋模塊如BSM可降低20~30%,實際上由于系統(tǒng)效率提高,總體成本更低。

          結(jié)論

          Econo FourPACK 600V IGBT 系列是基于帶輸出變壓器的雙變換UPS的優(yōu)化產(chǎn)品。它可以在不改變太多設(shè)計的前提下,提高UPS整體性能和可靠性,明顯降低成本。替代半橋電路時,只需用PCB疊層結(jié)構(gòu)重新設(shè)計直流母線,簡單地改變一下IGBT安裝方法。

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